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[发明专利]一种原子层沉积设备、方法以及半导体制造系统-CN202111029417.7在审
发明人：李殷廷;金东盱;项金娟;刘青;李亭亭;杨帅 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开一种原子层沉积设备、方法以及半导体制造系统，涉及半导体器件技术领域，以提供一种可以在对晶圆进行膜层沉积时，使晶圆表面各个区域的膜层厚度相同的原子层沉积设备。该原子层沉积设备，包括处理腔室、喷嘴组件、厚度检测器以及与喷嘴组件和膜层厚度检测器通信的处理器。喷嘴组件位于处理腔室内，与沉积气体源连通，且喷嘴组件与处理腔室内的晶圆相对设置。厚度检测器用于检测晶圆不同区域沉积的膜层厚度，并将晶圆不同区域沉积的膜层厚度发送给控制器。控制器用于根据晶圆不同区域沉积的膜层厚度，控制喷嘴组件向晶圆的不同区域提供不同流量的沉积气体。
一种原子沉积设备方法以及半导体制造系统

[发明专利]膜层、膜层的沉积方法和具有该膜层的薄膜光伏器件-CN200810126720.7有效
发明人：林朝晖;杨与胜;李沅民 -专利权人：福建钧石能源有限公司
申请日： 2008-06-20 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种膜层、膜层的沉积方法和具有该膜层的薄膜光伏器件，所述膜层为透明导电前电极，分多个化学气相沉积步骤沉积。本发明的膜层沉积方法能够使所沉积膜层同时具有所需的多个特性，使透明导电前电极的综合性能得以优化。
沉积方法具有薄膜器件

[发明专利]向膜管表面沉积膜涂层的方法及具有膜涂层的膜管-CN202211262194.3在审
发明人：李晓明;邱景 -专利权人：恒信润丰科技开发（北京）有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： B01D67/00 文献下载
摘要：本申请涉及工业膜过滤技术领域，尤其涉及一种向膜管表面沉积膜涂层的方法及具有膜涂层的膜管，包括：将多根膜管固定至沉积反应室中，并将沉积反应室内的空气排出；向沉积反应室内通入气相新戊二醇，以在膜管上/前一层甲基丙二醇膜上沉积生长出一层新戊二醇膜，将沉积反应室内的气相新戊二醇排出；向沉积反应室内通入甲基丙二醇，以在前一层新戊二醇膜上沉积生长出一层甲基丙二醇膜，将沉积反应室内的气相甲基丙二醇排出；按照预定循环次数，循环沉积生长新戊二醇膜和甲基丙二醇膜，以在膜管的表面沉积生长得到预定厚度的膜涂层。本申请在膜管表面形成过滤精度更高的膜涂层，大幅提高膜过滤的精度，提高过滤效率和适用范围，降低运行能耗及投资。
表面沉积涂层方法具有

[发明专利]制备OLED薄膜封装层的方法、OLED薄膜封装结构及OLED结构-CN201710993392.X有效
发明人：黄静 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种制备OLED薄膜封装层方法，包括步骤：在设置有OLED器件的基板上沉积第一无机材料膜层，所述第一无机材料膜层完全覆盖所述OLED器件；在所述第一无机材料膜层上通过等离子体增强化学气相沉积法工艺沉积第一有机材料膜层；在所述第一有机材料膜层上通过喷墨打印工艺沉积第二有机材料膜层；在所述第二有机材料膜层上沉积第二无机材料膜层。实施本发明实施例，可以减小OLED薄膜封装层的厚度。
制备 oled 薄膜封装方法结构

[发明专利]一种制备多层浮雕结构复合膜层的方法-CN200910243533.1有效
发明人：罗先刚;王长涛;冯沁;刘凯鹏;刘玲;潘丽;刘尧;邢卉;方亮 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2009-12-25 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种制备多层浮雕结构复合膜层的方法，其特征在于：在掩模上加工出可供沉积粒子通过的狭缝；在膜料沉积过程中移动掩模狭缝，使沉积区域在基片上移动；通过控制基片各个区域的沉积时间来控制各区域沉积的膜厚，从而对膜层的厚度分布进行调制；在基底的同一区域连续沉积多层不同膜料和厚度分布的膜层，从而得到多层浮雕结构的复合膜层。
一种制备多层浮雕结构复合方法

[发明专利]一种多层氮化硅减反膜太阳能电池制作方法-CN201210312764.5无效
发明人：范志东;王静;张东升;赵学玲;吝占胜;李倩;田世雄 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-08-29 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层氮化硅减反膜太阳能电池制作方法，包括：提供一待处理硅片；在所述硅片受光面上依次沉积至少两层氮化硅减反膜；其中，沉积减反膜时，当硅烷与氨气混合均匀后再对气体等离子化，进行减反膜沉积；在沉积下一层减反膜之前对反应室进行抽真空处理本发明所述技术方案在沉积减反膜时，使得硅烷与氨气混合均匀后再对气体等离子化，从而使得制备的减反膜的均匀性较好；且在形成下一层减反膜之前对反应室进行抽真空处理，避免上次沉积时反应残留的气体对当前要沉积的减反膜层的反应气体浓度造成影响，精确控制当前沉积减反膜层所需反应气体的浓度，从而精确控制当前要沉积的减反膜的厚度。
一种多层氮化硅减反膜太阳能电池制作方法

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN200410004414.8有效
发明人：贺茂尚广;糸贺敏彦;海东拓生;大仓理 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2004-02-19 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：本发明提供一种显示装置，能避免在薄膜晶体管中其绝缘膜对于多晶硅层的界面的能级变高，并且，可以避免该绝缘膜中的固定电荷增多。该显示装置是一种在绝缘基板上具备薄膜晶体管的显示装置。上述薄膜晶体管具有半导体层、栅极电极、在上述半导体层和栅极电极之间设置的栅极绝缘膜。上述栅极绝缘膜，至少具有1层由沉积法沉积的沉积膜。与上述半导体层之间不存在由沉积法沉积的其他的沉积膜地形成的一个沉积膜中的碳浓度，具有靠近上述半导体层的一侧比远离上述半导体层的一侧更小的分布。
显示装置及其制造方法

[发明专利]一种金属复合膜及其制作工艺-CN201811637690.6在审
发明人：朱磊;张石亮 -专利权人：安徽立光电子材料股份有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属复合膜及其制作工艺，一种金属复合膜，用于沉积在ITO膜层上，ITO膜层沉积在玻璃基板上，ITO膜层对称沉积在玻璃基板的两面外，金属复合膜对称沉积在两ITO膜层外，包括铜金属膜层和镍铜金属膜层本发明的有益效果在于：1）该发明的为双面结构，并可一次成型完成双面ITO及双面复合金属膜的沉积，制作效率高，成品质量好，具有广阔的市场前景；2）金属复合膜包括铜金属膜层和镍铜金属膜层，可满足金属复合膜的特性，同时具备优异的导电性及抗氧化性；3）ITO膜层采用高温制程，中间增加过渡区间，金属膜采用低温制程。
金属复合膜沉积铜金属膜层玻璃基板金属膜层制作工艺金属膜镍铜制程对称导电性过渡区间抗氧化性双面复合双面结构一次成型制作

[发明专利]浅沟隔离结构的化学机械研磨制程-CN200710171789.7无效
发明人：李健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-05 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：在STI以及AA上沉积氧化膜层的过程中，先后采用不同的制程沉积两层氧化膜层，下层是软氧化膜层，上层是硬氧化膜层。由于采用了不同的沉积制程，因此所沉积的软氧化膜层和硬氧化膜层对于STI-CMP具有不同的消除速率，通过不同的消除速率，来减小最终的STI与AA之间的台阶高度。
隔离结构化学机械研磨

[发明专利]一种原子层沉积设备及其使用方法-CN201110300843.X有效
发明人：王燕;李勇滔;夏洋;赵章琰;石莎莉 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种原子层沉积设备。所述原子层沉积设备，包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件、控制部件和沉积室；所述沉积室内设有膜厚测量模块，所述膜厚测量模块与所述控制部件电连接。本发明还提供一种原子层沉积设备的使用方法。本发明通过采用沉积时间和膜层厚度测量模块，提高了原子层沉积设备的膜厚控制能力，减少设备故障，使得加工出的膜层更加接近所需厚度，有效降低膜层厚度漂移，提高了设备的利用率，且能够满足半导体加工越来越精细化的要求
一种原子沉积设备及其使用方法

[发明专利]阳光控制涂层-CN03803637.1有效
发明人：詹姆斯·J·芬利;詹姆斯·P·蒂尔;哈里·布海 -专利权人： PPG工业俄亥俄公司
申请日： 2003-02-11 - 公布日： 2005-07-06 - 主分类号： B32B17/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种涂层，该涂层具有第一抗反射层(16)，例如包含金属氧化物膜(22)，例如，氧化锌膜，沉积在金属合金氧化物膜(20)上，例如，锡酸锌膜；沉积于所述第一抗反射层上、包含银的第一红外反射金属膜(24)；沉积于所述红外反射金属膜上的第二抗红外反射层(30)，包含第一氧化物膜(34)，例如，氧化锌膜，沉积于所述第一氧化物膜上的金属合金氧化物膜(34)，例如，锡酸锌膜，以及沉积在所述锡酸锌膜上的第二金属氧化物膜(36)，例如，另一层氧化锌膜；沉积于所述第二抗反射层上包含银的第二红外反射金属膜(40)；沉积于所述第二红外反射金属膜上的第三抗反射层(46)，包含第一氧化物膜(48)，例如氧化锌膜，沉积于所述第一氧化锌膜上的金属合金氧化物膜，例如锡酸锌膜(50)，沉积于所述锡酸锌膜上的第二金属氧化物膜(52)，例如氧化锌膜；和沉积在所述第三抗反射层上包含银的第三红外反射金属膜(58)。
阳光控制涂层

[发明专利]用于膜层沉积装置的气体注入管及膜层沉积装置-CN201810883913.0在审
发明人：郭帅 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种用于膜层沉积装置的气体注入管及膜层沉积装置。所述用于膜层沉积装置的气体注入管，包括位于所述气体注入管侧壁上并沿轴向方向间隔排列的多个进气孔，所述多个进气孔的孔径沿所述轴向方向渐变，以提高所述膜层沉积装置内气体分布的均匀性。本发明减小了膜层沉积装置内位于不同位置的晶圆表面生长的膜层厚度差异性，改善了3D NAND存储器的性能。
膜层沉积气体注入管轴向方向进气孔半导体制造技术厚度差异间隔排列晶圆表面气体分布均匀性渐变侧壁减小膜层生长

[实用新型]用于膜层沉积装置的气体注入管及膜层沉积装置-CN201821262692.7有效
发明人：郭帅 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种用于膜层沉积装置的气体注入管及膜层沉积装置。所述用于膜层沉积装置的气体注入管，包括位于所述气体注入管侧壁上并沿轴向方向间隔排列的多个进气孔，所述多个进气孔的孔径沿所述轴向方向渐变，以提高所述膜层沉积装置内气体分布的均匀性。本实用新型减小了膜层沉积装置内位于不同位置的晶圆表面生长的膜层厚度差异性，改善了3D NAND存储器的性能。
膜层沉积气体注入管本实用新型轴向方向进气孔半导体制造技术厚度差异间隔排列晶圆表面气体分布均匀性渐变侧壁减小膜层生长

[发明专利]一种P型晶硅双面电池退火增强背钝化方法-CN202210286211.0在审
发明人：杨飞飞;张波;鲁贵林;赵科巍;吕爱武;张云鹏;申开愉 -专利权人：山西潞安太阳能科技有限责任公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种P型晶硅双面电池退火增强背钝化方法，按如下步骤进行步骤一、第一次SiON膜层沉积+第一次退火，步骤二、第二次SiON膜层沉积+第二次退火，步骤三、第二次SiON膜层沉积+第三次退火，步骤四、SiN膜层沉积构，SiN膜层采用三层沉积，步骤五、第四次退火。本发明将SiON膜层进行合理的拆分，并与退火工艺拼接，可减少SiON膜层过厚时内部缺陷。
一种型晶硅双面电池退火增强钝化方法

[发明专利]防紫外线镜片结构及其制备方法-CN201610327696.8在审
发明人：刘锋 -专利权人：江苏淘镜有限公司
申请日： 2016-05-17 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： G02C7/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种防紫外线镜片结构及其制备方法，镜片本体的后表面上沉积有一层后表面加硬防刮层，后表面加硬防刮层上沉积有后表面减反射膜层，后表面减反射膜层上沉积有一层后表面超防水膜层，后表面超防水膜层上沉积有一层后表面金属氧化膜层，后表面金属氧化膜层上沉积有一层防污防腐油的后表面氟化物膜层；后表面减反射膜层为多层透明薄膜组合而成，调整各层膜的厚度以及制备工艺，可以实现后表面减反射膜层具有透过和吸收紫外线作用，从而使得镜片具有高透过率、防油污、防水和防紫外线的作用；该制备方法能有效保障各层膜的沉积质量，极大地提高镜片的合格率，使镜片的两面都具有优异的防油污、防水和防紫外线的功效，并具有很好的光滑性。
紫外线镜片结构及其制备方法