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[发明专利]具有改良金属布线的半导体器件-CN200610142115.X无效
发明人：齐藤和美 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2006-10-08 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：半导体衬底、层间绝缘膜、钨膜、第一阻挡金属膜、第二阻挡金属膜以及金属布线膜。层间绝缘膜形成在半导体衬底上，并且具有开口。钨膜被嵌入在开口中。第一阻挡金属膜形成在钨膜上，并且不包括Ti膜。第二阻挡金属膜形成在第一阻挡金属膜上，并且是含Ti的膜。金属布线膜形成在第二阻挡金属膜上。
具有改良金属布线半导体器件

[发明专利]透明导电玻璃及其表面电阻降低方法-CN202210166901.2有效
发明人：吴倩颖;顾文灏;赵乐;陈君;周凯;丁洋;卢礼呈 -专利权人：江苏铁锚玻璃股份有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：表面电阻降低方法包括以下步骤：于玻璃的表面形成第一金属膜层；于第一金属膜层的部分区域形成第二金属膜层，第二金属膜层与第一金属膜层的对应区域形成并联电路。透明导电玻璃包括玻璃、第一金属膜层和第二金属膜层，第一金属膜层设置于玻璃的表面，第二金属膜层设置于第一金属膜层的部分区域，第二金属膜层与第一金属膜层的对应区域形成并联电路。本申请通过在第一金属膜层的部分区域设置第二金属膜层，使第二金属膜层与第一金属膜层的对应区域形成并联电路，实现降低第一金属膜层对应区域的表面电阻，如此可以减少镀膜膜层的返工次数，提高镀膜膜层的合格率。
透明导电玻璃及其表面电阻降低方法

[实用新型]一种金属掩膜板-CN202320216814.3有效
发明人：李泽鹏;刘雪;秦晓东;沈毅祥;金光哲 -专利权人：海宁奕诺炜特科技有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种金属掩膜板，包括上层金属掩膜板和下层金属掩膜板，上层金属掩膜板开设有若干引脚孔，上层金属掩膜板部分设置于下层金属掩膜板顶部，上层金属掩膜板与下层金属掩膜板可拆卸固定连接，上层金属掩膜板邻近下层金属掩膜板一侧开设有若干滑槽，下层金属掩膜板相对应滑槽固定有滑块，滑块与滑槽滑动配合，下层金属掩膜板邻近上层金属掩膜板一侧开设有卡槽，上层金属掩膜板相对应卡槽设置有卡块，卡槽与卡块可拆卸固定连接，本实用新型利用上层金属掩膜板开设若干引脚孔可对基板托盘引脚进行固定，下层金属掩膜板与上层金属掩膜板连接，对引脚孔进行遮盖，避免过多材料沉积在基板托盘引脚上且防止材料从引脚孔流至上层金属掩膜板背部。
一种金属掩膜板

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200910204481.7无效
发明人：黑川哲也;户原诚人 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在绝缘膜中形成的沟槽的侧面上和底部上形成金属阻挡膜，所述金属阻挡膜包含添加元素；在所述金属阻挡膜上方形成籽晶膜；使用籽晶膜作为籽晶形成镀层，即Cu膜，以用金属膜填充沟槽；对所述金属阻挡膜和所述金属膜进行退火，由此在其间形成合金层，所述合金层包含构成所述金属阻挡膜的金属、所述添加元素和构成所述金属膜的金属，并且由此使得所述添加元素能够扩散到所述金属膜中。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]等离子显示面板的电极形成方法-CN200510118680.8无效
发明人：铃木和雄;柳原直人;石原安彦;川北哲郎;荣福秀马 -专利权人：富士通日立等离子显示器股份有限公司
申请日： 2005-11-07 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：通过使从层叠膜的最上层算起的1个下层的金属膜的成分扩散到最上层的金属膜中，可稳定地且有效地刻蚀最上层的金属膜。在玻璃基板上至少形成了第2金属膜后，在其上形成第1金属膜，在用刻蚀液刻蚀已被层叠的金属膜以形成层叠膜的电极时，作为第1金属和第2金属，使用具有在将第1金属和第2金属浸于第1金属的刻蚀液中的状态下若使其短路则第1金属的表面电位下降的性质的金属。然后，实施在第1金属膜的形成中或形成后将气氛温度保持为第2金属膜的金属原子扩散到第1金属膜的膜中和膜表面上那样的温度的扩散工序。
等离子显示面板电极形成方法

[发明专利]半导体装置、膜堆叠体以及其制造方法-CN201611257099.9有效
发明人：张耀文;黄建修;蔡正原 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本揭露实施例提供一种半导体装置、膜堆叠体以及其制造方法。所述膜堆叠体包含多个第一含金属膜，以及多个第二含金属膜。所述第一含金属膜与所述第二含金属膜彼此交替堆叠。所述第一含金属膜以及所述第二含金属膜包括相同金属元素以及相同非金属元素，以及在所述第二含金属膜中所述金属元素的浓度大于在所述第二含金属膜中所述非金属元素的浓度。
半导体装置堆叠及其制造方法

[实用新型]一种单边锌铝加厚直角梯形方阻薄膜-CN201720145284.2有效
发明人：林正亮;宣华伟;姚林生 -专利权人：郑州华翔电子信息技术有限公司
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金属化薄膜，具体公开了一种单边锌铝加厚直角梯形方阻薄膜,包括基膜，设置在基膜上的金属膜和留边；金属膜依次包括第一金属膜，第二金属膜，第三加厚膜；第一金属膜是镀锌膜和镀铝膜组成，第二金属膜是镀铝膜；第三加厚膜是加厚铝膜；第一金属膜，第二金属膜和第三加厚膜组成的金属膜呈直角梯形，留边设置在基膜远离加第三厚膜一端。单边锌铝加厚直角梯形方阻薄膜采用基膜与金属膜结合，金属膜呈直角梯形；通过将金属膜设置成直角梯形，使得极板的有效值从留边向加厚膜端逐渐变化，同时呈线性变化；使得薄膜的方阻逐渐变化，用在电容器上使得电容器的电流密度分布均匀
一种单边加厚直角梯形薄膜

[实用新型]仿金属拉丝复合膜及其包装-CN201821412193.1有效
发明人：赵鹏伟;赵佳;洪志强;张良;税菊 -专利权人：杭州顶正包材有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： B65D65/42 文献下载
摘要：本实用新型提供一种仿金属拉丝复合膜及其包装。仿金属拉丝复合膜包括仿金属拉丝膜，仿金属拉丝膜的一侧设有金属色复合层，金属色复合层具有金属颜色的图案，仿金属拉丝膜远离金属色复合层一侧具有多棱角的拉丝纹路，仿金属拉丝膜采用透明材料制成。仿金属拉丝复合膜包装由仿金属拉丝复合膜进行接合后产生空腔而形成。
仿金属拉丝复合膜拉丝膜复合层金属色复合膜包装金属颜色拉丝纹路透明材料接合包装本多棱角空腔图案

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200580021240.9无效
发明人：池田敦;中川秀夫;青井信雄 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-05-20 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置，包括：在衬底(1)上形成的绝缘膜(6)、在绝缘膜(6)中形成的埋入金属布线(10)、以及在绝缘膜(6)与金属布线(10)之间形成的金属阻挡膜(A1)。金属阻挡膜(A1)包括自绝缘膜(6)所在的那一侧朝着金属布线(10)所在的那一侧依次叠层形成的金属氧化物膜(7)、金属化合物膜(8)及金属膜(9)。金属化合物膜(8)的弹性率大于金属氧化物膜(7)的弹性率。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]多层金属膜和电感器部件-CN202010076730.5在审
发明人：笹岛菜美子;今枝大树;大门正美;大谷慎士;须永友博;吉冈由雅 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-01-23 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：本发明提供多层金属膜和电感器部件，提高了金属膜间的贴紧力。多层金属膜配置在具有绝缘性的基底上，该多层金属膜具备：第1金属膜，与上述基底接触，具有导电性；第2金属膜，相对于上述第1金属膜从与上述基底相反侧覆盖上述第1金属膜，具有耐焊锡熔蚀性；以及催化剂层，配置在上述第1金属膜与上述第2金属膜之间，上述催化剂层具有凸部，该凸部向上述第2金属膜侧凸出，进入上述第2金属膜。
多层金属膜电感器部件

[发明专利]一种网状金属膜及其制备工艺及微小型元器件的制备方法-CN202111492035.8在审
发明人：皮保清;韦升聪;石红丽 -专利权人：中山市木林森电子有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明属于金属膜产品技术领域，具体公开一种可用于微小型元器件的金属膜制备工艺，其具体步骤是：(1)选用金属膜本体；(2)在金属膜本体表面进行蚀刻，蚀刻出网状金属膜，所述网状金属膜包括金属膜网和置于金属膜网连接点内若干与所需元器件上芯片尺寸对应的金属膜单元块；(3)去掉金属膜网，保留金属膜单元块。本发明还公开了上述金属膜在微小型元器件中的制备方法。本发明中，由于将金属膜为一次蚀刻成型的成稳定状态的网状金属膜结构，其能有效的避免了常规金属膜工艺中需要载体作为衬底并需要进行激光烧刻或者多次倒膜的问题，极大的提高了工作效率，简化了微小型元器件的制作工序
一种网状金属膜及其制备工艺微小元器件方法

[发明专利]一种金属支撑石墨烯分离膜及其制备方法-CN202110053320.3在审
发明人：卢广锋;王凡;王飞 -专利权人：湖南二零八先进科技有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：本发明涉及石墨烯分离膜技术领域，提出一种金属支撑石墨烯分离膜的制造方法，包括：在金属基底上生长石墨烯膜，形成石墨烯膜‑金属复合结构；在石墨烯膜‑金属复合结构上的石墨烯膜上增加微纳孔；在石墨烯膜‑金属复合结构的金属上贴带微孔的保护膜；腐蚀石墨烯膜‑金属复合结构上的金属侧没有保护膜的金属，使得金属侧形成与保护膜上的预设微孔一致的微孔，使得微孔区域仅有带微纳孔的石墨烯膜。本发明还提出了一种金属支撑石墨烯分离膜，包括：金属基底和石墨烯膜，所述石墨烯膜生长在金属基底上，石墨烯膜具有微纳孔，所述金属基底上具有微孔，所述微孔区域仅有带微纳孔的石墨烯膜。本发明的金属支撑分离膜将粉尘隔离在吸气剂室一侧，消除了激光器件的真空腔受粉尘的影响。
一种金属支撑石墨分离及其制备方法

[发明专利]连接电极及连接电极的制造方法-CN201980062857.7在审
发明人：坂井亮介 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：连接电极具备金属膜(40)、金属膜(50)、混合层(45)及UBM(80)。金属膜(50)形成在金属膜(40)上，UBM(80)形成在金属膜(50)上。混合层(45)是形成金属膜(40)的金属颗粒(P40)与形成金属膜(50)的金属颗粒(P50)混合的层。在沿金属膜(40)及金属膜(50)排列的第一方向观察时，混合层(45)的至少一部分形成在与UBM(80)和金属膜(50)的接合面重叠的第一区域(Re1)。
连接电极制造方法

[发明专利]内串式金属化膜直流高压电容器-CN201310448269.1无效
发明人：曹骏骅;谢兴明 -专利权人：安徽赛福电子有限公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：本发明公开了一种内串式金属化膜直流高压电容器，包括配对金属化膜，所述配对金属化膜包括层叠设置的上膜和下膜，上膜镀设有金属化膜一和金属化膜二，下膜镀设有金属化膜三，所述金属化膜一和所述金属化膜二之间、以及多个所述金属化膜二之间均设置有间隙一，两个或多个所述金属化膜二之间均设置有间隙二，所述间隙一与所述间隙二等宽，所述金属化膜二和所述金属化膜三等宽，且所述间隙一的中线与所述金属化膜三的中线对齐。本发明所述的内串式金属化膜直流高压电容器，具有体积小、耐超高压、低自感、低损耗、低等效串联电阻、可靠性高、长寿命的特点。
内串式金属化直流高压电容器

[实用新型]内串式金属化膜直流高压电容器-CN201320600943.9有效
发明人：曹骏骅;谢兴明 -专利权人：安徽赛福电子有限公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种内串式金属化膜直流高压电容器，包括配对金属化膜，所述配对金属化膜包括层叠设置的上膜和下膜，上膜镀设有金属化膜一和金属化膜二，下膜镀设有金属化膜三，所述金属化膜一和所述金属化膜二之间、以及多个所述金属化膜二之间均设置有间隙一，两个或多个所述金属化膜二之间均设置有间隙二，所述间隙一与所述间隙二等宽，所述金属化膜二和所述金属化膜三等宽，且所述间隙一的中线与所述金属化膜三的中线对齐。本实用新型所述的内串式金属化膜直流高压电容器，具有体积小、耐超高压、低自感、低损耗、低等效串联电阻、可靠性高、长寿命的特点。
内串式金属化直流高压电容器

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