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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]双磁隧道结装置-CN202180081783.9在审
发明人： P·哈什米;B·B·多丽丝;C·科桑达拉曼;孙赞红 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：提供了一种制造双磁性隧道结装置的方法。该方法包括：形成第一磁性隧道结叠层；在第一磁性隧道结叠层上形成自旋传导层；在自旋传导层上形成第二磁性隧道结叠层；以及在自旋传导层和第二磁性隧道结叠层的表面上形成电介质间隔物层。第二磁性隧道结叠层的宽度小于第一磁性隧道结叠层的宽度。此外，自旋传导层的宽度在厚度方向上从自旋传导层的邻近于第二磁性隧道结叠层的第一侧向自旋传导层的邻近于第一磁性隧道结叠层的第二侧增加。
隧道装置

[发明专利]用于减少硅通孔电容变异性的具有改良衬底接触的硅通孔-CN201711321298.6有效
发明人： J·M·萨夫兰;J·N·恩杜马洛;刘觉;S·罗森布拉特;C·科桑达拉曼 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明揭示用于减少硅通孔电容变异性的具有改良衬底接触的硅通孔，其涉及半导体结构，并且特别涉及具有改良型衬底接触的贯穿硅通孔(TSV)结构及制造方法。该结构包括：第一掺杂类型的衬底；位在该衬底上的一层不同掺杂类型；贯穿该衬底所形成、并包含绝缘体侧壁及导电填充材料的贯穿衬底通孔；相邻该贯穿衬底通孔的第二掺杂类型；与该层不同掺杂类型电接触的第一接触；以及与该贯穿衬底通孔的该导电填充材料电接触的第二接触。
用于减少硅通孔电容变异性具有改良衬底接触

[发明专利]可编程相变材料结构及其形成方法-CN200810129458.1有效
发明人： D·M·纽恩斯;L·克鲁辛－艾尔鲍姆;金德起;陈冠能;朴炳柱;B·G·埃尔米格林;林仲汉;C·科桑达拉曼;S·波卢索萨曼 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-07-31 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：一种可编程相变材料(PCM)结构包括在半导体器件的BEOL级形成的加热器元件，该BEOL级包括低K电介质材料于其中；与加热器元件的第一端电接触的第一通孔和与加热器元件的第二端电接触的第二通孔，从而限定通过第一通孔、加热器元件和第二通孔的编程电流通路；置于加热器元件上的PCM元件，该PCM元件配置成通过使用经过加热器元件的编程电流在较低电阻结晶态与较高电阻非晶态之间编程；以及与PCM元件电接触的第三通孔，从而限定通过第三通孔、PCM元件、加热器元件和第二通孔的读出电流通路。
可编程相变材料结构及其形成方法

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