专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]利用核自旋单态选择性检测目标物的方法-CN201911249189.7在审
  • 姚叶锋;辛家祥;李毅;魏达秀;王嘉琛 - 华东师范大学
  • 2019-12-09 - 2021-06-25 - G01N24/08
  • 本发明公开了一种利用核自旋单态选择性检测目标物的方法,利用核自旋单态不受脉冲梯度场影响的特点,在制备所述目标物核自旋耦合体系的核自旋单态后,对所述目标物施加脉冲梯度场弥散除目标物核自旋单态以外的其他磁共振信号,并保持所述目标物核自旋单态信号,进而实现对所述目标物核磁信号的选择性检测。本发明所述的利用核自旋单态选择性检测目标物的方法,具有很好地精确度、灵敏度和选择性,能够消除其它物质信号的干扰,准确地从组成成分复杂的体系中检测得到所述目标物分子的信号,在生物学、医学、化学、化工等领域具有重要的应用价值
  • 利用自旋选择性检测目标方法
  • [发明专利]一种自偏置自旋阀器件-CN202310218386.2在审
  • 杨华礼;陈金夏;胡海旭;谢亚丽;李润伟 - 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
  • 2023-03-09 - 2023-07-14 - H10N50/20
  • 本发明公开了一种自偏置自旋阀器件,属于磁电材料领域,本发明提供的自偏置自旋阀器件包括基件和衬底,所述基件包括覆盖层、第一钉扎层、第一被钉扎层、第一隔离层、自由层、第二隔离层、第二被钉扎层、第二钉扎层、缓冲层本发明提供的自偏置自旋阀器件通过调控自旋阀缓冲层的种类、厚度等条件来达到与优化隔离层相同的优化效果以实现自偏置,以此降低自旋阀器件的制备难度,本发明的自偏置自旋阀器件的磁电阻曲线对外磁场的响应呈线性、具有低饱和场、磁场灵敏度高等优势,自由层部分偏向磁场同一侧,满足对自偏置自旋阀器件的要求。
  • 一种偏置自旋器件
  • [发明专利]一种自旋纳米振荡器的控制方法及自旋纳米振荡器-CN202310610815.0在审
  • 邢国忠;王紫崴;王迪;刘明 - 中国科学院微电子研究所
  • 2023-05-26 - 2023-09-29 - H10N50/01
  • 本申请公开一种自旋纳米振荡器的控制方法及自旋纳米振荡器,涉及自旋电子领域。自旋纳米振荡器的控制方法,应用于包括底电极、以及依次设置在所述底电极上的铁磁参考层、铁磁自由层和顶电极的自旋纳米振荡器中,所述控制方法包括:在基于输入电流强度和自振荡状态对应的振荡频率具有的强非线性关系,通过所述自旋纳米振荡器进行储备池计算的过程中,通过调控相关材料工艺参数或压控磁各向异性,调控所述铁磁参考层各向异性倾斜方向;通过调控所述各向异性倾斜方向和/或调控所述输入电流强度完成对所述自旋纳米振荡器对应的振荡频率和
  • 一种自旋纳米振荡器控制方法
  • [发明专利]使用逆自旋霍尔效应的磁传感器-CN201780055834.4有效
  • P·A·凡德赫顿;Q·勒;K·S·霍;X·刘;G·M·巴奥德阿布克尔克 - 西部数据技术公司
  • 2017-09-14 - 2021-09-21 - G01R33/07
  • 本发明公开了一种磁传感器,所述磁传感器基于逆自旋霍尔效应产生信号。所述传感器包括磁性自由层和定位在相邻于所述磁性自由层的非磁性导电自旋霍尔层。电路被配置成供应电流,所述电流在大体垂直于所述层的平面或垂直于由在所述磁性自由层和所述自旋霍尔层之间的界面限定的平面的方向上穿过所述磁性自由层和所述自旋霍尔层。所述逆自旋霍尔效应由于所述电流引起所述自旋霍尔层中的电压,并且所述电压相对于所述磁性自由层的磁化的取向而改变。提供了用于测量在大体垂直于所述电流的方向的方向上所述自旋霍尔层中的所述电压的电路。
  • 使用自旋霍尔效应传感器

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