专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种闪存芯片的编程方法及测试方法-CN202211351168.8在审
  • 王春明;李伟民;郭昕婕 - 北京知存科技有限公司
  • 2022-10-31 - 2023-03-14 - G11C16/34
  • 本发明公开了一种闪存芯片的编程方法及测试方法。闪存芯片包括闪存阵列,闪存阵列包括存算单元;编程方法包括至少两次存算编程过程,一次存算编程过程包括:向所有待编程存算单元写入第一编程电压;读取每一待编程存算单元的当前电流;计算每一待编程存算单元的当前电流与对应的第一目标电流的第一差值;将第一差值大于或等于第一预设值的待编程存算单元作为下一存算编程过程的待编程存算单元,并将第二编程电压作为下一存算编程过程的第一编程电压;其中,第二编程电压为当前存算编程过程中第一编程电压调整后的电压。本发明实施例的技术方案减小了对已编程存算单元的干扰。
  • 一种闪存芯片编程方法测试
  • [发明专利]NorFlash存储器的编程系统及方法-CN201310329262.8有效
  • 温靖康;刘桂云;许如柏 - 辉芒微电子(深圳)有限公司
  • 2013-07-31 - 2017-03-01 - G11C16/10
  • 本发明涉及一种Nor Flash存储器的编程系统及方法。该编程系统包括多个存储单元、用于对编程对象中的各个存储单元的漏极施加具有固定值的位线编程电压的位线编程驱动模块、用于对编程对象中的各个存储单元的控制栅极施加具有初始值的字线编程电压的字线编程驱动模块和用于对编程对象中的各个存储单元的编程电流进行检测,并根据检测到的编程电流向字线编程驱动模块输出反馈控制信号的反馈控制模块;字线编程驱动模块还用于根据反馈控制信号来调节字线编程电压的电压值,以控制编程电流保持基本不变。实施本发明,可以同时对多字节存储单元进行编程,且可大大降低Nor Flash存储器的总编程时间,以提高编程效率。
  • norflash存储器编程系统方法
  • [发明专利]一种非易失性存储器的编程方法和装置-CN201910357583.6有效
  • 刘言言;许梦;付永庆 - 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
  • 2019-04-29 - 2022-08-30 - G11C16/34
  • 本发明提供一种非易失性存储器的编程方法和装置,非易失性存储器的编程方法包括:接收编程指令,根据编程指令中的地址信息获取存储区域内存储的存储单元的第一编程电压档位;验证需要编程的存储单元是否达到编程需求;如果验证未通过,则根据第一编程电压档位产生第一编程电压,对存储单元进行编程操作,并将验证次数加1,得到新的验证次数;若新的验证次数达到第一验证次数,则根据第一验证次数得到第二编程电压档位,第二编程电压档位是存储单元下次编程时使用的编程电压档位通过验证次数调整编程电压,可以使存储单元的阈值电压提高到编程验证电压之上,缩短存储单元的编程时间,提高非易失性存储器的编程效率。
  • 一种非易失性存储器编程方法装置
  • [发明专利]一种计算机软件的智能化编程方法-CN201310238298.5无效
  • 张飞 - 宁夏新航信息科技有限公司
  • 2013-06-17 - 2013-09-11 - G06F9/44
  • 本发明是一种计算机软件的智能化编程方法,包括计算机编程语言的类型模块,计算机编程需求,计算机编程模块的设置,计算机编程模块布局的设置,计算机编程模块的属性设置,计算机编程模块的管理,计算机编程具体的实施过程所述的智能化软件编程方法,首先确定计算机编程语言的类型,然后根据编程语言的类型确定计算机编程的需求,再根据计算机编程的需求设置计算机的编程模块,之后再对编程模块的布局进行设置。当计算机编程模块的布局设置好之后再进行属性的设置,当完成这些操作步骤之后就是计算机对编程模块的管理,最后一步就是开始实施具体的编程步骤。
  • 一种计算机软件智能化编程方法
  • [发明专利]非易失性存储器件的编程方法-CN201710058923.6有效
  • 张俊锡;郭东勋 - 三星电子株式会社
  • 2011-12-30 - 2020-08-18 - G11C11/56
  • 公开了一种非易失性存储器件的编程方法,该非易失性存储器件包括耦合到字线的多个多电平单元,该方法包括:执行对所述多个多电平单元中的多比特数据的最低有效位LSB进行编程的LSB编程操作;以及执行对所述多个多电平单元中的多比特数据的最高有效位MSB进行编程的MSB编程操作,MSB编程操作包括MSB预编程操作和MSB主编程操作,MSB预编程操作对所述多个多电平单元当中的、待被编程到多个目标编程状态当中的最高目标编程状态的第一多电平单元进行MSB预编程,MSB主编程操作将所述多个多电平单元编程到与多比特数据相对应的所述多个目标编程状态。
  • 非易失性存储器编程方法
  • [发明专利]一种基于电容器的编程积木控制方法及系统-CN202110418516.8有效
  • 应宏 - 杭州优必学科技有限公司
  • 2021-04-19 - 2022-10-25 - G09B19/00
  • 本发明公开了一种基于电容器的编程积木控制方法及系统,包括步骤:将指令模块连接到编程模块上;编程模块对指令模块中电容器进行充电;编程模块根据指令模块的充电时间识别指令模块对应的编程指令;编程模块将提取的编程指令的程序指令执行结果发送给编程对象本发明利用电容大小不同,充电时间不同的特性存储指令信息,编程模块即编程板作为计算核心,指令模块通过电气接口和编程板通信,编程板依次给指令模块的电容通电,并读取电容充电时间,通过时间判断不同电容代表的编程指令,之后编程模块将对应的编程指令的程序执行结果发送给编程对象。
  • 一种基于电容器编程积木控制方法系统
  • [发明专利]对控制信息编程的方法和装置-CN200510068919.5无效
  • 黄相元;李真烨;金范洙;李光伦;朴赞益 - 三星电子株式会社
  • 2005-04-27 - 2005-11-16 - G11C16/06
  • 本发明公开了一种对控制信息比如标志、控制标志、标记、控制标记进行编程的方法和装置。该方法和装置可以在存储器阵列的第一区域中执行指定的单元类型的低速编程,确认在存储器阵列的第一区域中指定单元类型的低速编程的结果和在确认了低速编程的结果之后在存储器阵列的第二区域中执行指定单元类型的闪速编程,其中闪速编程的初始编程电压不同于低速编程的初始编程电压。第一和第二编程可以不相同,例如第一编程可以是低速操作,比如写数据,第二编程可以是闪速操作,比如写控制信息。第一和第二编程方法也可以不相同,例如第一编程方法可以是不允许重复编程编程方法,而第二编程方法可以是允许重复编程编程方法。
  • 控制信息编程方法装置

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