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[发明专利]一种高覆盖率红外白光双色LED灯珠-CN202011283696.5在审
发明人：唐勇;林启程 -专利权人：永林电子股份有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： F21K9/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种高覆盖率红外白光双色LED灯珠，其包括：基座，所述基座设置有第一安装槽；芯片支架，所述芯片支架安装在所述第一安装槽底部；红外LED芯片、白光LED芯片，所述红外LED芯片、所述白光LED芯片安装在所述芯片支架内；阳极环，所述阳极环安装在所述第一安装槽内并与上述芯片电连接；阴极环，所述阴极环安装在所述第一安装槽内并设置在所述绝缘环顶部，所述阴极环与上述芯片电连接并与所述阳极环之间绝缘；遮光环
一种覆盖率红外白光 led 灯珠

[发明专利]具有终端环的半导体芯片结构及其制造方法-CN201410545270.0有效
发明人：王永成;周逊伟;陆阳 -专利权人：杰华特微电子（杭州）有限公司
申请日： 2014-10-15 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种具有终端环的半导体芯片结构及其制造方法，所述具有终端环的半导体芯片结构包括：半导体基底，所述半导体基底的第一表面具有主芯片区和围绕主芯片区的终端环，所述主芯片区和终端环表面具有聚合物保护层，所述主芯片区包括半导体衬底内的阱区、位于阱区和半导体衬底表面的层间金属层和介质层的堆叠结构，所述终端环为对堆叠结构、半导体衬底进行刻蚀形成的沟槽，所述沟槽的深度大于堆叠结构和阱区的总厚度，且所述沟槽暴露出所述主芯片区的阱区侧壁。由于沟槽去除了大部分阱区材料，大幅降低主芯片区边缘的表面感应电场，主芯片区边缘不容易被击穿，本发明的终端环的宽度可以缩小为原来的1/3以上，大大降低了终端环的面积。
具有终端半导体芯片结构及其制造方法

[发明专利]固晶设备-CN202110522689.4有效
发明人：胡新平 -专利权人：深圳新益昌科技股份有限公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供了一种固晶设备，包括机架、支架供料组件、支架移载组件、晶环供料组件、晶环旋转组件、顶晶组件、晶环移载组件、翻转组件、固晶吸嘴和固晶摆臂组件。通过支架供料组件和支架移载组件可将支架移送至固晶位；通过晶环供料组件和晶环移载组件可将晶环移送至晶环旋转组件上；通过翻转组件可拾取由顶晶组件顶出的芯片，并可将芯片转动180度，使芯片被顶晶组件抵顶的一面置上；通过固晶吸嘴可将芯片被顶晶组件抵顶的一面吸附，并在固晶摆臂组件的驱动下将芯片移送至固晶位。当芯片被顶晶组件抵顶的一面划伤时，由于翻转组件将芯片转动180度，芯片未被顶晶组件划伤的一面与支架贴合，从而可保证芯片的功能，提高固晶效果。
设备

[实用新型]一种高覆盖率红外白光双色LED灯珠-CN202022662866.2有效
发明人：唐勇;林启程 -专利权人：永林电子股份有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： F21K9/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高覆盖率红外白光双色LED灯珠，其包括：基座，所述基座设置有第一安装槽；芯片支架，所述芯片支架安装在所述第一安装槽底部；红外LED芯片、白光LED芯片，所述红外LED芯片、所述白光LED芯片安装在所述芯片支架内；阳极环，所述阳极环安装在所述第一安装槽内并与上述芯片电连接；阴极环，所述阴极环安装在所述第一安装槽内并设置在所述绝缘环顶部，所述阴极环与上述芯片电连接并与所述阳极环之间绝缘；遮光环
一种覆盖率红外白光 led 灯珠

[发明专利]用于终端的指纹传感组件和具有其的终端-CN201610167937.7有效
发明人：余厚晖 -专利权人：广东欧珀移动通信有限公司
申请日： 2016-03-22 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于终端的指纹传感组件和具有其的终端，所述指纹传感组件包括装饰环、指纹芯片以及密封胶，装饰环的内圈限定出安装孔，装饰环上具有第一环形槽，指纹芯片装配在安装孔内，指纹芯片上具有第二环形槽，第二环形槽与第一环形槽连通以共同限定出环形胶槽，密封胶填充在环形胶槽内以密封安装孔与指纹芯片之间的环形间隙。根据本发明的用于终端的指纹传感组件，可以阻止液体由安装孔与指纹芯片之间的环形间隙进入到指纹芯片内侧，从而防止指纹芯片的焊脚被液体腐蚀发生短路失效的问题，且通过设置环形胶槽点胶的方式进行防水，可以有效地降低装饰环与指纹芯片的加工和装配难度
用于终端指纹传感组件具有

[发明专利]芯片封装及其制作方法-CN201980102809.6在审
发明人：胡骁;张弛;蒋尚轩;郑见涛;赵南;任亦纬;蔡树杰;吴维哲;邹坤;黄文濬 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种芯片封装及其制作方法，涉及芯片封装技术领域，用于减轻基板(10)变形引起的散热片(40)变形，进而防止热界面材料层(30)出现裂纹。该芯片封装包括基板(10)，依次堆叠设置于基板(10)的第一表面的芯片(20)、热界面材料层(30)和散热片(40)，以及设置于第一表面的补强环(50)；补强环(50)包围芯片(20)，并与芯片(20)该芯片封装的制作方法包括：在基板(10)上封装芯片(20)，在芯片(20)上形成热界面材料层(30)；在热界面材料层(30)上形成散热片(40)；在基板(10)上形成补强环(50)，补强环(50)包围芯片(20)，且补强环(50)与芯片(20)、热界面材料层(30)和散热片(40)之间具有间隔。
芯片封装及其制作方法

[发明专利]一种半导体器件及电子装置-CN201711421293.0有效
发明人：崔登峰;宋春;仇峰;曾红林;周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及电子装置，所述半导体器件包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的芯片；围绕所述芯片的密封环；位于所述芯片与所述密封环之间的隔离区，所述隔离区的层间介电层中形成有若干交错排列的阻挡结构本发明提供的半导体器件，在密封环与芯片之间增加了阻挡结构，从而避免刻蚀液进入密封环内部的芯片，进一步避免内部芯片受到损伤。
一种半导体器件电子装置

[发明专利]半导体元件-CN201410136060.6有效
发明人：张文岳 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：提供一种半导体元件，其包括至少一芯片、切割道、保护环、裂缝中止环以及互连结构。切割道环绕芯片。保护环配置于芯片与切割道之间且具有至少一开口。裂缝中止环配置于切割道与保护环之间，且裂缝中止环与开口相通。互连结构穿过保护环的开口且连接芯片中的内部元件与切割道中的外部元件，其中互连结构是由多个金属层与多个导电插塞交替堆叠而成。
半导体元件

[实用新型]信鸽足环-CN200420059691.4无效
发明人：蔡信隆 -专利权人：刘方
申请日： 2004-05-24 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： A01K35/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及信鸽足环，该信鸽足环由电子芯片密码环套(I)，信息编码标志环层(2)和透明材料保护层(3)构成，电子芯片密码环套(1)呈圆管状，在电子芯片密码环套(1)外侧表面粘贴信息编码标志环层(2)，在电子芯片密码环套(1)的一端及信息编码标志环层(2)的外表面包敷透明材料保护层(3)；本实用新型较传统技术具有了保密性和防伪性，信息编码标志环层直观，公正，透明，简捷，透明保护层可确保电子芯片密码环套和信息编码标志环层防水
信鸽

[发明专利]一种高HTRB的高压快恢复二极管芯片及其生产工艺-CN201610021877.8有效
发明人：孙澜;刘韵吉;杨敏红;单慧 -专利权人：桑德斯微电子器件（南京）有限公司
申请日： 2016-01-13 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明公开了一种高HTRB的高压快恢复二极管芯片及其生产工艺，属于半导体芯片领域。一种高HTRB的高压快恢复二极管芯片，包括芯片、N+截止环、终端结构和P+阳极，所述的芯片为快恢复二极管芯片；芯片截层从右向左依次为芯片、N+截止环、终端结构和P+阳极。采用偏置金属场板场限环和浮动场限环的复合终端结构，在远离P+阳极区域采用偏置金属场板场限环，短路了芯片表面电荷，解决了高压快恢复二极管在HTRB老化中耐压衰减失效问题，在靠近P+阳极区域采用浮动场限环，避免引入多晶场板，从而节省了芯片制造成本。
快恢复二极管芯片场限环芯片阳极金属场板阳极区域终端结构截止环偏置生产工艺浮动快恢复二极管半导体芯片二极管多晶场板复合终端击穿电压开关损耗失效问题芯片表面芯片制造电荷低成本漏电流短路耐压衰减老化引入

[实用新型]一种高HTRB的高压快恢复二极管芯片-CN201620032556.3有效
发明人：孙澜;刘韵吉;杨敏红;单慧 -专利权人：桑德斯微电子器件（南京）有限公司
申请日： 2016-01-13 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高HTRB的高压快恢复二极管芯片，属于半导体芯片领域。一种高HTRB的高压快恢复二极管芯片，包括芯片、N+截止环、终端结构和P+阳极，所述的芯片为快恢复二极管芯片；芯片截层从右向左依次为芯片、N+截止环、终端结构和P+阳极。采用偏置金属场板场限环和浮动场限环的复合终端结构，在远离P+阳极区域采用偏置金属场板场限环，短路了芯片表面电荷，解决了高压快恢复二极管在HTRB老化中耐压衰减失效问题，在靠近P+阳极区域采用浮动场限环，避免引入多晶场板，从而节省了芯片制造成本。
一种 htrb 高压恢复二极管芯片

[实用新型]具有相位锁定功能的时钟电路-CN201320510744.9有效
发明人：胡钢;邱昆 -专利权人：成都成电光信科技有限责任公司
申请日： 2013-08-21 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H03L7/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了具有相位锁定功能的时钟电路，包括中央处理器、锁相环芯片、电平位移电路、第一参考时钟芯片、第二参考时钟芯片和现场可编程门阵列FPGA，所述的锁相环芯片、第二参考时钟芯片和现场可编程门阵列FPGA均与中央处理器连接；所述的第一参考时钟芯片连接电平位移电路；所述的电平位移电路还连接锁相环芯片。本实用新型通过上述原理，采用锁相环芯片对时钟信号进行锁相放大，保证时钟信号的稳定性。
具有相位锁定功能时钟电路

[实用新型]一种粘片设备防反极装置-CN201120095794.6无效
发明人：郝保全;李升桦 -专利权人：四川大雁微电子有限公司
申请日： 2011-04-02 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种粘片设备防反极装置，包括设置有微动开关的芯片台、扩片环，所述芯片台上设置有纵向凹槽，微动开关安装于凹槽内；所述扩片环设置于芯片台上，扩片环也设置有与芯片台对应的凹槽，所述扩片环的凹槽宽度大于芯片台的凹槽宽度；本实用新型可在安装芯片后自动检测芯片是否反极，防止芯片反极造成的经济损失，并利于自动化生产，以提高生产人员的工作效率，进一步降低生产成本。
一种设备防反装置

[实用新型]一种信鸽圆筒形电子足环-CN201520107835.7有效
发明人：叶祖勤 -专利权人：叶祖勤
申请日： 2015-02-13 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： A01K35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种信鸽圆筒形电子足环，包括基础环套，所述的基础环套上一端设置有芯片安装槽，芯片安装槽中安装有用来存储信鸽信息的芯片，基础环套外表面上从其另一端开始缠绕有线圈，线圈的两个线头与芯片连接，安装有线圈和芯片的基础环套外依次包裹有编码标识环层和透明材料保护层。通过设置基础环套，并在基础环套上设置相应的读取芯片，实现了对信鸽信息的读取，通过将现有技术中卡合式足环，变成一个整体的基础环套，避免了多次重复拆卸带来的损坏，同时，由于该电子足环带上去后不可以取下，因此避免了信鸽信息的丢失
一种信鸽圆筒电子

[实用新型]一种芯片转置机构-CN202123257125.7有效
发明人：解寿正;刘冬寅;孙露;李君 -专利权人：江苏瑞博光电科技有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型公开了提供了一种芯片转置机构，它由转接盘本体和扩晶环支撑架组成；转接盘本体包括芯片转接放置平台、辅助转动通槽和转环间隙调节误差槽，芯片转接放置平台壁面上开设有卡槽结构，芯片机台环架上开设有与卡槽结构宽度一致的限位凹槽，扩晶环支撑架与转接盘本体为一体成型结构，扩晶环支撑架上开设有半环式旋转槽，扩晶环支撑架上开设有定位条槽，扩晶环支撑架上设有放置扩晶环的环形凸台，将6寸的扩晶环放置于芯片转置机构内，能完成更小尺寸的生产加工
一种芯片机构