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[发明专利]一种赝磁性隧道结单元-CN201910290616.X在审
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种赝磁性隧道结单元，其包括赝磁性隧道结参考层，赝磁性隧道结势垒层，赝磁性隧道结记忆层及其覆盖在赝磁性隧道结参考层、赝磁性隧道结势垒层和赝磁性隧道结记忆层周围的赝磁性隧道结侧墙。赝磁性隧道结参考层、赝磁性隧道结势垒层和赝磁性隧道结记忆层的膜层和磁性隧道结参考层、磁性隧道结势垒层、磁性隧道结记忆层的膜层的组成材料完全相同，并且在物理气相沉积工艺腔中同时完成沉积。在本发明中作为电路连接的赝磁性隧道结单元，由于与磁性隧道结膜层同时制作，这无疑降低工艺的复杂程度，有利于生产成本的降低。
一种磁性隧道单元

[发明专利]层叠散热基板以及使用此层叠散热基板的电子组装结构-CN201110126956.2有效
发明人：李弘荣 -专利权人：佳胜科技股份有限公司
申请日： 2011-05-17 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：层叠散热基板包含基板、层叠键结层、绝缘层以及导电层。层叠键结层设置于基板上，至少包含第一键结层以及第二键结层。第一键结层设置于基板上。第二键结层设置于第一键结层上。绝缘层设置于层叠键结层上。导电层设置于绝缘层上。电子组装结构包含前述层叠散热基板以及电子组件。其中，绝缘层及导电层进一步于层叠键结层上围出容置空间，容置空间暴露层叠键结层。电子组件设置于容置空间内及层叠键结层上，且与导电层电连接。电子组件较佳是发光二极管。
层叠散热以及使用电子组装结构

[发明专利]磁存储器件-CN201010282801.3有效
发明人：吴世忠;李将银;李济珩;金佑填;林佑昶;郑峻昊;崔锡宪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-09-13 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种磁存储器件可以包括第一垂直磁性层、在第一垂直磁性层上的非磁性层、以及在非磁性层上的第一结磁性层，其中，非磁性层在第一垂直磁性层和第一结磁性层之间。隧道势垒可以在第一结磁性层上，其中，第一结磁性层在非磁性层和隧道势垒之间。第二结磁性层可以在隧道势垒上，其中，隧道势垒在第一结磁性层和第二结磁性层之间，并且第二垂直磁性层可以在第二结磁性层上，其中，第二结磁性层在隧道势垒和第二垂直磁性层之间。
磁存储器

[实用新型]一种渐变花格墙砌筑结构-CN202320784999.8有效
发明人：薛恒岩;房世鹏;李明科;曹凤新;赵华颖;石立立;陈浩;李阳;王玉兰;吴浩;刘国庆 -专利权人：中建二局第三建筑工程有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： E04B2/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种渐变花格墙砌筑结构，属于建筑墙体拉结技术领域，由内至外依次包括内砌筑层、保温层、外装饰层；内砌筑层内自上而下间隔设置横向拉结筋；外装饰层由装饰砖砌筑而成，其内自上而下间隔设置拉结钢板，拉结钢板与横向拉结筋之间通过连接筋拉结；外装饰层内还间隔设置竖向拉结筋，装饰砖和拉结钢板上对应设置预留孔，竖向拉结筋插设在预留孔内，将装饰砖连为一体。本实用新型在内砌筑层内间隔设置横向拉结筋，在外装饰层内间隔设置拉结钢板，以拉结钢板与横向拉结筋连接，将内砌筑层和外装饰层拉结连接，增强整体性；在外装饰层内设置竖向拉结筋，能够将装饰砖连为一体，克服不同砖间距对结构稳定性的影响
一种渐变花格砌筑结构

[发明专利]形成不含接触孔的纳米尺寸的磁性隧道结单元的方法-CN200510004452.8无效
发明人：黄淳元;宋利宪;廉根永;郑硕才 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-01-12 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：提供一种制造纳米尺寸磁性隧道结单元的方法，其中在磁性隧道结单元中的接触不需要形成接触孔而形成。形成磁性隧道结单元的方法包括在衬底上形成一磁性隧道结层，通过构图磁性隧道结层形成磁性隧道结单元区域，在磁性隧道结层上依次沉积一绝缘层和一掩模层，通过在同一蚀刻速率下蚀刻掩模层和绝缘层曝露磁性隧道结单元区域的上表面，以及在绝缘层和磁性隧道结层上面沉积一金属层。
形成接触纳米尺寸磁性隧道单元方法

[发明专利]双磁隧道结装置-CN202180081783.9在审
发明人： P·哈什米;B·B·多丽丝;C·科桑达拉曼;孙赞红 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：提供了一种制造双磁性隧道结装置的方法。该方法包括：形成第一磁性隧道结叠层；在第一磁性隧道结叠层上形成自旋传导层；在自旋传导层上形成第二磁性隧道结叠层；以及在自旋传导层和第二磁性隧道结叠层的表面上形成电介质间隔物层。第二磁性隧道结叠层的宽度小于第一磁性隧道结叠层的宽度。此外，自旋传导层的宽度在厚度方向上从自旋传导层的邻近于第二磁性隧道结叠层的第一侧向自旋传导层的邻近于第一磁性隧道结叠层的第二侧增加。
隧道装置

[实用新型]一种抗老化的自结纹跑道-CN201620744084.4有效
发明人：王茂旗 -专利权人：青岛科兴教育装备有限公司
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： E01C13/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及跑道技术领域，尤其是一种抗老化的自结纹跑道，基础层的上端贴覆有加强层，清浆层远离弹性层的一端喷涂有第一自结纹层，第一自结纹层远离清浆层的一端喷涂有第二自结纹层，第一自结纹层和第二自结纹层反向喷涂，第一自结纹层和第二自结纹层是由聚氨酯材料中添加防紫外线材料组成，基础层上等距离开设有多个温度缝，温度缝设置成“V”字型，温度缝内填充有填缝胶。本抗老化性的自结纹跑道，通过第一自结纹层和第二自结纹层中添加防紫外线材料，达到抗老化的效果，第一自结纹层和第二自结纹层双层反向喷涂，使得结构更加稳定，本实用新型具有抗老化性好，保养简便，强度高，柔软性好等特点
一种老化跑道

[发明专利]磁隧穿结装置及其形成方法-CN201910030827.X在审
发明人：陈纬;王慧琳;杨玉如;林进富;邹宜勲;杨钧耀 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开一种磁隧穿结装置及其形成方法，该磁隧穿结装置包含两个磁隧穿结元件以及一磁屏蔽层。两个磁隧穿结元件并排设置。磁屏蔽层设置于两个磁隧穿结元件之间。一种形成前述磁隧穿结装置的方法包含有下述步骤。首先，形成一层间层，其中层间层包含一磁屏蔽层。接着，蚀刻层间层，以形成凹槽于层间层中。接续，填入磁隧穿结元件于凹槽中。或者，一种形成前述磁隧穿结装置的方法包含有下述步骤。首先，形成一磁隧穿结层。之后，图案化磁隧穿结层，以形成磁隧穿结元件。而后，形成一层间层于磁隧穿结元件之间，其中层间层包含一磁屏蔽层。
磁隧穿结装置及其形成方法

[发明专利]磁随机存储器的制备方法-CN201910908469.8在审
发明人：冀正辉;李辉辉;程干新 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供一种磁随机存储器的制备方法，包括：在绝缘介质层上形成贯穿绝缘介质层的通孔并填充导电材料；在绝缘介质层和导电材料上依次层叠磁隧道结底电极层和磁隧道结功能层；依据目标图形对磁隧道结功能层和磁隧道结底电极层进行第一次刻蚀并刻蚀至磁隧道结底电极层下表面，以形成图形沟槽以及图形化的磁隧道结功能层和磁隧道结底电极层，图形化的磁隧道结功能层和磁隧道结底电极层完全覆盖通孔，图形沟槽内聚集有第一次刻蚀产生的再沉积材料；依据目标图形对绝缘介质层以及再沉积材料进行第二次刻蚀，以使再沉积材料不与磁隧道结功能层导电接触。本发明磁随机存储器的制备方法，能够避免磁隧道结功能层发生短路。
随机存储器制备方法

[发明专利]具有布置在沟槽区内的阴极金属层的半导体激光器-CN201480022240.X有效
发明人： S·E·奥尔森 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2014-03-12 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：一种激光二极管包括衬底和布置在衬底上的结层。结层形成激光二极管的量子阱。激光二极管包括结表面，该结表面具有延伸通过结层至衬底的至少一个沟道。所述至少一个沟道界定阳极区和阴极区。阴极电结被布置在阴极区的结表面上，而阳极电结被布置在结表面上并耦合至阳极区的结层。阴极金属层被布置在沟道的至少沟槽区内。阴极金属层将衬底耦合至阴极电结。
具有布置沟槽区内阴极金属半导体激光器

[实用新型]高效多结太阳能电池-CN201621282952.8有效
发明人：沈园众;刘明轩;沈亨春;崔振华;邓庆丰 -专利权人：深圳市索阳新能源科技有限公司
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本实用新型的高效多结太阳能电池，技术目的是提供一种具备3结以上结构的高效多结太阳能电池。所述太阳能电池的发电结构，包括有硅片，所述硅片上设有镀层自上而下分别是N型层、N+型层、P+型层、P型层、P+型层、N+型层、N型层；分别形成PN结层，所述PN结层上方形成N+N高低结层，所述PN结层下方形成P+P高低层；往下依次形成P+P高低结层、PN结层、N+N高低结层。
高效太阳能电池

[发明专利]一种赝磁性隧道结单元-CN201910334319.0在审
发明人：陈峻;肖荣福;郭一民;麻榆阳 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明赝磁性隧道结单元，在已制造好的适于磁性随机存储器的互补金属氧化物半导体上沉积一层底电极，采用化学机械研磨的方法使底电极平坦化；用旋涂的方法在底电极上依次沉积粘合层和光刻胶层；对外围电路单元区域曝光；对外围电路单元区域显影，除去此区域的粘合层和光刻胶层；对外围电路单元区域的底电极进行表面粗糙化；除去磁性隧道结区域的粘合层和光刻胶层；在外围电路单元区域的底电极之上依次沉积赝磁性隧道结参考层、势垒层和记忆层，在磁性隧道结区域的底电极之上依次沉积磁性隧道结参考层、势垒层和结记忆层，在磁性隧道结记忆层和赝磁性隧道结记忆层之上沉积硬掩模层；采用光刻工艺及刻蚀工艺完成磁性隧道结及赝磁性隧道结的图案化。
一种磁性隧道单元

[发明专利]蓝光隧道结纳米环光放大器外延结构及放大器的制备方法-CN202011450850.3有效
发明人：曾丽娜;李林;李再金;乔忠良;李功捷;赵志斌;陈浩;刘国军;曲轶;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：本发明公开了一种蓝光隧道结纳米环光放大器外延结构及放大器的制备方法，包括：衬底层、缓冲层、底部GaN同质结分布布拉格反射镜层、下势垒层、有源层、隧道结层、电流注入层、上势垒层、顶部GaN同质结分布布拉格反射镜层和欧姆接触层；衬底层上依次生长缓冲层、底部GaN同质结分布布拉格反射镜层、下势垒层、有源层、隧道结层、电流注入层、上势垒层、顶部GaN同质结分布布拉格反射镜层和欧姆接触层。本发明能够改善现有纳米环光放大器的刻蚀缺陷，从而能够保证获得高质量的蓝光隧道结纳米环光放大器，方法易于控制，工艺稳定。
隧道纳米放大器外延结构制备方法

[实用新型]超结场效应管-CN201721831506.2有效
发明人：吴多武;马清杰;许正一 -专利权人：南京方旭智芯微电子科技有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供了一种超结场效应管。超结场效应管包括：栅极源极层、漏极层、PN结型半导体层和P型补偿半导体层。PN结型半导体层具有相对设置的第一端和第二端，第一端与栅极源极层连接。P型补偿半导体层嵌入在第二端与漏极层的连接处，用于在超结场效应管处于反向恢复的过程中时，P型补偿半导体层与PN结型半导体层间为PN结导通状态，以使PN结型半导体层中包含注入的空穴，以维持PN结型半导体层中的载流子平衡
半导体层场效应管超结栅极源极第一端漏极层空穴本实用新型载流子平衡导通状态电压波形反向恢复相对设置嵌入震荡电路

[发明专利]超结场效应管及超结场效应管的制造方法-CN201711414698.1在审
发明人：吴多武;马清杰;许正一 -专利权人：南京方旭智芯微电子科技有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种超结场效应管及超结场效应管的制造方法。超结场效应管包括：栅极源极层、漏极层、PN结型半导体层和P型补偿半导体层。PN结型半导体层具有相对设置的第一端和第二端，第一端与栅极源极层连接。P型补偿半导体层嵌入在第二端与漏极层的连接处，用于在超结场效应管处于反向恢复的过程中时，P型补偿半导体层与PN结型半导体层间为PN结导通状态，以使PN结型半导体层中包含注入的空穴，以维持PN结型半导体层中的载流子平衡
场效应制造方法

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