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[发明专利]一种基于石墨烯复合结构的三维硅通孔垂直互联方法-CN201710899647.6有效
发明人：陆向宁;刘凡;何贞志;宿磊;樊梦莹 -专利权人：江苏师范大学
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于石墨烯复合结构的三维硅通孔垂直互联方法，在硅基片上制作硅孔；在硅基片表面及硅孔内壁沉积绝缘层；在绝缘层上沉积阻挡层，在阻挡层上沉积催化金属层；在催化金属层表面生长石墨烯复合结构层；在硅基片上的石墨烯复合结构层表面贴干膜，曝光、显影形成干膜层；在硅孔底面和干膜层表面上沉积种子层；在硅孔内填充导电材料。本发明在硅基片上开孔然后先后沉积绝缘层、阻挡层、催化金属层，再生长石墨烯复合结构层，贴干膜，沉积种子层后填充导电材料，利用石墨烯材料良好的热力学、机械和材料特性，以解决3D TSV结构的高频信号电磁耦合串扰问题
一种基于石墨复合结构三维硅通孔垂直方法

[发明专利]一种用于水处理无机膜的表面光催化改性的方法-CN201510505311.8在审
发明人：田禹;詹巍;李宁;张军;孔令超 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-08-17 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： C02F1/30 文献下载
摘要：一种用于水处理无机膜的表面光催化改性的方法，本发明涉及一种无机膜的表面光催化改性的方法，它为了解决现有无机膜在水处理过程中易受膜污染影响、膜孔易堵塞，没有光催化性能的问题。无机膜的表面光催化改性方法：一、无机膜放于反应腔中，对无机膜及反应腔腔体进行预热；二、预处理后的无机膜的表面依次进行Ti源沉积、O源沉积、Ti源沉积、N源掺杂沉积、Zn源沉积、O源沉积、Zn源沉积和N源掺杂进行多原子层的沉积，得到用于水处理的光催化改性无机膜。本发明通过原子层沉积法形成具有氮掺杂的多组分复合光催化沉积薄膜，具有较好的抵抗膜污染能力，光催化降解亚甲基蓝有机染料的去除率高达95％。
一种用于水处理无机表面光催化改性方法

[发明专利]着金属色的非导电转移膜-CN201280005267.9有效
发明人：张东植;李承勋 -专利权人：乐金华奥斯株式会社
申请日： 2012-01-11 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： B41M5/32 文献下载
摘要：公开了一种被转移至注射模塑产品的转移膜。该转移膜包括：保护层；印刷层，堆叠在所述保护层上；金属沉积层，沉积在所述印刷层上，从而具有岛状结构，进而提供非导电属性；以及，粘结层，沉积在所述金属沉积层上，从而提供金属色和非导电属性。
金属色导电转移

[发明专利]利用镍铁合金一步电解沉积制备超疏水膜层的方法-CN202210370825.7在审
发明人：赵玉祥;李武;张波;钱玉龙;张世鹏;崔瑞芝;梁建;曹禺 -专利权人：中国科学院青海盐湖研究所
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C25D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用镍铁合金一步电解沉积制备超疏水膜层的方法。所述方法包括：使作为阳极的镍铁合金、作为阴极的金属基底、电解液共同构建电化学反应体系，其中，所述电解液为酸性溶液；向所述电化学反应体系通电进行电解反应，镍铁合金的溶解与金属氢氧化物膜层的沉积同时进行，从而在阴极表面电沉积得到金属氢氧化物膜层；对所述金属氢氧化物膜层进行超疏水修饰，制得超疏水膜层。本发明提供的方法直接以阳极合金电溶的金属离子作为阴极沉积膜层的原料，阳极溶解与阴极沉积同时进行，可一步完成合金的溶解与膜层的沉积，不需配制电解液，具有步骤简单、快速和低成本等优点，适用性广，在实际应用中具有较好前景
利用铁合金一步电解沉积制备疏水方法

[实用新型]一种透明导电膜玻璃-CN201020623251.2有效
发明人：董清世;黄华义 -专利权人：信义玻璃工程(东莞)有限公司
申请日： 2010-11-24 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本实用新型提供一种透明导电膜玻璃，其包括：浮法玻璃基片刻蚀后形成带有凹坑的玻璃基片或带有凹坑的压花玻璃，在所述有凹坑的玻璃基片或带有凹坑的压花玻璃的表面沉积有氧化硅膜阻挡层，在所述氧化硅膜阻挡层上沉积有透明导电膜层本实用新型提供的透明导电膜玻璃通过在导电膜层与玻璃表面之间沉积有氧化硅膜阻挡层，从而使导电膜层的膜层厚度均匀、导电性能保持稳定、同时方便产品的后续加工。
一种透明导电玻璃

[发明专利]MTJ膜及其制造方法-CN201210025061.4无效
发明人：森馨;刈屋田英嗣;末光克巳;大岛则和 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-02-06 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供一种MTJ膜及其制造方法。用于制造MTJ膜的方法包括形成第一铁磁层；在该第一铁磁层上形成隧道势垒层；以及在该隧道势垒层上形成第二铁磁层。第一铁磁层是具有垂直磁各向异性的Co/Ni堆叠膜。用于形成隧道势垒层的步骤包括将单位膜形成处理重复n次(n是2或更大的整数)。该单位膜形成处理包括步骤：通过溅射法沉积Mg膜；以及氧化沉积的Mg膜。在第一次单位膜形成处理中沉积的Mg膜的膜厚度是0.3nm或更大且是0.5nm或更小。在第二次单位膜形成处理或之后的处理中沉积的Mg膜的膜厚度是0.1nm或更大且是0.45nm或更小。
mtj 及其制造方法

[发明专利]一种嵌入式闪存结构的形成方法-CN201811198894.4有效
发明人：江红;王哲献 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明涉及一种嵌入式闪存结构的形成方法，包括以下步骤：提供衬底，衬底上包括存储区和逻辑区；在存储区和逻辑区沉积第一浮栅堆叠层，第一浮栅堆叠层包括依次沉积的隧穿氧化层、第一浮栅层和第一掩膜层；同时去除存储区和逻辑区的第一掩膜层；在存储区和逻辑区沉积第二浮栅堆叠层；去除逻辑区上隧穿氧化层以上的所有沉积层；沉积第二掩膜层至存储区和逻辑区；在存储区的第二掩膜层中形成凹槽，在凹槽内形成闪存器件结构。本申请中通过采用一次湿法刻蚀就同时去除存储区和逻辑区的第二掩膜层，减少了去除所述逻辑区所有沉积层所使用的光刻步骤。本发明减少了嵌入式闪存结构的形成方法的工艺步骤，也节约了成本。
一种嵌入式闪存结构形成方法

[发明专利]一种烧结钕铁硼磁体表面功能膜层及其制备方法-CN201911401802.2在审
发明人：段永利;邓文宇;齐丽君;孙宝玉 -专利权人：沈阳中北通磁科技股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开一种烧结钕铁硼磁体表面功能膜层及其制备方法，包括磁体预处理工艺、磁体沉积前处理以及物理气相沉积法制备功能膜层。该功能膜层是以Al2O3层和TiN层为周期的多周期复合膜层，该功能膜层同时具有15GPa以上的硬度、良好的腐蚀防护性能和抗氧化性能与此同时通过层和TiN层的交替沉积，避免形成贯穿单层薄膜的针孔、通孔和微裂纹等组织缺陷的出现，较好地解决了传统单层薄膜厚度难以控制的缺陷，并通过Al2O膜交替沉积，多周期组合的形式，减少了膜层内应力，增强了膜基结合力。通过在钕铁硼表面沉积功能膜层扩展了钕铁硼在高湿热及酸碱环境下的应用领域。
一种烧结钕铁硼磁体表面功能及其制备方法

[发明专利]基于多层膜沉积工艺的亚纳米级线宽标准样片的制备方法-CN202010449781.8在审
发明人：冯亚南;韩志国;李锁印;梁法国;田秀伟;张晓东;赵琳;许晓青;吴爱华 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于多层膜沉积工艺的亚纳米级线宽标准样片的制备方法，属于微纳米测量仪器计量技术领域，包括：在第一硅晶圆片上自下至上依次沉积刻蚀膜层、线宽介质膜层和刻蚀膜层，制备多层膜沉积样片，其中，线宽介质膜层的厚度小于50nm；刻蚀膜层和线宽介质膜层为具有高刻蚀选择比的配对材料；在多层膜沉积样片上结合第二硅晶圆片；按矩形阵列划分为若干划片单元；将划片单元旋转90°，采用研磨工艺，对划片单元的上下两个截面研磨和抛光；采用刻蚀工艺，对两层刻蚀膜层进行刻蚀，保留线宽介质膜层，制得亚纳米级线宽标准样片。本发明提供的基于多层膜沉积工艺的亚纳米级线宽标准样片的制备方法，能够提高线宽的制作精度。
基于多层沉积工艺纳米级线宽标准样片制备方法

[发明专利]形成有机层的装置以及使用其制造有机发光显示器的方法-CN201310350084.7在审
发明人：李相雨;韩洁;沈橞娟;金孝妍;李欣承;宋河珍;尹智焕 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2013-08-13 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：提供了一种形成有机层的装置以及使用该形成有机层的装置制造有机发光显示器的方法。所述有机层形成装置包括被构造为提供供体膜的供体膜供应部件。供体膜包括基体基板、设置在基体基板上的转移层和设置在转移层上的保护膜。所述装置还包括：保护膜撤回部件，被构造为从供体膜去除保护膜；转移印刷工艺部件，被构造为将供体膜的转移层转移到转移基板上以形成第一有机层；第一沉积部件，被构造为通过第一沉积工艺在转移基板上形成第二有机层；第二沉积部件，被构造为通过第二沉积工艺在转移基板上形成第三有机层；以及供体膜撤回部件，被构造为撤回供体膜。
形成有机装置以及使用制造发光显示器方法

[发明专利]一种硅异质结太阳能电池及其界面处理方法-CN201510846344.9有效
发明人：李立伟;谷士斌;何延如;张林;张娟;徐湛;杨荣;孟原;郭铁 -专利权人：新奥光伏能源有限公司
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅异质结太阳能电池及其界面处理的方法，改进了异质结太阳能电池的界面处理方法，在沉积氢化非晶硅n膜层或氢化非晶硅p膜层前，对传送到其沉积腔室的氢化非晶硅i膜层进行氢等离子体界面处理，清除氢化非晶硅i膜层在沉积传送过程中再次产生的沾污，保证氢化非晶硅i膜层膜层与氢化非晶硅p膜层之间的界面以及氢化非晶硅i膜层膜层与氢化非晶硅n膜层之间的界面性能，提高电池性能。
一种硅异质结太阳能电池及其界面处理方法

[发明专利]一种中红外透过滤光片及其制备方法-CN202010506374.6有效
发明人：陆张武;徐征驰;王迎;李恭剑 -专利权人：浙江晶驰光电科技有限公司
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G02B5/28 文献下载
摘要：滤光片包括玻璃基底、设于玻璃基底一侧的窄带通膜系、以及设于玻璃基底另一侧的长波通膜系；窄带通膜系包括逐层交替沉积的氢氧化硅/氮氢化硅膜层和氧化硅膜层；长波通膜系包括逐层交替沉积的氢氧化硅/氮氢化硅膜层和氧化硅膜层方法包括：采用磁控溅射方法在玻璃基底一侧沉积上述窄带通膜系并在玻璃基底另一侧沉积上述长波通膜系。
一种红外透过滤光及其制备方法

[发明专利]一种通过多次成膜提升电容的阵列基板的制造方法-CN202310348235.9在审
发明人：陈伟;卢盼 -专利权人：华映科技（集团）股份有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种通过多次成膜提升电容的阵列基板的制造方法，包括：依序在玻璃基板上图案化形成第一金属层；沉积一层第一绝缘层；沉积一层IGZO有源层，并图案化；在图案化后的IGZO有源层上沉积第二金属层；在第二金属层上沉积第二绝缘层，作为钝化绝缘层；并采用增加开孔位置的第二绝缘层光罩进行曝光显影，干蚀刻出孔；在第一次成膜的第二绝缘层上沉积像素电极层，并进行图案化；对第二绝缘层进行第二次成膜；在第二次成膜的第二绝缘层上沉积一层公共电极层本发明的方法增加现有的第二绝缘层光罩开孔位置，不增加光罩情况下，第二绝缘层分两次成膜，解决了现有产品的a‑Si半导体层转IGZO半导体层的有效转换问题。
一种通过多次提升电容阵列制造方法

[发明专利]电致发光器件及其制备方法-CN201811540228.4有效
发明人：张孟;李霞 -专利权人：嘉兴纳鼎光电科技有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种电致发光器件的制备方法，包括：通过雾化沉积的方式制备空穴传输层、量子点发光层及电子传输层中的任意一种或多种，其中，制备空穴传输层具体包括：将空穴传输层墨水雾化后，通过沉积方式经掩模版沉积后，固化成膜；制备量子点发光层具体包括：将量子点墨水雾化后，通过沉积方式经掩模版沉积后，固化成膜；制备电子传输层具体包括：将电子传输层墨水雾化后，通过沉积方式经掩模版沉积后，固化成膜。本发明的电致发光器件的制备方法，利用雾化沉积方式制备空穴传输层、量子点发光层及电子传输层中的任意一种或多种，与掩模版相配合来实现空穴传输层、量子点发光层及电子传输层的像素化，实现高像素显示，像素可达1000PPI
电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种栅极、薄膜晶体管的制作方法和显示面板-CN202010752766.0在审
发明人：卓恩宗;夏玉明;李伟 -专利权人：北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请公开了一种栅极、薄膜晶体管的制作方法和显示面板，包括步骤：在衬底上利用物理气相沉积铝金属膜；在铝金属膜上方利用原子层沉积钼金属膜；蚀刻铝金属膜和钼金属膜以形成预设图案的栅极；通过两种不同的方法分别制成两层不同的铝金属膜和钼金属膜作为栅极，所述铝采用物理气相沉积，成膜均匀致密，提高电子的迁移率，增强导电率，所述钼采用原子层沉积技术制成，钼金属膜阶梯覆盖率，沉积的密度均匀，使得导电性较强，同时钼金属膜表面平坦，致密度和平整度较强，对后续制程不会造成残留，提高钼金属膜的界面特性，同时，若用原子层沉积技术制作铝金属膜，所需的时间较长，分开不同的技术方法制程，避免影响产能。
一种栅极薄膜晶体管制作方法显示面板

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