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[发明专利]探测装置-CN201410331001.4有效
发明人： 筱原荣一;山口显治;八田政隆 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种探测装置，该探测装置在按晶片等级进行半导体器件的电特性检查时能够简便且有效地防止在晶片表面附近产生火花(放电)。该探测装置中，火花防止机构(50)包括：在探测卡(16)和载置台(12)之间包围探针(26S、26G)的周围的围绕部件(52)；和在对半导体晶片(W)上的各芯片(功率器件)进行电特性检查时，为了在探针(26S、26G)的周围形成比大气压高的规定压力的气氛，经由围绕部件(52)的内部或附近，向探针(26S、26G)的周围供给气体的气体供给机构(54)。接触板(34)兼作围绕部件(52)。
探测装置围绕部件探针电特性检查火花气体供给机构半导体晶片半导体器件防止机构功率器件供给气体晶片表面接触板探测卡有效地载置台放电晶片芯片包围

[发明专利]探测装置-CN201410366542.0有效
发明人： 筱原荣一;长坂旨俊;猪股勇;矢野和哉;加藤仪保 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-07-29 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种按晶片等级进行在衬底的两面具有电极的功率器件的电特性检查的探测装置，在衬底的背面侧电极与吸盘顶部的载置面导体之间实现接触电阻的降低和均匀化。在该探测装置中，用于将半导体晶片W保持在吸盘顶部12上的吸附机构，在吸盘顶部的载置面导体上以满足Φ＜p≤2Φ的条件的图案(口径Φ、孔距p)设置多个垂直微细孔。作为一个例子，口径Φ＝0.25mm、孔距p＝0.5mm。
探测装置

[发明专利]功率器件用的探针卡-CN201280037370.1有效
发明人： 筱原荣一;小笠原郁男;田冈健 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种功率器件用的探针卡，能够显著地减小探针与测试器间的测定线路和载置台与测试器间的测定线路各自的电阻，在用作探针装置的实际设备时也能够充分地确保可靠性。本发明的探针卡（10）具备：与功率器件（D）的发射极电极电接触的第一探针（11）；与第一探针（11）连接的块状的第一连接端子（12）；与功率器件（D）的栅极电极电接触的第二探针（13）；与第二探针（13）连接的块状的第二连接端子（14）、能够与功率器件（D）的集电极电极侧电接触的接触板（15）；和固定于接触板（15）的块状的第三连接端子（16）。第一连接端子、第二连接端子、第三连接端子（12）、（14）、（16）分别与测试器侧的连接端子直接电接触。
功率器件探针

[发明专利]探针装置-CN201180006188.5有效
发明人：河野功;田冈健;筱原荣一;小笠原郁男 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种能够以晶片级可靠地测定功率器件的静态特性和动态特性（开关特性）的探针装置。本发明的探针装置（10），包括：载置形成有多个包括二极管的功率器件的半导体晶片（W）且能够移动的载置台（12）；配置于载置台（12）的上方的探针卡（13）；和检测器（15），在至少在载置台（12）的上表面形成的导体膜与在半导体晶片（W）的背面形成的导体层导通的状态下，使探针（13A）与半导体晶片（W）电接触从而以晶片级测定功率器件的电特性，在探针卡（13）的外周缘部设置有导通引脚（14），在以晶片级测定功率器件的电特性时，通过导通引脚（14）将载置台（12）的导体膜电极（集电电极）与检测器（15）电连接。
探针装置

[发明专利]载置台-CN200910204159.4有效
发明人： 筱原荣一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-10-15 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种载置台，即使因使用高电压、高电流的电特性检查而使顶板(载置体)变色，也能够只需更换载置台的载置体，而不需要更换其它构成部件，能够削减更换费用的载置台。本发明的载置台(20)，为了对鼓面状晶片(W)的电特性检查、将鼓面状晶片(W)载置在其环状突起的下侧，其具有：具有鼓面状晶片(W)的载置面的载置体(21A)；和绝缘体(22)，其上固定有载置体(21A)，载置体(21)具有：以与鼓面状晶片(W)的环状突起嵌合且与鼓面状晶片(W)的下面接触的方式形成的载置部(21A)；和形成在载置部(21A)的外侧并与环状突起接触的环状平面部(21B)，载置部(21A)由环状平面部(21B)侧安装的螺钉部件(23)可装卸连结固定于绝缘体(22)。
载置台

[发明专利]载置台-CN200910175091.1无效
发明人： 筱原荣一;山田浩史;土生阳一郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-09-27 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种载置台，该载置台能够降低顶板的表面电阻，得到稳定的测定结果，并且能够降低制造成本，进一步而言，即使向顶板施加高电压也能够使顶板从下侧部件确实地电绝缘，能够确实防止从顶板泄露电流。本发明的载置台(20)具备：具有半导体晶片(W)的载置面并由无氧铜构成的顶板(21)；连续地覆盖该顶板(21)的下表面(21A)和侧面(21B)的下部并由氧化铝构成的绝缘覆膜(22)；和以与该绝缘覆膜(22)接触的方式配置并由无氧铜构成的冷却套筒(23)，氧化铝的纯度在99.99重量％以上，在顶板(21)的下表面(21A)上形成大于等于0.4mm小于1.0mm的厚度。
载置台

[发明专利]载置台-CN200810086088.8无效
发明人： 筱原荣一;山田浩史 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-03-14 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： G01R1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种载置台，其能够使顶板的表面电阻降低，获得稳定的检测结果，并且能够防止来自顶板的漏电流，进一步能够降低制造成本。本发明的载置台(20)包括：具有半导体芯片(W)的载置面的由无氧铜构成的顶板(21)；连续地覆盖该顶板(21)的下表面(21A)以及侧面(21B)的由氧化铝构成的绝缘被膜(22)；和以与该绝缘被膜(22)接触的方式配置的且由无氧铜构成的冷却套管(23)。
载置台

[发明专利]除电装置、除电方法以及程序记录介质-CN200710146677.6有效
发明人： 筱原荣一;花轮一纪 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-08-24 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H05F3/02 文献下载
摘要：本发明涉及除电装置、除电方法以及程序记录介质，该除电装置能够消除静电的影响，即使是65nm工艺以后的超微细结构的被检查体也能提高被检查体的检查的可靠性，并且能够可靠地防止器件的损伤。本发明的除电装置(20)中，主卡盘(14)与探测卡(15)相对移动，在主卡盘(14)上的晶片W与探测卡(15)电接触，进行晶片(W)的电特性检查时，经由主卡盘(14)除去晶片(W)的静电，并且包括：将主卡盘(14)接地的接地用配线(22)、设在该接地用配线(22)中的继电器开关(23)和开闭控制该继电器开关(23)的开关控制器(26)。
装置方法以及程序记录介质

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