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[发明专利]一种高温合金密排孔柱阵列结构的加工方法-CN202011222623.5有效
发明人：邹文江;程耀永;陈波;李文文 -专利权人：中国航发北京航空材料研究院
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C25F7/00 文献下载
摘要：本发明公开一种高温合金密排孔柱阵列结构的加工方法，包括：在高温合金板材(1)上表面均匀涂覆光刻胶；在菲林片上绘制所需蚀刻图案，其中凸台(2)的外径比实际成品的外径大预定尺寸，将图案转录至高温合金板材的光刻胶上；对坚膜后的高温合金板材进行电解蚀刻，蚀刻电压为10～25V，电流为500～1000A，每蚀刻1～3min后，暂停蚀刻，测量凸台(2)的高度变化，直至凸台(2)高度达到目标值；对完成凸台蚀刻后的高温合金板材进行单点的通孔(3)的电解加工；对加工完成的高温合金板材进行退膜，得到高温合金密排孔柱结构板材。本发明实现了难加工高温合金材料的精密成形加工。
一种高温合金密排孔柱阵列结构加工方法

[实用新型]用于眼镜片的小型蚀刻机及蚀刻组件-CN202123139736.1有效
发明人：杨风林 -专利权人：潍坊市坊子区蕴德眼镜销售有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： B29C37/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及镜片加工设备技术领域，尤其为一种用于眼镜片的小型蚀刻机及蚀刻组件，包括外壳，所述外壳上设有蚀刻组件，所述蚀刻组件至少包括一蚀刻膜，所述外壳内还设有用于输送蚀刻液到蚀刻组件上的泵组件，所述蚀刻膜上开有用于蚀刻液透过的蚀刻槽本实用新型通过泵组件配合蚀刻组件，将蚀刻液从蚀刻膜的蚀刻槽中渗出对镜片进行蚀刻，对镜片进行蚀刻图文，其结构简单，操作方便，相较于传统的蚀刻机不仅成本低廉，并且蚀刻效果好，便于推广和使用。
用于眼镜片小型蚀刻组件

[发明专利]一种电路板精细线宽/间隙多次光刻-蚀刻的加工方法-CN202110521303.8在审
发明人：梁涛;游定国 -专利权人：湖南好易佳电路板有限公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：一种电路板精细线宽/间隙多次光刻‑蚀刻的加工方法，包括以下步骤：一；确定所述线路板上所要加工位置，在线路板上所要加工位置处的四周表面涂布一层保护胶膜；二；在线路板上的加工位置上，使得线路板的加工位置处形成凹槽或缺口，同时控制蚀刻的深度及侧蚀量；三；在第一次蚀刻完成后的表面及凹槽或缺口的侧壁上再次涂布一层保护膜；四；对第一次光刻加工完的凹槽或缺口底部进行第二次光刻加工，同时控制蚀刻的深度及侧蚀量，采用补偿方法逐次将凹槽直径或缺口间隙修正；如此重复光刻‑蚀刻直至线路板上所要加工位置形成精细的间隙。
一种电路板精细间隙多次光刻蚀刻加工方法

[发明专利]一种加速度计摆片平桥的蚀刻方法-CN201210414161.6有效
发明人：袁枫;张兰;刘英;吴艳;秦淑斌;郭琳瑞;周峰 -专利权人：航天科工惯性技术有限公司
申请日： 2012-10-26 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种加速度计摆片平桥的蚀刻方法，通过蚀刻窗口参考面、同时蚀刻平桥和窗口等步骤实现对加速度计摆片平桥的精确刻蚀。本发明提供的方法只需对窗口参考面的初始深度进行测量即可精确控制平桥厚度，蚀刻加工的平桥厚度精度可达±1μm，提高了加速度计摆片的加工精度，蚀刻得到的平桥厚度，不受原材料、腐蚀液及蚀刻速率的影响。
一种加速度计摆片平桥蚀刻方法

[发明专利]利用电浆蚀刻去除晶圆缺陷的再加工处理设备-CN202011475087.X在审
发明人：李原吉;刘品均;蔡明展 -专利权人：友威科技股份有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种利用电浆蚀刻去除晶圆缺陷的再加工处理设备，用以对一晶圆进行电浆蚀刻，包括一真空腔体、一第一电极、一第二电极、一智能控制模组、一蚀刻气体模组及一监测模组。第一电极与第二电极对向设置于真空腔体内，蚀刻气体模组与监测模组分别与智能控制模组电性连接，蚀刻气体模组用以将蚀刻气体供应至第一电极与第二电极之间，监测模组用以监测蚀刻过程中的一特征参数；其中，智能控制模组能够根据特征参数所产生的变化，来控制蚀刻气体模组停止供应蚀刻气体。借此，本发明能够智能判断停止蚀刻的触发时点，具有提升再加工作业的效率。
利用蚀刻去除缺陷再加处理设备

[发明专利]被加工物的加工方法-CN201810409277.8在审
发明人： F·韦;田渕智隆;山铜英之 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供被加工物的加工方法，能够抑制器件的安装不良、断线等加工后的破损。该被加工物的加工方法包含如下的步骤：掩模准备步骤，准备将被加工物正面的器件覆盖并且使间隔道露出的掩模；等离子蚀刻步骤，在该等离子蚀刻步骤中反复进行如下过程：隔着掩模对背面配设有保持部件的被加工物提供等离子化的SF₆而形成槽，接着隔着掩模对被加工物提供等离子化的C₄F₈而使被膜堆积于被加工物，然后隔着掩模对被加工物提供等离子化的SF₆从而将槽底的被膜去除而对槽底进行蚀刻；以及异物去除步骤，在实施了等离子蚀刻步骤(ST3)之后，利用清洗液对被加工物进行清洗而将通过等离子蚀刻步骤(ST3)而生成的被膜去除。
被加工物等离子蚀刻步骤掩模等离子化被膜加工去除蚀刻保持部件抑制器件异物去除间隔道清洗液断线破损背面堆积清洗覆盖

[发明专利]一种集成芯片的加工制备工艺-CN202210492026.7在审
发明人：谢维 -专利权人：江苏鼎茂半导体有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明属于芯片加工技术领域，公开了一种集成芯片的加工制备工艺，包括，S1：获取Wafer，将Wafer作为衬底；S2：确定蚀刻区域，将不同封装体放置于Wafer衬底上，描绘蚀刻区域；S3：进行蚀刻，将获描绘后蚀刻区域，在Wafer上进行蚀刻，其中蚀刻后可放置芯片数量至少为一个；S4：在蚀刻区域内，放置对应的芯片；S5：对放置后的芯片进行加工。S2中，描绘的蚀刻区域与封装体的形状大小一致。本发明可以实现高度集中的封装体，整体芯片整体非常牢固，不易损坏，提高了整体的使用寿命，便于推广应用。
一种集成芯片加工制备工艺

[实用新型]一种薄片蚀刻装置-CN201721490182.0有效
发明人：饶桥兵;杨颜忠 -专利权人：蓝思科技（长沙）有限公司
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄片蚀刻装置，用于超薄手机保护片的蚀刻，包括用于装入待蚀刻加工的薄片工件的篮筐结构，篮筐结构内设置有用限定薄片工件在其内活动空间的限位件，限位件上设置有用于卡装薄片工件四周边缘的插槽；薄片蚀刻装置还包括用于容纳蚀刻溶液及篮筐结构的蚀刻槽。通过设置尺寸配合薄片工件的篮筐结构，并在其内设置限位件，以限定薄片工件的活动空间，在限位件上设置插槽，通过将待加工的薄片工件装入限位槽以保证薄片工件在篮筐结构内的相对位置稳定，不易在蚀刻加工的工艺过程中发生碰撞破碎，该设计通过多重的限位作用，保证薄片不易发生碰撞破碎，由于其出色的限位保护性能，能够尽可能大的发挥蚀刻的效果。
薄片工件篮筐结构限位件蚀刻装置蚀刻活动空间蚀刻加工插槽装入破碎本实用新型超薄手机尺寸配合工艺过程蚀刻溶液四周边缘位置稳定限位保护限位作用多重的蚀刻槽限位槽卡装保证容纳加工

[发明专利]包括具有氢流速渐变的光刻胶等离子体老化步骤的蚀刻方法-CN200580037064.8有效
发明人：克伦·雅各布斯·卡纳里克;A·埃普勒 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2005-09-23 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明提供了通过光刻胶掩模(212)在衬底(204)上方在蚀刻层(208)中蚀刻特征的方法。将具有设置在光刻胶掩模下面的蚀刻层的衬底置于加工室中。对光刻胶掩模进行老化，其中所述老化包括向所述加工室提供老化气体，所述老化气体包括具有一定流速的碳氟化合物和氢氟碳化合物中的至少一种以及具有一定流速的含氢气体；和使所述老化气体能量化以形成老化等离子体从而使光刻胶向所述加工室提供蚀刻等离子体，其中所述蚀刻等离子体不同于所述老化等离子体。用所述蚀刻等离子体在蚀刻层(208)中蚀刻特征。
包括具有流速渐变光刻等离子体老化步骤蚀刻方法

[发明专利]使用铜银合金的导电性部件、触头引脚以及装置-CN201880044125.0有效
发明人：佐藤勉;坂井义和;菊池章弘 -专利权人：株式会社协成;国立研究开发法人物质·材料研究机构
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01B1/02 文献下载
摘要：本发明着眼于构成触头引脚的材料及其加工方法，使用不同于以往的材料以及加工方法制造导电性部件。对包含铜以及银的铜银合金，至少使用铜合金用蚀刻液进行蚀刻处理得到导电性部件，可以选择性地在铜合金用蚀刻液中添加银用蚀刻液。
使用合金导电性部件引脚以及装置

[发明专利]一种精密型蚀刻刀模-CN202110800760.0在审
发明人：李康敏;李康林 -专利权人：江苏康弘昌工业有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： B26F1/44 文献下载
摘要：本发明提供一种精密型蚀刻刀模，包括：桌体；加工板，所述加工板设在所述桌体上；蚀刻刀片，所述蚀刻刀片设在所述桌体上，且所述蚀刻刀片与加工板活动连接；两个螺纹柱，两个所述螺纹柱对称转动安装在所述桌体上；夹持块本发明提供的精密型蚀刻刀模使用方便、可以快速对蚀刻刀片进行固定，且蚀刻刀片与被雕刻材料的连接定位操作简单，大大提升了工作效率。
一种精密蚀刻

[发明专利]一种用于金属制品的双面蚀刻方法-CN201310275951.5有效
发明人：郭钟宁;宋卿;黄红光;王冠 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2013-07-01 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明公开一种用于金属制品的双面蚀刻方法，所述方法包括以下过程：在金属制品的上表面和下表面进行掩膜处理，所述上表面和下表面的掩膜层图案对应一致；先将掩膜后的金属制品上表面或下表面置于蚀刻机进行喷淋蚀刻，然后将金属制品翻转，将金属制品的下表面或上表面置于蚀刻机进行喷淋蚀刻，完成对金属制品的双面蚀刻；对双面蚀刻后的金属制品进行脱膜处理，除去掩膜层，并进行清洗、抛光后处理。本发明所述方法可在金属制品上加工出尺寸精度较好的微小通孔结果，侧蚀量小，加工效率高，适合大规模生产加工的需求。
一种用于金属制品双面蚀刻方法

[发明专利]一种干式电路板化学蚀刻设备-CN202210681793.2有效
发明人：陈丽虹 -专利权人：深圳市惠利电子科技有限公司
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种干式电路板化学蚀刻设备，属于电路板蚀刻制作领域，解决了现有利用化学腐蚀法制作电路板样品中，耗时较长，资源较为浪费的问题；本方案包括机架，机架上安装有用于放置待蚀刻加工的电路板的平台、储存有供电路板蚀刻用的化学药剂的储液机构、牵引装置以及蚀刻装置，电路板上，需要保留的部分为电路区，不需要保留的部分为加工区，牵引装置用于牵引蚀刻装置在电路板的加工区内移动，蚀刻装置用于利用储液机构中的化学药剂对电路板上的铜箔进行置换反应腐蚀，
一种电路板化学蚀刻设备

[实用新型]一种铝基板蚀刻的固定装置-CN202223594048.9有效
发明人：蒋海雷;张天乙;凌芝;邱树平 -专利权人：江西祥益鼎盛科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本实用新型属于铝基板蚀刻技术领域，具体的说是一种铝基板蚀刻的固定装置，包括加工设备；所述加工设备的内部安装有蚀刻箱；所述加工设备的内侧壁固接有第一电机；所述第一电机的输出端固接有第一固定板；所述第一固定板的侧端固接有第一夹板通过将铝基板插入到第一夹板和第二夹板的内部，然后按压第二夹板进行夹持固定，打开第一电机带动第一固定板进行转动，使得第一固定板带动第一夹板和第二夹板进行转动，当第一夹板和第二夹板转动时带动内部的铝基板泡在蚀刻箱的内部进行蚀刻处理，使得铝基板能够全方位的进行浸泡蚀刻处理，提高了对铝基板的蚀刻进度。
一种铝基板蚀刻固定装置

[发明专利]在等离子体加工系统中蚀刻时减少光致抗蚀剂变形的方法-CN200480009423.4有效
发明人： C·鲁苏;M·斯里尼瓦桑 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2004-02-03 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：提供了用于在蚀刻衬底上的层时显著减少光致抗蚀剂扭摆的方法。将在光致抗蚀剂掩模下面设有层的衬底置入等离子体加工室，该层在衬底上面。使蚀刻剂源气体混合物流入等离子体加工室，其中蚀刻剂源气体混合物包括氙和活性蚀刻剂，氙的流速至少是蚀刻剂源气体混合物的35％。等离子体从蚀刻剂源气体混合物打出。用等离子体蚀刻该层，其中氙的流速减少了光致抗蚀剂的扭摆。
等离子体加工系统蚀刻减少光致抗蚀剂变形方法

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