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[发明专利]一种薄膜晶体管中的多晶硅薄膜、薄膜晶体管及制作方法-CN201710172988.3在审
发明人：刘军;苏同上 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种薄膜晶体管中的多晶硅薄膜、薄膜晶体管及制作方法，在通过金属诱导非晶硅晶化方法将非晶硅薄膜转换为多晶硅薄膜时，可以避免需单独制作金属隔离层，同时，也可以避免金属隔离层和金属层的去除工艺，降低将非晶硅薄膜转换为多晶硅薄膜的制作成本，简化工艺制作。本申请实施例提供的薄膜晶体管中的多晶硅薄膜的制作方法，包括在衬底基板上形成金属层；在所述金属层上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成非晶硅膜层；通过金属原子对所述非晶硅膜层的催化作用，将所述非晶硅膜层转化为多晶硅膜层，其中，所述金属原子为所述金属层扩散的、并与所述非晶硅膜层接触的金属原子。
一种薄膜晶体管中的多晶薄膜制作方法

[发明专利]金属栅极形成方法-CN01139315.7无效
发明人：张世亿;宣俊协;崔亨福 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2001-10-13 - 公布日： 2002-05-15 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及形成可容易地去除伪多晶硅膜的例如集成MOS晶体管中的锒嵌金属栅极的方法。该方法包括以下步骤形成锒嵌栅极绝缘膜32和伪栅极用多晶硅膜33的工序,在包含上述伪多晶硅膜33的晶片31上形成夹层绝缘膜36的工序,抛光夹层绝缘膜以露出上述伪多晶硅膜的工序,利用旋转蚀刻方法对上述露出的伪多晶硅膜进行湿蚀刻的工序
金属栅极形成方法

[发明专利]一种层间稳定粘附的分布式布拉格反射镜及其制备方法-CN202110321122.0在审
发明人：范思大;丁光辉;邹志文;丁晓林;邹容园;崔虎山;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种层间稳定粘附的分布式布拉格反射镜及其制备方法，所述分布式布拉格反射镜由含硅材料与α‑Si交替沉积形成叠层结构，含硅材料膜层与α‑Si膜层间设置3~15nm含硅材料与α‑Si的杂化膜层。该分布式布拉格反射镜通过等离子体增强化学气相沉积方法制备，依次沉积α‑Si膜层、含硅材料膜层，并在含硅材料膜层上沉积α‑Si膜层前期1~4s通入10~100%含硅材料反应气体，形成含硅材料与α‑Si的杂化膜层所述杂化膜层在不影响膜层折射率的前提下，提高周期性叠加的α‑Si膜层与含硅材料膜层间粘附性。
一种稳定粘附分布式布拉格反射及其制备方法

[发明专利]薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法-CN201180015805.8无效
发明人：岸田悠治;川岛孝启;钟之江有宣;河内玄士朗 -专利权人：松下电器产业株式会社;松下液晶显示器株式会社
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的薄膜晶体管（10）具备：基板（1）；栅电极（2），其形成于基板上；栅极绝缘膜（3），其形成于栅电极上；结晶硅半导体层（4），其形成于栅极绝缘膜上；非晶硅半导体层（5），其形成于结晶硅半导体层上；有机保护膜（6），其形成于非晶硅半导体层上，由有机材料形成；源电极（8S）及漏电极（8D），其夹着有机保护膜而形成于非晶硅半导体层上，包含于非晶硅半导体层（5）的负载流子的电荷密度为3×1011cm-2
薄膜晶体管以及制造方法

[发明专利]一种微孔硅氟杂化膜的制备方法及应用-CN201711187192.1在审
发明人：徐荣;刘云;黄劲荣;钟璟;戚律;张琪 -专利权人：常州大学
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：本发明属于膜材料制备领域，特别涉及一种微孔硅氟(F‑SiO2)杂化膜的制备方法及应用。首先通过正硅酸乙酯(TEOS)和氟化氨(NH4F)的水解和共聚反应制备硅氟溶胶；然后通过旋转擦涂法将硅氟溶胶涂覆到多孔超滤硅膜上，制备得到微孔硅氟杂化膜。将微孔硅氟杂化膜应用于CO2气体分离中，该膜对CO2表现出优异的渗透选择性。
一种微孔硅氟杂化膜制备方法应用

[发明专利]制造结晶硅半导体和薄膜晶体管的方法-CN95121675.9无效
发明人：山崎舜平;坂间光范;竹村保彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1995-12-16 - 公布日： 1996-09-18 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：为了提供呈现适合于半导体器件如薄膜晶体管(TFT)等的性能的结晶硅膜，采用CVD工艺在玻璃衬底上沉积氧化硅膜，并在不使氧化硅膜与空气接触的条件下，在其上连续淀积非日硅膜。通过添加催化元素如镍，在500-600℃对非晶性的结晶硅膜。通过使用此结晶硅膜，可实现性能改进的(尤其是小的截止电流)半导体器件如TFT等。
制造结晶半导体薄膜晶体管方法

[发明专利]填充沟道的方法和处理装置-CN201410228924.7有效
发明人：铃木大介;高桥和也;冈田充弘;小森克彦;小野寺聪 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-05-27 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种填充沟道的方法，其是对形成在被处理体的绝缘膜上的沟道进行填充的方法，其包括如下工序沿着划分出沟道的壁面形成含有杂质的第1非晶硅膜；在第1非晶硅膜上形成第2非晶硅膜；在形成第2非晶硅膜后对被处理体进行退火
填充沟道方法处理装置

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200510133849.7有效
发明人：铃木邻太郎;森冈博;寺原政德 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-12-22 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制造方法，包含如下步骤：在硅衬底10上形成由氧化硅膜12和氮化硅膜14构成的硬掩模20，其中氮化硅膜14的宽度小于氧化硅膜12的宽度；使用硬掩模20作为掩模蚀刻硅衬底10，以在硅衬底10中形成用于限定有源区24的沟槽26；以及在形成有沟槽26的硅衬底10上形成氧化硅膜28。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种基于视觉定位的芯片涂膜气泡防控消除系统-CN202211628631.9在审
发明人：敖耀庭;刘怀增;王政;张英明;吴光智 -专利权人：中智科技集团有限公司西南分公司;重庆点点安全技术服务有限公司
申请日： 2022-12-18 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： B05C11/02 文献下载
摘要：本发明涉及芯片涂膜气泡消除技术领域，公开了一种基于视觉定位的芯片涂膜气泡防控消除系统，将待涂膜硅晶片推至合适位置处后，通过多个对准摄像头等的设置，避免硅晶片位置偏差影响裁切效果，裁切光阻膜之前，通过压紧气缸等的设置，实现了避免在接下来裁切刀裁切光阻膜时将硅晶片上的光阻膜意外勾起，确保了涂膜结束后裁切过程的正常进行，通过压紧滑球等的设置，防止在裁切时裁切刀勾起硅晶片周围多余的光阻膜，继而造成光阻膜浪费，通过抚平轴等的设置，使得抚平辊与硅晶片上的光阻膜“咬合”贴紧，从而将硅晶片上光阻膜内的少许气泡挤出，降低了电源芯片的不合格率，确保硅晶片后续加工工序的正常进行。
一种基于视觉定位芯片气泡消除系统

[发明专利]图案形成方法-CN201910864595.8在审
发明人：荻原勤;矢野俊治;前田和规;三井亮;永田岳志 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：所述图案形成方法的特征在于包括以下工序：(1)在基板上形成有机下层膜，在其上形成含硅中间膜，进一步在其上形成上层抗蚀剂膜的工序；(2)对所述上层抗蚀剂膜进行曝光、显影，形成上层抗蚀剂图案的工序；(3)通过干法蚀刻在含硅中间膜上转印所述上层抗蚀剂图案，进一步在所述有机下层膜上转印所述上层抗蚀剂图案，形成有机下层膜图案的工序；(4)通过CVD法或ALD法形成无机硅膜的工序；(5)通过干法蚀刻去除所述无机硅膜的一部分，使所述有机下层膜图案的上部露出的工序；及(6)使用剥离液去除所述有机下层膜图案，形成无机硅膜图案的工序。
图案形成方法

[发明专利]一种多晶硅膜层的均匀性检测装置-CN201910002594.2在审
发明人：王琦 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本发明涉及显示器件检测领域，特别涉及一种多晶硅膜层的均匀性检测装置，用于检测待测显示面板上的多晶硅膜层的均匀性，上述多晶硅膜层的均匀性检测装置包括：用于自待测显示面板的多晶硅膜层一侧向待测显示面板发射垂直检测光的发射模块，多晶硅膜层在接收到发射模块发射的检测光后内部形成电场；与多晶硅膜层信号连接以检测所述多晶硅膜层中电场的电压的分析模块。上述检测装置能够对待测面板的多晶硅膜层的均匀性进行检测，从而能够防止显示面板出现显示不良的情况。
一种多晶硅膜层均匀检测装置

[发明专利]硅的各向异性湿式蚀刻-CN200610103189.2有效
发明人：青岛知保 -专利权人：雅马哈株式会社
申请日： 2004-02-10 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明公开了一种湿式蚀刻方法，包括：在一硅基底的一主表面上形成一硅氧化物膜，并在该硅氧化物膜上形成一硅氮化物膜；选择性地蚀刻所述硅氧化物膜和硅氮化物膜的叠层，以形成一穿过所述叠层的部分区域的掩模开口并且由所述叠层的剩下的区域形成一蚀刻掩模；在形成所述蚀刻掩模之后或者之前，在所述硅氮化物膜中部分地形成至少一个膜应力释放槽，所述膜应力释放槽释放施加到所述掩模开口的膜应力；以及采用所述蚀刻掩模，以碱性蚀刻剂选择性并各向异性地蚀刻所述硅基底。
各向异性蚀刻

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN01122374.X有效
发明人：八木下淳史;松尾浩司 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2001-07-11 - 公布日： 2002-01-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在半导体硅衬底的元件区域的周围形成元件分离绝缘膜。在硅衬底上以覆盖沟道区周围的方式形成由氮化硅膜构成的侧壁绝缘膜。在侧壁绝缘膜构成的沟的内部,侧壁是Ta2O5膜金属栅电极。在元件分离绝缘膜上形成层间绝缘膜。在侧壁由侧壁绝缘膜和层间绝缘膜构成的沟的底部的硅衬底上,形成硅化物构成的肖特基结和源/漏。在肖特基结和源/漏上形成源极/漏极。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]硅氧化膜用成膜原料及使用该原料的硅氧化膜的成膜方法-CN201080024500.9无效
发明人：康松润 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-05-27 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明在利用CVD法在基板上成膜硅氧化膜时，使用一种硅氧化膜用成膜原料，其由具有羰基的硅氧烷系化合物构成，通过被赋予能量发生分解而CO离去，生成化学结构上不存在悬空键的生成物，且该生成物供于成膜。由此，以良好的阶梯覆盖率成膜硅氧化膜。
氧化膜用成膜原料及使用原料方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200310104760.9无效
发明人：瓜生胜美;楢崎敦司 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2003-11-04 - 公布日： 2004-09-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的课题是，谋求提高被使用于栅绝缘膜等的热氧化膜的绝缘耐压，提高器件的工作可靠性。半导体器件包括在单晶硅衬底1上的规定的区域形成的氧化硅膜2和在与之邻接的区域对单晶硅衬底1的表面进行热氧化而形成的作为热氧化膜的栅绝缘膜3。在氧化硅膜2与栅绝缘膜3的边界上，形成其表面被氧化了的多晶硅5(或非晶硅)。
半导体器件及其制造方法