“耐高温绝缘膜”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果2061834个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]温漂自补偿SOI压力传感器-CN201910763759.8有效
发明人：刘同庆 -专利权人：无锡芯感智半导体有限公司
申请日： 2011-11-23 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： G01L9/00 文献下载
摘要：所述SOI衬底上设有用于配置成惠斯通电桥的桥路电阻，且SOI衬底对应设置桥路电阻的表面设置用于对惠斯通电桥进行温度补偿的补偿电阻，所述补偿电阻及桥路电阻上设置电连接的互连引线；桥路电阻及补偿电阻间通过绝缘隔离层及钝化层相隔离，绝缘隔离层覆盖于SOI衬底上，钝化层覆盖于绝缘隔离层上；刻蚀对应于设置桥路电阻另一侧的SOI衬底以形成压力腔及压力敏感膜，所述压力腔及压力敏感膜位于桥路电阻的正下方。
补偿 soi 压力传感器

[发明专利]一种由废旧电缆绝缘层制备的阻燃颗粒-CN201910745467.1有效
发明人：王晓兵;梅海波;崔大海;崔春江 -专利权人：安徽凤杰金属资源有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： B32B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种由废旧电缆绝缘层制备的阻燃颗粒，包括颗粒整体、上半颗粒、下半颗粒和隔水层，颗粒整体的顶部固定连接有上半颗粒，颗粒整体的底部固定连接有下半颗粒，颗粒整体的中间位置固定连接有隔水层，颗粒整体的外侧固定连接有保护壳，保护壳的内侧固定连接有废旧电缆绝缘层，废旧电缆绝缘层的内侧固定连接有内部支撑结构，颗粒整体的表面嵌入连接有铝膜镀层，阻燃颗粒内部设置有金属制成的部件，在阻燃颗粒长期的暴露在空气中时，阻燃颗粒内部的金属部件就回被损坏，铝膜镀层在接触到空气中的氧气时，就会形成高密度的氧化铝薄膜，将阻燃颗粒外部的氧气进行隔绝，避免阻燃颗粒内部金属部件受损，有效的提高了阻燃颗粒的完整性。
一种废旧电缆绝缘制备阻燃颗粒

[发明专利]背光模组及其制作方法-CN202011108559.8有效
发明人：刘俊领 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本申请提出了一种背光模组的制作方法，包括：在衬底上形成第一导电层以及第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成有源材料层；利用一多段式掩膜板对该第一绝缘层及该有源材料层图案化处理，以露出部分该第一导电层，以及使该有源材料层形成有源构件本申请利用一多段式掩膜板同时形成有源构件以及柔性电路板的绑定端子的第一电极的开口，使得第三导电层能够同时形成源漏极、柔性电路板的绑定端子的第二电极、及发光元件的绑定端，减小了制程工艺的蚀刻次数，简化了背光模组的工艺难度
背光模组及其制作方法

[发明专利]一种触控显示面板、显示装置及其制作方法-CN201810863527.5有效
发明人：周诗博;唐瑶 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;绵阳京东方光电科技有限公司
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明公开了一种触控显示面板、显示装置及其制作方法，以在触控显示面板的封装层之上制作触控层时，能够对绑定区进行保护，同时降低触控显示面板的膜层厚度以及膜层应力。所述触控显示面板的制作方法，包括：在基板封装层之上的绑定区以外的区域形成导电的搭桥层；在所述绑定区形成遮挡层；刻蚀所述搭桥层，形成所述搭桥层的图案；在图案化的所述搭桥层之上形成绝缘层；去除与每一所述搭接块的两端对应处的所述绝缘层，形成暴露每一所述搭接块的两端的过孔，并去除所述绑定区的所述遮挡层；在所述绝缘层之上形成图案化的触控层。
一种显示面板显示装置及其制作方法

[发明专利]一种燃料电池用低电导率芯体及加工工艺-CN202010138763.8有效
发明人：周卫平 -专利权人：泰安鼎鑫冷却器有限公司
申请日： 2020-03-03 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01M8/04007 文献下载
摘要：本发明涉及一种燃料电池用低电导率芯体及加工工艺，所述芯体包括散热管、散热带、主板以及护板，所述散热管的内壁以及主板上与冷却液接触的面上由内而外设有耐腐蚀层和耐腐蚀绝缘层，所述耐腐蚀层包括氧化铝构成的致密氧化膜，所述耐腐蚀绝缘层包括水性环氧树脂、石墨烯以及混合树脂构成的耐腐蚀绝缘膜，通过将散热器芯体结构进行新型加工工艺，实现了燃料电池散热器电导率的降低，相对于传统的燃料电池散热器，其具有电导率恒定，生产成本低
一种燃料电池电导率加工工艺

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202010494871.9有效
发明人：王桂磊;亨利·H·阿达姆松;孔真真;李俊杰;刘金彪;李俊峰;殷华湘 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，在衬底上形成第一掺杂材料层、沟道层和第二掺杂材料层的堆叠层，对堆叠层进行刻蚀得到垂直通孔和隔离沟槽，在垂直通孔中形成绝缘层，之后可以通过隔离沟槽从侧向对沟道层进行刻蚀，保留绝缘层侧壁上的沟道层，以形成第一掺杂材料层和第二掺杂材料层之间的间隙，在间隙中形成栅介质层和栅极。这样，源极和漏极为平行于衬底表面的水平膜层，绝缘层侧壁上保留的沟道层作为源极和漏极之间的竖直方向上的沟道，沟道的长度与膜层的厚度相关，无需高成本高精度的刻蚀，因此能够利用较低的成本和简易的工艺得到小尺寸高性能的器件
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种倒装LED芯片及其制备方法-CN202111021595.5有效
发明人：范凯平;旷明胜;唐恝;何俊聪;徐亮;易翰翔 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装LED芯片的制备方法，其包括：在衬底上形成N‑GaN层、MQW层和P‑GaN层；刻蚀形成贯穿至衬底的第一孔道；以第二光刻胶为掩膜，同时形成电离扩展层和贯穿至N‑GaN层的第二孔道；形成钝化层；以第三光刻胶为掩膜，同时形成侧壁保护结构、反射镜层和金属保护层；形成第一绝缘层；刻蚀形成第三孔道和第四孔道；形成第一电极、第二电极；形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成第一焊盘层和第二焊盘层，研磨减薄后沿第一孔道劈裂
一种倒装 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种铝合金电缆及其制备方法-CN202210394794.9有效
发明人：金伟 -专利权人：福建通宇电缆有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01B7/28 文献下载
摘要：本发明先利用1‑(4‑氨基‑苯基)‑丙烷‑1,2,3‑三醇，对绕包后的聚乙烯绝缘层进行改性处理，拓宽聚乙烯低温区间，使电缆具有耐低温性能；接着，进行挤塑发泡处理、辐照加热处理，在改性绝缘层表面形成聚苯乙烯‑聚吡咯泡沫层，在长时间光照下，聚吡咯吸收光能，并转换成热能，导致电缆温度上升，并在泡沫层的持续保温下，使电缆长期保持一定热量，从而提高电缆的耐寒效果；然后进行两次制膜工艺，在绝缘泡沫层表面形成致密的多元金属保护膜
一种铝合金电缆及其制备方法

[发明专利]一种用于动力电池的复合绝缘膜及动力电池-CN202210065350.0有效
发明人：廖进军;沈健;万雨芬 -专利权人：岚图汽车科技有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01M10/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于动力电池的复合绝缘膜及动力电池，用于动力电池的复合绝缘膜包括在动力电池外包覆的绝缘层、第一结构层和第二结构层，当所述动力电池变形或受挤压时，染料囊被压至破裂，染料囊内溢出酸碱指示剂并与酸性显色剂层反应
一种用于动力电池复合绝缘

[发明专利]一种新型软包装锂离子电池的制作方法-CN201010597326.9无效
发明人：李春兰;程君;李伟;金江敏;冯辉 -专利权人：天津力神电池股份有限公司
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01M10/058 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型软包装锂离子电池的制作方法，包括步骤：A）采用单独的金属带或者金属片作为电池的极耳；B）将电池的极耳、极耳绝缘胶和铝塑封装膜固定连接在一起，然后进行热合，形成封装后的电池半成品。本发明公开的一种新型软包装锂离子电池的制作方法，其改进了电池极耳、极耳绝缘胶和铝塑封装膜之间的封装方法，无需单独进行极耳的制作，直接采用金属带充当极耳，有效地避免了现有软包装电池封装过程中由于极耳绝缘胶高度公差导致的封装不良
一种新型软包装锂离子电池制作方法

[发明专利]载置台-CN200910175091.1无效
发明人：筱原荣一;山田浩史;土生阳一郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-09-27 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种载置台，该载置台能够降低顶板的表面电阻，得到稳定的测定结果，并且能够降低制造成本，进一步而言，即使向顶板施加高电压也能够使顶板从下侧部件确实地电绝缘，能够确实防止从顶板泄露电流。本发明的载置台(20)具备：具有半导体晶片(W)的载置面并由无氧铜构成的顶板(21)；连续地覆盖该顶板(21)的下表面(21A)和侧面(21B)的下部并由氧化铝构成的绝缘覆膜(22)；和以与该绝缘覆膜(
载置台

[发明专利]色谱柱柱上加热装置-CN200910081918.2无效
发明人：丁辉;赵寿堂;朱佐刚;胡玢;靳江红;王栋;朱小锋 -专利权人：北京市劳动保护科学研究所
申请日： 2009-04-08 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种色谱柱柱上加热装置，包括一绝缘膜和一毛细管型色谱柱，所述色谱柱固定在所述绝缘膜上，还包括色谱柱固定座，在该固定座上设有供色谱柱的入口端和出口端密封连接的密封接头以及样品进出管线的密封接头，所述色谱柱的入口端和出口端通过所述固定座上的密封接头分别与样品进出管线密封绝缘地连接，在该固定座上设置正负加热电极，其与色谱柱电连接。
色谱柱柱上加热装置

[发明专利]半导体器件-CN201110251585.0无效
发明人：下条亮平 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-08-29 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，其具备：第一导电型的第一半导体层(1)，第一导电型的第二半导体层(2)，第二导电型的第三半导体层(3)，第一导电型的第四半导体层(4)，栅极绝缘膜(6)，栅极电极(7)，层间绝缘膜(8)，第二导电型的第五半导体层(9)，第二导电型的第六半导体层10，绝缘性的电流狭窄体(11)，第一电极(12)，以及第二电极(13)。
半导体器件

[发明专利]双掩膜浓硼掺杂SOI MEMS加工方法-CN201210110744.X无效
发明人：张照云;彭勃;施志贵;高杨;苏伟 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了双掩膜浓硼掺杂SOI MEMS加工方法，属于微电子机械系统微加工领域。SOI晶圆包括硅结构层、硅衬底层以及位于硅结构层和硅衬底层之间的绝缘层。该加工方法包括：利用双掩膜首先刻蚀硅结构层上的细线宽结构部分，然后同时刻蚀硅结构层上宽细线宽结构，以使得宽细线宽结构刻蚀到绝缘层上的时间基本相同；然后对硅结构层的表面进行浓硼掺杂；最后，去掉结构层下的绝缘层
双掩膜浓硼掺杂 soi mems 加工方法

[发明专利]具有增大的沟道面积及减小的漏电流的半导体元件-CN200610105633.4无效
发明人：郑星雄;李相敦 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-07-17 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该半导体元件包括一个有源区域、一个包括垂直的沟道结构的凹形沟道区域、栅极绝缘膜、以及栅极结构。该有源区域通过形成在半导体基板中的元件隔离结构而被界定。该凹形沟道区域形成在该有源区域中。垂直的绝缘层上覆硅(SOI)沟道结构设置在一个栅极区域的纵长方向上的两个元件隔离结构的侧壁处。该栅极绝缘膜被设置在该包括凹形沟道区域的有源区域之上。该栅极结构被设置在该栅极区域的凹形沟道区域之上。
具有增大沟道面积减小漏电半导体元件

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top