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[发明专利]电绝缘材料、包括电绝缘材料的电气设备和变压器-CN200880122954.2有效
发明人： O·赫乔特斯坦;刘荣生;A·贾特斯;L·A·佩特尔森 -专利权人： ABB研究有限公司
申请日： 2008-11-26 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01B3/20 文献下载
摘要：根据本发明限定一种用于电气设备的电绝缘材料(1)，该电气设备包括一个或者多个电导体和布置于导体周围或者多个导体之间的电绝缘材料，并且该绝缘材料浸渍有电介质绝缘液体。电绝缘材料包括具有表面层(3)的主层(2)，该表面层具有比主层的介电常数更低的介电常数。
绝缘材料包括电气设备变压器

[发明专利]特高压交流GIL用支柱绝缘子柔性梯度表面处理方法-CN202010465331.8在审
发明人：杜伯学;姚航;李进;梁虎成;陈允;冉昭玉 -专利权人：天津大学
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01B19/00 文献下载
摘要：本发明提出了特高压交流GIL用支柱绝缘子柔性梯度表面处理方法，通过静电纺丝方法对环氧树脂基件表面电纺具有高介电常数的PVA/BaTiO3材料薄膜，在支柱绝缘子表面形成介电常数二维梯度分布的沉积层，达到调控其表面交流电场的分布，提升绝缘子耐电性能的目的。本发明通过控制电纺位置与纺丝时间，构建具有二维介电常数梯度分布的环氧树脂支柱绝缘子，进而灵活调控交流电压下支柱绝缘子表面的电场分布情况，提高GIL设备中支柱绝缘子的沿面闪络电压，提升支柱绝缘子的耐电性能
高压交流 gil 支柱绝缘子柔性梯度表面处理方法

[发明专利]一种天线模组及电子设备-CN202010280846.0在审
发明人：王义金;简宪静 -专利权人：维沃移动通信有限公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01Q5/50 文献下载
摘要：本发明提供一种天线模组及电子设备，天线模组包括：金属板、第一绝缘介质体、第二绝缘介质体和馈电针，所述金属板上开设有馈电通孔，所述第一绝缘介质体设置在所述金属板和所述第二绝缘介质体之间，所述第二绝缘介质体的介电常数大于所述第一绝缘介质体的介电常数，所述馈电针通过所述馈电通孔穿设于所述第一绝缘介质体内，在所述馈电针输入的激励信号的作用下，所述第一绝缘介质体发生电磁辐射。这样，由于第一绝缘介质体的存在，降低了整个天线模组的等效介电常数，从而可以达到提升整个天线模组带宽的作用，进而扩大了天线模组的波段的覆盖范围。
一种天线模组电子设备

[实用新型]TiO₂复合基材印制微带天线-CN201220666448.3有效
发明人：金壬海 -专利权人：浙江九通电子科技有限公司
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了TiO2复合基材印制微带天线，它是用TiO2的聚苯醚树脂作为绝缘介质的复合材料作基板，在基板的上表面覆有按天线要求分布厚度为15μm至35μm电子级铜箔，制作出微带电路，在基板的另一相对下表面上覆有供接地用的铜箔该实用新型以小介电常数、低损耗聚苯醚树脂作为绝缘介质基板，采用大介电常数、低损耗的TiO2来实现介电常数3～16范围可调节，实现天线不同体积设计要求。其优点是介电常数可以宽泛调节，适应不同尺寸印制天线的需求，可以做到精密介电常数控制，方向性热膨胀系数与铜非常匹配，散热性好等特点。可广泛使用在无线电通信、广播电视及军用等设施上。
tio sub 复合基材印制微带天线

[发明专利]处理低介电常数介电层的方法-CN200510088590.9有效
发明人：王静亚;曾伟雄;罗冠胜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-08-02 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：一种处理低介电常数介电层的方法，藉以改善机械力及/或修复等离子体蚀刻伤害，此处理低介电常数介电层的方法包括提供含低介电常数氧化硅介电绝缘层；以及对此含低介电常数氧化硅介电绝缘层进行一超临界流体处理，此超临界流体包括超临界二氧化碳以及共溶剂
处理介电常数介电层方法

[实用新型]扁平电缆-CN201020116138.5有效
发明人：黑田秀雄 -专利权人：住友电工(上海)电子线制品有限公司
申请日： 2010-02-12 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： H01B7/08 文献下载
摘要：在本实用新型涉及的扁平电缆1中，多根平角导体2以规定的排列节距排布在平面上，并且在所述平角导体2的排布面的两侧贴附有绝缘膜3，在绝缘膜3的外面，在沿电缆宽度方向的一部分电缆中设置有低介电常数介电层6，在包含低介电常数介电层6的外面设置有屏蔽层7，并且存在有低介电常数介电层6的部分与不存在低介电常数介电层6的部分的特性阻抗不同。
扁平电缆

[发明专利]一种基于电介质响应的油纸绝缘微水含量测量方法-CN201010536843.5无效
发明人：周利军;吴广宁;刘君;吕玮;高国强;王鹏;曹晓斌;曹保江;高波;李瑞芳 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2010-11-09 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电介质响应的油纸绝缘微水含量测量方法。本方法充分利用绝缘材料介电常数随电压频率变化而发生变化的这一固有特性，通过测试不同温度、不同微水含量试样的输出电压增益M和相位差相关特征参量，结合测试装置的等效电路进行数学计算，得出试样的复介电常数ε^*。分析油纸绝缘微水含量m与复介电常数ε^*、温度T和施加电压频率f之间相互影响的规律，再利用数学软件工具对测试数据的变化规律进行拟合处理，最终获得油纸绝缘微水含量m与复介电常数ε^*、温度T和施加电压频率f的通用函数关系式，最后利用此函数关系式从而实现对未知油纸绝缘微水含量的计算。
一种基于电介质响应油纸绝缘含量测量方法

[发明专利]液晶面板和液晶显示装置-CN201080042318.6无效
发明人：村田充弘;神崎修一;石原将市;樱井猛久;大竹忠 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2010-06-08 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：液晶面板(2)是通过用横向电场驱动夹持在基板(10·20)间的液晶层(50)来进行显示的使用横向电场驱动方式的垂直取向型的液晶面板，在基板(10)设置有绝缘层(25)，该绝缘层(25)在包括红色、绿色、蓝色三个子像素(6R·6G·6B)的像素(6)内具有至少两个相对介电常数不同的区域。液晶面板(2)的蓝色子像素(6B)的区域的绝缘层(25)的相对介电常数为3，绿色子像素(6G)的区域的绝缘层(25)的相对介电常数为3～7，红色子像素(6R)的区域的绝缘层(25)的相对介电常数为4～7
液晶面板液晶显示装置

[发明专利]一种基于频域复介电常数初始斜率的变压器绝缘油中糠醛含量预测方法-CN201710935318.2有效
发明人：张涛;李林多;任乔林 -专利权人：三峡大学
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G01N33/28 文献下载
摘要：一种基于频域复介电常数初始斜率的变压器绝缘油中糠醛含量预测方法，步骤1：提出了复介电常数实部频域曲线的初始斜率k，用于分析变压器绝缘老化的程度。步骤2：实验室中搭建实验平台，变压器模型采用三电极装置代替，通过加速热老化制备了不同糠醛含量的老化样本，用以探究复介电常数实部频域曲线的初始斜率k与油纸绝缘老化程度的关系。步骤3：根据实验数据结果分析，结合电介质理论得出，k用于分析绝缘老化的程度，与绝缘介质的夹层极化与偶极子式极化过程有关，得到了k的绝对值与Cq的拟合关系式|k|=15770Cq－2339，该关系式表明|k|越小，变压器绝缘状态越好。本发明提出的复介电常数初始斜率k可以很好的评估变压器的老化程度，无需进行繁琐的取油操作，也避免了取油过程中对变压器绝缘结构造成的不确定损坏。
一种基于频域复介电常数初始斜率变压器绝缘油糠醛含量预测方法

[发明专利]一种锗基高介电常数绝缘介质的MOS电容器及其制备方法-CN201310284376.5无效
发明人：卢红亮;谢章熠;耿阳;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01L29/94 文献下载
摘要：本发明属于微电子领域，具体涉及一种锗基高介电常数绝缘介质的MOS电容器及其制备方法。本发明所涉及的MOS电容器，采用n型锗（Ge）作为半导体衬底，采用高介电常数的Al2O3薄膜和TiO2薄膜混合结构作为绝缘介质，并以Al2O3薄膜开始和结束薄膜叠层结构，最终形成金属/绝缘体/锗半导体结构本发明采用原子层淀积技术制备锗上高介电常数绝缘介质，可以有效解决锗本征氧化物热稳定性和可溶于水的不足，为新型器件的研发提供宽广前景。
一种锗基高介电常数绝缘介质 mos 电容器及其制备方法

[实用新型]薄膜晶体管阵列基板及其液晶显示器-CN200520067273.4无效
发明人：颜硕廷 -专利权人：群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司
申请日： 2005-11-12 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型公开一种薄膜晶体管阵列基板，其包括一玻璃基底、一形成在该玻璃基底上的半导体层、一形成在该半导体层上的栅极绝缘层和一形成在该栅极绝缘层上的栅极线和公共电极线，其中，该栅极绝缘层包括一低介电常数区域和一高介电常数区域，该公共电极线对应该栅极绝缘层的高介电常数区域设置。
薄膜晶体管阵列及其液晶显示器

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200480009209.9无效
发明人：大见忠弘;寺本章伸;若松秀利;小林保男 -专利权人：东京毅力科创株式会社;大见忠弘
申请日： 2004-03-31 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：为了提供一种由于将High－K绝缘膜维持在高相对介电常数状态从而具有良好特性的半导体器件，或者为了提供一种能够将High－K绝缘膜维持在高相对介电常数状态的半导体器件的制造方法，在本发明中，配有硅基板、栅电极层和栅绝缘膜，其中所述栅绝缘膜配置在所述硅基板与所述栅电极层之间。而且，所述栅绝缘膜是通过氮化处理金属与硅的混合物而形成的高相对介电常数(high－K)膜。通过使High－K膜本身成为氮化物，可以防止SiO₂的生成。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201610016629.4有效
发明人：张海洋;郑喆 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2016-01-12 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该半导体装置包括：衬底结构，该衬底结构包括衬底；在该衬底上的鳍片式结构，该鳍片式结构包括半导体层；包绕鳍片式结构的一部分表面的栅极绝缘物和位于栅极绝缘物上的栅极；分别位于栅极两侧的在半导体层中的源极和漏极；位于栅极的漏极侧的具有第一介电常数的第一电介质间隔物；以及位于栅极的源极侧的具有第二介电常数的第二电介质间隔物和具有第三介电常数的第三电介质间隔物，第三电介质间隔物和第二电介质间隔物中的一方在另一方之上；其中，第一介电常数和第三介电常数均小于第二介电常数。
半导体装置及其制造方法

[实用新型]互连结构及半导体器件-CN201821451843.3有效
发明人：吴双双 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本实用新型提供一种互连结构及半导体器件，所述互连结构包括：基底、第一层间介质层、金属互连线、低介电常数介质层以及绝缘层，第一层间介质层位于基底上，且第一层间介质层内形成有多个贯穿第一层间介质层的凹槽，金属互连线填充于第一层间介质层的凹槽内，低介电常数介质层位于金属互连线的侧壁上，并且低介电常数介质层和第一层间介质层之间间隔有一间隙，绝缘层覆盖第一层间介质层、金属互连线与低介电常数介质层，并遮盖间隙的顶部，以界定出空气隙在低介电常数介质层和第一层间介质层之间，空气隙具有较小的介电常数，能够减小相邻金属互连线之间的寄生电容，从而减少寄生电容造成的RC延迟。
第一层介质层低介电常数介质层金属互连线互连结构半导体器件寄生电容空气隙基底绝缘层本实用新型绝缘层覆盖介电常数相邻金属互连线侧壁减小界定填充遮盖贯穿

[发明专利]软性排线、其制造方法及信号传输装置-CN201911283023.7有效
发明人：李俊台 -专利权人：台湾立讯精密有限公司;亳州联滔电子有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01B7/08 文献下载
摘要：本发明公开一种软性排线、其制造方法及信号传输装置，其中，软性排线包括：一第一绝缘层、至少一导线对、多个低介电常数(K)介电层、二第二绝缘层、以及至少一屏蔽层。导线对位于第一绝缘层内。低介电常数介电层嵌设在第一绝缘层内。各导线对的外侧或各第一导线的外侧包覆有一低介电常数介电层。二第二绝缘层位在第一绝缘层的二表面上。屏蔽层相对第一绝缘层位于二第二绝缘层上。
软性排线制造方法信号传输装置