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[发明专利]显示面板、显示面板温度检测方法及显示装置-CN202011062169.1有效
发明人：赵剑;李小和;秦锋;刘保玲 -专利权人：厦门天马微电子有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板、显示面板温度检测方法及显示装置，显示面板包括相对设置的第一基板和第二基板，第一基板和第二基板之间设置有显示器件层、液晶电容、检测模块，液晶电容包括：设于第一基板且相互绝缘设置的第一导电电极、第二导电电极以及液晶层，液晶层的介电常数根据环境温度变化，第一导电层与第二导电层之间的电容值根据液晶层的介电常数确定，检测模块用于获取电容值。通过检测模块能够准确获取第一导电电极、第二导电电极之间的电容值，之后根据电容值和液晶层的介电常数之间的对应关系得出液晶层的介电常数，最后根据液晶层的介电常数确定液晶层的温度，直接测量第一基板和第二基板之间的液晶层温度
显示面板温度检测方法显示装置

[发明专利]宽介电常数聚四氟乙烯玻璃布覆铜箔板-CN200810123949.5无效
发明人：顾根山 -专利权人：顾根山
申请日： 2008-06-13 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽介电常数聚四氟乙烯玻璃布覆铜箔板，它包括介质层(1)和铜箔(2)，介质层(1)的两面为铜箔(2)，所述的介质层(1)为覆盖有混合液涂层的宽介电常数无碱玻璃布。本发明的介质层为带有聚四氟乙烯树脂、陶瓷及一些有机辅助材料混合液涂层的宽介电常数无碱玻璃布，这样不但可以降低介质的损耗角正切值，扩大铜箔板的介电常数，介电常数扩大为2.25～10.2之间，增大了体积电阻值、表面电阻值和表面绝缘电阻，孔金属化难度减小，从而增强了板材的使用性能。
介电常数聚四氟乙烯玻璃铜箔

[发明专利]中介电常数叠层微波介质陶瓷及其制备方法-CN200610050627.3无效
发明人：李雷;陈湘明 -专利权人：浙江大学
申请日： 2006-05-08 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明公开的中介电常数叠层微波介质陶瓷是由介电常数为30～45的微波介质陶瓷A和介电常数为75～90的微波介质陶瓷B构成的双层复合微波介质陶瓷，其通式为(1－x)A/xB，其中，x为体积百分率，0.2≤本发明通过将两种性能不同的材料，用低损耗绝缘胶粘接成双层复合结构，利用微波介电性能随终端材料体积百分比单调、连续变化的特点，得到了具有高Qf值与近零谐振频率温度系数、介电常数可在42－80间连续变化的系列化中介电常数微波介质陶瓷
介电常数微波介质陶瓷及其制备方法

[实用新型]宽介电常数聚四氟乙烯玻璃布覆铜箔板-CN200820036585.2无效
发明人：顾根山 -专利权人：顾根山
申请日： 2008-06-13 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种宽介电常数聚四氟乙烯玻璃布覆铜箔板，它包括介质层(1)和铜箔(2)，介质层(1)的两面为铜箔(2)，所述的介质层(1)为覆盖有混合液涂层的宽介电常数无碱玻璃布。本实用新型的介质层为带有聚四氟乙烯树脂、陶瓷及一些有机辅助材料混合液涂层的宽介电常数无碱玻璃布，这样不但可以降低介质的损耗角正切值，扩大铜箔板的介电常数，介电常数扩大为2.25～10.2之间，增大了体积电阻值、表面电阻值和表面绝缘电阻，孔金属化难度减小，从而增强了板材的使用性能。
介电常数聚四氟乙烯玻璃铜箔

[发明专利]一种高介电常数橄榄绝缘油的制备方法-CN202110875357.4在审
发明人：张镱议;刘捷丰;刘楚英;张恒 -专利权人：广西大学
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C10M169/04 文献下载
摘要：本发明涉及高电压与绝缘技术领域，具体公开了一种高介电常数橄榄绝缘油的制备方法，包括：(1)混合乙酰丙酮锌、甲醇及油酸，搅拌均匀；超声混合液至溶液澄清；将澄清液置于高压反应釜密封反应；结束后冷却反应液至常温离心冷却后的反应液，取沉淀物，干燥，得高分散氧化锌纳米颗粒；(2)按照混合物中高分散氧化锌纳米颗粒质量分数小于等于6%比例范围混合高分散氧化锌纳米颗粒和橄榄油，搅拌均匀；（3）超声混合物2h~3h后烘干得高介电常数橄榄绝缘油该方法提高了绝缘油介电常数和击穿电压，应用油纸绝缘系统使电场分配更合理，提高了绝缘可靠性，并且该方法原料成本低，简化了制备的步骤，有利于生产效率提高以及节约原料和时间成本。
一种介电常数橄榄绝缘油制备方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201010500091.7有效
发明人：山成真市;吉福良一;筱原正昭;丸山隆弘;川井健治;广田祐作 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供一种半导体器件的制造方法，用于提高包括MISFET的半导体器件的可靠性，该MISFET具有高介电常数栅极绝缘体和金属栅极电极。形成包含Hf、La和O作为主要成分的第一含Hf绝缘膜作为用于n沟道MISFET的高介电常数栅极绝缘体。形成包含Hf、Al和O作为主要成分的第二含Hf绝缘膜作为用于p沟道MISFET的高介电常数栅极绝缘体。然后通过干法蚀刻来形成金属膜和硅膜并对它们进行构图以由此形成第一和第二栅极电极。随后通过湿法蚀刻来去除所述第一和第二含Hf绝缘膜的未由第一和第二栅极电极覆盖的部分。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200510002850.6无效
发明人：饭岛匡 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-01-22 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造半导体器件的方法，包括：在第一和第二区域中层积多个绝缘膜，每个该绝缘膜的相对介电常数最大为3.0，所述第一和第二区域在衬底上形成并且在与衬底的主表面平行的方向上彼此相邻；除去该多个绝缘膜中位于第二区域的那些部分，从而在该多个绝缘膜中制成孔；在该孔中形成相对介电常数大于3.0的绝缘膜；以及在该相对介电常数大于3.0的绝缘膜上形成焊接区；其中，该形成焊接区的步骤包含形成连接部分，所述连接部分延伸跨过第一和第二区域之间的边界并且将焊接区电气连接到该第一部分中形成的导电部分
半导体器件及其制造方法

[发明专利]CMP研磨方法和半导体器件制造方法-CN200480010675.9有效
发明人：星野进;北出裕子;吉田典夫 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2004-04-14 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：用设置为0.01到0.2psi的研磨压强来研磨具有布线图的基片，所述布线图在具有2或以下的介电常数的材料之间形成。结果，甚至在具有2或以下的介电常数的超低k材料用作绝缘材料的情况下，也能够进行满意的研磨。
cmp 研磨方法半导体器件制造

[发明专利]渐变密度的纳米孔绝缘薄膜及其制法-CN98806313.1无效
发明人： S·瓦拉斯;D·M·史密斯;T·拉莫斯;K·H·洛德里克;J·S·德拉格 -专利权人：联合讯号公司
申请日： 1998-04-02 - 公布日： 2000-07-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及纳米孔绝缘薄膜(10)及其制法。在表面上带有大量凸起线条(4)的基片上提供位于凸起线条(4)之间的相对地高孔隙率、低介电常数含硅聚合物组合物(10),以及位于线条(4)上面的相对地低孔隙率、高介电常数含硅组合物(8)。
渐变密度纳米绝缘薄膜及其制法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200610006224.9无效
发明人：筒江诚;后藤欣哉 -专利权人：松下电器产业株式会社;株式会社瑞萨科技
申请日： 2006-01-24 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：目的在于：在具有被低介电常数膜覆盖的金属布线的半导体装置中，能够提高防止来自金属布线的扩散的金属扩散防止膜、和低介电常数膜之间的界面的粘附性，实现低介电常数膜和金属扩散防止膜难以脱离的可靠性较高的半导体装置在衬底上依次形成有第1绝缘膜21、第2绝缘膜23A、第3绝缘膜23B、由SiOC构成的第4绝缘膜24和第5绝缘膜25。第2绝缘膜23A为与氧相比氮原子百分率的值较高的SiOCN膜，第3绝缘膜23B为与氮相比氧原子百分率的值较高的SiOCN膜。在第3绝缘膜23B的上面，形成有氧对于硅的组成比与第3绝缘膜23B的底面相比，高5％或5％以上的表面层23a。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]电连接器-CN201010589851.6无效
发明人：苏聘胜;陈钧;祁锋军;王青 -专利权人：富士康（昆山）电脑接插件有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01R13/46 文献下载
摘要：一种电连接器，其包括：绝缘本体、收容于所述绝缘本体的导电端子及包覆所述绝缘本体的金属壳体，绝缘本体为塑胶射出成型而成，所述绝缘本体具有位于其前部的第一段及自所述第一段向后延伸的第二段，所述第一段的塑胶材质的介电常数与所述第二段的塑胶材质的介电常数不同
连接器

[发明专利]一种评估油纸绝缘的老化状态的方法-CN201310066515.7有效
发明人：吕刚 -专利权人：中国南方电网有限责任公司超高压输电公司贵阳局
申请日： 2013-03-01 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种评估油纸绝缘的老化状态的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：采用频域介电谱法测量出油纸绝缘试品的相对介电常数和介质损耗因数；步骤2：建立油纸绝缘试品的相对介电常数与绝缘纸聚合度复合指数函数关系式，以及油纸绝缘试品的介质损耗因数与绝缘纸聚合度复合指数函数关系式；步骤3：用上述关系式评估油纸绝缘系统的老化状态。
一种评估油纸绝缘老化状态方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN03153617.4有效
发明人：仓嶋延行;南幅学;福岛大;竖山佳邦;矢野博之 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-08-15 - 公布日： 2004-03-24 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，包括：基板；第一绝缘膜，提供在基板上并具有最多为预定值的相对介电常数；第二绝缘膜，提供在第一绝缘膜的表面上并具有大于预定值的相对介电常数；布线，提供在用于布线的凹槽中，穿过第二绝缘膜形成并延伸到第一绝缘膜内；以及虚拟布线，提供在用于虚拟布线的凹槽中，穿过第二绝缘膜形成并延伸到第一绝缘膜内，位于与提供布线的区域隔开的预定区域中。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]用于高频印刷电路板的铜箔基板材及其应用-CN201510071715.0在审
发明人：黄堂傑;庄朝钦 -专利权人：律胜科技股份有限公司
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： B32B15/08 文献下载
摘要：该积层体包括热固型聚酰亚胺层及绝缘层。该热固型聚酰亚胺层是用来使铜箔基板与绝缘层连接在一起，且该热固型聚酰亚胺层的膜厚与积层体的膜厚比值范围为0.145至0.2；该热固型聚酰亚胺层的介电常数范围为3.0以上；该绝缘层的介电常数范围为小于3.0本发明通过该热固型聚酰亚胺层使该铜箔基板与该绝缘层有很好的接着性，且在1GHz至10GHz的信号传输条件下，该积层体的介电常数可保持在3.0以下，以符合业界及市场需求。
用于高频印刷电路板铜箔板材及其应用

[发明专利]一种绝缘型气体压力传感器及其制备方法-CN202210152949.8在审
发明人：聂波;王瑞兵;邹勇 -专利权人：孝感华工高理电子有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G01L9/12 文献下载
摘要：本发明属于压力传感器技术领域，具体提供了一种绝缘型气体压力传感器及其制备方法，其中，传感器包括：面对面设置压力敏感薄膜及衬底，且压力敏感薄膜及衬底之间形成密封空腔；压力敏感薄膜上设有绝缘阵列，衬底上设有梳齿电极，绝缘阵列插入各相邻两个梳齿电极之间。介电常数与输出电容成正比关系，首先保证了其线性度，其次通过计算得到，绝缘材料的介电常数越大，电容变化量就越大。这种结构打破了变间距式电容式压力传感器灵敏度和线性度相互制约的关系，电容器极板间的介电常数随外界压力发生变化，从而改变输出电容。
一种绝缘气体压力传感器及其制备方法