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[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN201280026610.8无效
发明人：舛冈富士雄;原田望;中村広记;李翔;王新朋;陈智贤;阿席特·拉玛昌德拉·卡玛斯;拿伐布·星 -专利权人：新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司
申请日： 2012-06-08 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：半导体装置的制造方法包括：第1步骤，形成平面状硅层，并于所述平面状硅层上形成第1柱状硅层与第2柱状硅层；第2步骤，于所述第1柱状硅层与所述第2柱状硅层的周围形成栅极绝缘膜，于所述栅极绝缘膜的周围使金属膜及多晶硅膜成膜，所述多晶硅膜的膜厚薄于所述第1柱状硅层与所述第2柱状硅层之间的间隔的一半，形成用于形成栅极配线的第3抗蚀剂，以形成所述栅极配线；以及第3步骤，堆积第4抗蚀剂，使所述第1柱状硅层与所述第2柱状硅层上部侧壁的所述多晶硅膜露出，藉由蚀刻来去除露出的所述多晶硅膜，剥离所述第4抗蚀剂，藉由蚀刻来去除所述金属膜，从而形成连接于所述栅极配线的第1栅极电极与第2栅极电极。
半导体装置制造方法以及

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202111338049.4在审
发明人：松本悟 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：在半导体衬底上形成绝缘膜GF1，并且在绝缘膜GF1上形成硅膜PS1。去除晶体管形成区1C中的硅膜PS1和绝缘膜GF1，并且留下晶体管形成区1B中的硅膜PS1和绝缘膜GF1。在晶体管形成区1C中的半导体衬底上形成绝缘膜GF2。在绝缘膜GF2和硅膜PS1上形成含Hf膜HA，并且在含Hf膜HA上形成硅膜PS2。然后，通过图案化硅膜PS2来形成栅极电极GE2，并且通过图案化硅膜PS1来形成栅极电极GE1。栅极电极GE下方的栅极绝缘膜TF1由绝缘膜GF1形成，并且栅极电极GE2下方的栅极绝缘膜TF2由绝缘膜GF2和含Hf膜HA形成。
制造半导体器件方法

[发明专利]一种避免栅极多晶硅刻蚀凹痕缺陷的方法-CN201710078923.2有效
发明人：曹子贵 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供了一种避免栅极多晶硅刻蚀凹痕缺陷的方法，包括：第一步骤：在多晶硅层上形成第一硬掩膜组分层，其中第一硬掩膜组分层是用于刻蚀多晶硅层的硬掩膜的一个组成部分，而且第一硬掩膜组分层具有第一厚度；第二步骤：在所述第一层上形成第二硬掩膜组分层，其中第二硬掩膜组分层是用于刻蚀多晶硅层的硬掩膜的另一个组成部分，而且第二硬掩膜组分层具有第二厚度，其中根据第一厚度来设置第二厚度。在根据本发明的避免栅极多晶硅刻蚀凹痕缺陷的方法中，通过根据多晶硅层上的硬掩膜中的氧化物层的厚度来动态调节多晶硅层上的硬掩膜中的第二层的厚度，可以在无需进行工艺操作改变的情况下有效地避免栅极多晶硅刻蚀凹痕缺陷
一种避免栅极多晶刻蚀凹痕缺陷方法

[发明专利]多晶型太阳能电池面板及其制造方法-CN201180016052.2无效
发明人：中山一郎;山西齐;大井户良久;上木原伸幸;奥村智洋 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明的目的在于通过简便地形成具有PN结的多晶硅膜而提供低成本的多晶型硅太阳能电池。具体来说，对使用含掺杂剂硅靶材进行溅镀成膜而得的非晶硅膜，利用等离子体进行多晶化，且在该膜上形成PN结，从而形成具有PN结的多晶硅膜，将其作为多晶型硅太阳能电池的硅基板。此外，本发明提供一种从硅晶锭获得含掺杂剂硅靶材的方法。
多晶太阳能电池面板及其制造方法

[发明专利]高转化效率抗PID晶体硅太阳能电池及其制造方法-CN201410274668.5有效
发明人：张良 -专利权人：镇江大全太阳能有限公司
申请日： 2014-06-18 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及晶体硅太阳能电池制造技术，具体是一种高转化效率抗PID晶体硅太阳能电池及其制造方法。该高转化效率抗PID晶体硅太阳能电池包括有硅衬底、沉积在硅衬底上的氧化硅膜层、沉积在氧化硅膜层上的一层或多层氮化硅膜层、沉积在氮化硅膜层上的氮氧化硅膜层；所述氧化硅膜层的膜厚为1‑10nm；所述一层或多层氮化硅膜层的总厚度为60nm‑100nm、折射率为2.0‑2.4；所述氮氧化硅膜层的膜厚为10nm‑150nm、折射率为1.5‑2.0。本发明能够提高晶体硅太阳能电池的转化效率，并且也具有抗PID的作用。
转化效率 pid 晶体太阳能电池及其制造方法

[发明专利]半导体基板的制造方法、SOI晶圆的制造方法及SOI晶圆-CN202110442064.7在审
发明人：曲伟峰;井川静男;砂川健 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种可在单晶硅基板上形成低缺陷、高结晶性、厚膜的SiC单晶膜的半导体基板的制造方法。所述半导体基板的制造方法为表面具有SiC单晶膜的半导体基板的制造方法，其包括：使碳附着于单晶硅基板的表面的工序；使附着了所述碳的所述单晶硅基板的表面碳化而形成SiC单晶底层膜的工序；在所述SiC单晶底层膜上形成非晶硅膜的工序；以所述SiC单晶底层膜为晶种，通过固相生长将所述非晶硅膜制成SiC单晶膜的工序。
半导体制造方法 soi 晶圆

[发明专利]软支撑桥式硅微压电超声换能器芯片及其制备方法-CN200910078945.4无效
发明人：李俊红;汪承灏;刘梦伟;徐联 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2009-03-02 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L41/083 文献下载
摘要：一种软支撑桥式硅微压电超声换能器芯片，其包括：中心设上小下大方锥形孔的硅基片；其正面依次覆有硅层和第一氧化层，背面覆有第二氧化层；硅基片正面方孔之上对应的硅层和第一氧化层构成为方形振动膜，方形振动膜的一对对边分别刻蚀一条贯穿方形振动膜的垂向狭缝，狭缝的垂向投影位于硅基片正面上方孔边缘内侧；依次沉积于方形振动膜上的下电极、压电膜和上电极；沉积于硅基片正面上各部件之上的聚酰亚胺膜；刻蚀有垂向狭缝的方形振动膜和聚酰亚胺膜共同构成软支撑防声漏桥式振动膜；本发明将防声漏桥式结构用于换能器的振动膜中，为避免通过狭缝发生漏声，在狭缝上面沉积软质聚酰亚胺膜，对振动膜振动影响不大，还能保持高的灵敏度。
支撑桥式硅微压电超声换能器芯片及其制备方法

[发明专利]一种降低碳硅接触电阻的方法-CN202010723152.X在审
发明人：秦臻;王沛远;杨克蒋;朱景兵;施正荣 -专利权人：浙江海晫新能源科技有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01M8/0228 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低碳硅接触电阻的方法，包括硅板，通过如下工艺来降低硅板和碳膜之间的接触电阻；工艺包括如下操作步骤：S10)、准备硅板，硅板采用掺杂导电的晶体硅材料制成；S20)、在硅板上通过沉积工艺得到过渡沉积膜和碳沉积膜，过渡沉积膜和碳沉积膜通过单独沉积工艺分别成型得到或通过单次沉积工艺一次成型得到；本发明通过设置过渡沉积膜的结构设计，使得硅板和碳沉积膜之间的接触电阻得到显著降低。
一种降低接触电阻方法

[实用新型]一种硅晶圆片贴膜机构-CN201921802966.1有效
发明人：陆宁宁 -专利权人：上海幂帆电子科技有限公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅晶圆片贴膜机构，包括主体运动总成机构，所述主体运动总成机构上安装有硅晶圆片放置卡盘机构，所述硅晶圆片放置卡盘机构上侧设有切膜罩壳机构，所述切膜罩壳机构安装于主体运动总成机构上。本装置可根据硅晶圆片尺寸大小更换定位摆放的卡盘，以适应多种产品，特殊设计结构让硅晶圆片也卡盘贴合更好，贴膜效果更好。
一种硅晶圆片贴膜机构

[发明专利]层合体及其制造方法-CN201080032100.2有效
发明人：高木斗志彦;福本晴彦 -专利权人：三井化学株式会社
申请日： 2010-07-12 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：根据本发明，提供一种层合体及其制造方法，所述层合体包括基材和形成于上述基材上的含硅膜，上述含硅膜具有由硅原子和氮原子形成的、或者由硅原子、氮原子和氧原子形成的氮高浓度区域，上述氮高浓度区域如下形成：在实质上不含氧或水蒸气的气氛下，对形成于基材上的聚硅氮烷膜进行能量线照射，将该膜的至少一部分改性。
合体及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN200310102357.2有效
发明人：山上朗;关野聪 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-10-27 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：一种用于制造半导体器件的方法，包括如下步骤：在硅衬底10上形成多晶硅膜32；在用于电阻元件形成于其中的多晶硅膜32区域中注入掺杂物；图案化多晶硅膜32以由被注入掺杂物的多晶硅膜32形成电阻元件46，并且由未被注入掺杂物的多晶硅膜因此，电阻元件可以形成，同时抑制对与电阻元件同时形成于同一衬底上的晶体管特性的影响。
制造半导体器件方法

[发明专利]在基板上形成减反射膜的方法、太阳能电池片及制备方法-CN201010616540.4有效
发明人：白志民 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了在基板上形成减反射膜的方法，太阳能电池片及其制备方法，所述在基板上形成减反射膜的方法包括以下步骤：1)在晶硅基板的正面上形成第一减反射膜；和2)在所述晶硅基板的背面上形成第二减反射膜，其中所述第一减反射膜与所述第二减反射膜均是对所述晶硅基板产生压应力的压应力膜或均是对所述晶硅基板产生张应力的张应力膜根据本发明实施例的减反射膜的制备方法，由于在晶硅基板的正面和背面分别形成第一减反射膜和第二减反射膜，且第一减反射膜与第二减反射膜对所述晶硅基板均产生压应力或均产生张应力，因此可以通过应力的相互抵消而有效改善应力状态
基板上形成减反射膜方法太阳能电池制备

[发明专利]波导锗探测器制作工艺中选择性锗外延的前处理方法-CN202010734863.7有效
发明人：郭安然;郭培;雷仁方;彭松;王培界;黄建 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种波导锗探测器制作工艺中选择性锗外延的前处理方法，在硅衬底上生长一层SiO2掩膜；在SiO2掩膜上光刻出硅槽区域并向下刻蚀出硅槽；去除SiO2掩膜并在硅衬底上再次生长一层SiO2掩膜；在SiO2掩膜上光刻出硅槽区域及硅槽外沿的区域，刻蚀去除光刻区域上的SiO2掩膜，在硅槽边沿形成硅台阶；在硅槽中外延生长纯锗层。本发明中，在选择性外延锗之前先刻蚀掉硅槽外沿的部分SiO2掩模露出硅表面，减小外延锗的边缘处出现的凹坑，并使之位于SiO2掩膜和硅台阶处，从而使硅槽范围内的锗表面较为平坦；另外，硅槽范围内生长的锗均为晶态，没有非晶态与晶态的过渡区，从而提高制作出的波导锗探测器的性能。
波导探测器制作工艺选择性外延处理方法

[发明专利]有机薄膜形成方法-CN02105076.7无效
发明人：庄野朋文;山下一博 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2002-02-20 - 公布日： 2003-01-22 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：一种有机薄膜的形成方法，在半导体基板10上形成由硅氮化膜或硅氮化氧化膜构成的底膜11后，对底膜11进行使用洗涤液12的湿式洗涤处理。然后，对底膜11照射远紫外线13后，通过旋转半导体基板10，同时将液状有机材料供于半导体基板10上，在底膜11上形成厚度为100nm以下的有机薄膜14。从而在使用低粘度的有机材料在硅氮化膜或硅氮化氧化膜上形成有机薄膜的场合，也能够防止产生涂覆不均，得到膜厚均匀性优良的有机薄膜。
有机薄膜形成方法

[发明专利]滤波器封装元件-CN201810007573.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：珠海晶讯聚震科技有限公司
申请日： 2018-01-04 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：滤波器封装元件，包括：一组压电薄膜，其包括一系列混合单晶，每个混合单晶包括夹裹在一系列下电极和一系列上电极之间的掺杂氮化铝，其中上电极包括金属层以及在金属层上方的硅膜，硅膜上方具有腔体；其中，一系列下电极连接至一转接板，一系列下电极和转接板之间具有第一腔体；其中，一系列硅膜具有既定的厚度，与一系列上层腔体一起结合在一系列上电极上方，每个上层腔体都位于该一系列硅膜的其中一个硅膜与共同硅盖之间，并与位列其下方的硅膜、上电极、压电薄膜居中对齐，所述上层腔体四周为包括二氧化硅的侧壁；其中，各个压电薄膜、其上电极以及上方的硅膜通过绝缘材料与相邻的压电薄膜、上电极以及硅膜分隔开来。
滤波器封装元件

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