“纳米线器件”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果836062个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]纳米线器件-CN202080053524.0在审
发明人：马齐德·孟希;赫尔格·韦曼;达萨·L·德赫拉杰;比约恩-奥韦·M·菲姆兰;莱杜尔夫·维根;戴维·巴里埃 -专利权人：科莱约纳诺公司;挪威科技大学
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：SiC、Ga2O3或III‑V族半导体基底上；其中存在多个孔道穿过所述石墨烯层；并且其中从所述孔道中的所述基底生长出多个纳米线或纳米锥，所述纳米线或纳米锥包含至少一种半导体的III‑V族化合物。
纳米器件

[发明专利]与CMOS工艺兼容的硅纳米线器件及其制作方法-CN201110266243.6有效
发明人：曹永峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种与CMOS工艺兼容的硅纳米线器件及其制作方法，该种硅纳米线器件的硅纳米线高度降低、高宽比减小，硅纳米线的横向接触面增大，所述硅纳米线器件的制作工艺包括在衬底上形成硅纳米线和源/漏区；在源/漏区上依次形成金属焊垫及接触孔；干法释放硅纳米线器件，暴露出硅纳米线。所述硅纳米线器件的优点是与现有硅纳米线器件相比受侧墙影响大大降低，有效接触面增加，从而硅纳米线器件的受影响率变大，同时由于硅纳米线的宽度增加，大大降低了制作硅纳米线器件对于光刻和刻蚀工艺的要求，有效降低了生产成本
cmos 工艺兼容纳米器件及其制作方法

[发明专利]一种基于桥接生长的纳米线器件及其制备方法-CN201610213762.9有效
发明人：黄辉;渠波 -专利权人：黄辉;渠波
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于桥接生长的纳米线器件及其制备方法。本发明的一种基于桥接生长的纳米线器件，包括设置有凹槽结构的绝缘衬底、导电薄膜和纳米线，导电薄膜设置在凹槽结构的两个侧壁上，一个侧壁上的导电薄膜作为纳米线器件的源电极，另一个侧壁上的导电薄膜作为纳米线器件的漏电极，源电极与漏电极通过纳米线连接。其有益效果是：本发明的纳米线器件具有工艺简单、电接触性能良好的特点；在纳米线生长过程中即可完成纳米线器件的制备，省略了传统的纳米线剥离、转移和排列等步骤，消除了纳米线表面的污染和损伤，并改善了金属电极与纳米线之间的电接触特性
一种基于接生纳米器件及其制备方法

[发明专利]硅纳米线晶体管器件可编程阵列及其制备方法-CN201110089699.X有效
发明人：黄如;邹积彬;王润声;樊捷闻;刘长泽;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-04-11 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供一种基于硅纳米线场效应晶体管的六边形可编程阵列及其制备方法，该阵列包括纳米线器件、纳米线器件连接区和栅连接区，所述纳米线器件呈圆柱形结构，包括硅纳米线沟道、栅介质层和栅区，栅介质层包裹硅纳米线沟道，栅区包裹栅介质层，纳米线器件以六边形排列构成一单元，纳米线器件连接区为3个纳米线器件之间的连接节点，纳米线器件连接区固定在一个硅支架上。
纳米晶体管器件可编程阵列及其制备方法

[发明专利]与CMOS工艺兼容的硅纳米线器件的制作方法-CN201110257393.0有效
发明人：曹永峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-09-01 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种与CMOS工艺兼容的硅纳米线器件的制作方法，该种制作方法在现有技术的制作工艺中，在硅纳米线上沉积覆盖了一层无定形碳层，利用无定形碳层的灰化特性和回流特性，对硅纳米线器件干法释放时进行灰化工艺，干法释放后的硅纳米线器件的硅纳米线没有侧墙，本发明的硅纳米线器件与现有硅纳米线器件制作方法得到的硅纳米线器件相比，接触面积大，受影响率大。
cmos 工艺兼容纳米器件制作方法

[发明专利]一种基于波导器件的单根纳米线的转移方法-CN201611046605.X有效
发明人：吕业刚;沈祥;徐培鹏;张巍;王国祥;戴世勋 -专利权人：宁波大学
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于波导器件的单根纳米线的转移方法，特点是通过压印方法从沉积的纳米线样品取出并分散少量纳米线，经过光学显微镜选取纳米线并定位，在波导器件上通过曝光‑显影工艺在光刻胶上开一个待转移纳米线尺寸大小的窗口，利用热效应和范德华力作用使得纳米线吸附在波导器件上，采用退火处理增加纳米线和波导之间的黏附力，再采用去胶工艺得到基于单根纳米线的光子器件，优点是实现纳米线的分散，并精确定位单根纳米线转移至波导器件的方法，且转移后，其它未选取的纳米线不会污染波导器件本方法与传统方法相比，更加简单、经济，适用范围更广。
纳米线波导器件单根纳米线热效应光学显微镜纳米线样品范德华力光子器件去胶工艺退火处理显影工艺光刻胶波导沉积吸附压印黏附取出曝光污染

[发明专利]纳米线官能化、分散和附着方法-CN201380030869.4有效
发明人： T.M.贾汀;M.哈夫曼;L.G.S.乌尔文隆德;J.E.博里斯特伦;U.纳西姆 -专利权人：索尔伏打电流公司
申请日： 2013-04-11 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：提供了纳米线器件和制造纳米线器件的方法。该器件包括用不同官能化化合物官能化的许多纳米线。该方法包括用官能化化合物将纳米线官能化、将所述纳米线分散在极性或半极性溶剂中、在衬底上排列所述纳米线以使纳米线的纵轴大致垂直于衬底的主要表面取向并将所述纳米线固定到衬底上。
纳米线官能化衬底官能化化合物纳米线器件半极性溶剂表面取向附着垂直制造

[发明专利]硅纳米线器件的制作方法-CN201110328162.4有效
发明人：景旭斌;杨斌;郭明升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅纳米线器件的制作方法，包括以下步骤：在衬底上形成硅纳米线；依次沉积无定形碳层和绝缘抗反射涂层；干法刻蚀去除部分硅纳米线上方的绝缘抗反射涂层和无定形碳层暴露硅纳米线器件区；在上述结构表面沉积氧化膜；在硅纳米线器件区内形成连通至硅纳米线的金属焊垫；在上述结构表面沉积钝化层；采用光刻刻蚀工艺，在金属焊垫上形成接触孔，去除硅纳米线器件区外的硅纳米线上方的钝化层、氧化膜和绝缘抗反射涂层，停留在无定形碳层上；采用灰化工艺，去除硅纳米线器件区外的硅纳米线上方的无定形碳层，暴露出硅纳米线。本发明利用无定形碳层的各向同性刻蚀和各向异性刻蚀的特性，消除了硅纳米线器件中器件区以外的硅纳米线的侧墙。
纳米器件制作方法

[发明专利]一种纳米线气体传感器及其制造方法-CN201910942212.4在审
发明人：黄辉;赵丹娜;尚瑞晨;段海波;吴海宁 -专利权人：深圳市微纳集成电路与系统应用研究院
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： G01N27/407 文献下载
摘要：本发明属于电子技术领域，公开了一种纳米线气体传感器及其制造方法，纳米线气体传感器包括衬底和多根纳米线，多根纳米线设置在衬底的上表面，每个纳米线的两端均设置有电极，多根纳米线的表面分别覆盖多种表面修饰层；通过单根纳米线(或有限根数的纳米线)形成独立纳米线器件，从而形成纳米线器件阵列。通过多根纳米线的表面分别覆盖多种表面修饰层，使得不同的纳米线器件具备不同的气体响应特性，从而实现气体成分识别。
纳米线纳米线器件表面修饰层气体传感器衬底电子技术领域气体成分识别单根纳米线响应特性上表面电极覆盖根数制造

[实用新型]一种纳米线气体传感器及电子鼻系统-CN201921663061.0有效
发明人：黄辉;赵丹娜;尚瑞晨;段海波;吴海宁 -专利权人：深圳市微纳集成电路与系统应用研究院
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： G01N27/407 文献下载
摘要：本实用新型属于电子技术领域，公开了一种纳米线气体传感器及电子鼻系统，纳米线气体传感器包括衬底和多根纳米线，多根纳米线设置在衬底的上表面，每个纳米线的两端均设置有电极，多根纳米线的表面分别覆盖多种表面修饰层；通过单根纳米线(或有限根数的纳米线)形成独立纳米线器件，从而形成纳米线器件阵列。通过多根纳米线的表面分别覆盖多种表面修饰层，使得不同的纳米线器件具备不同的气体响应特性，从而实现气体成分识别。
一种纳米气体传感器电子系统

[发明专利]具有嵌入纳米线LED的LED器件-CN201510112427.5有效
发明人：胡馨华;A·比布尔 -专利权人：苹果公司
申请日： 2015-03-13 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明描述了一种纳米线器件和一种形成准备好拾取并转移到接收衬底的纳米线器件的方法。在实施例中，所述纳米线器件包括基底层和多根纳米线，所述多根纳米线在所述基底层的第一表面上并远离所述基底层的第一表面突出。封装材料侧向围绕所述纳米线器件中的所述多根纳米线，使得所述纳米线嵌入在所述封装材料内。
具有嵌入纳米 led 器件

[发明专利]基于热耦合结构的二维超导纳米线像元阵列结构及成像器-CN202110011055.2有效
发明人：赵清源;陈实 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于热耦合结构的二维超导纳米线像元阵列结构及成像器。该像元阵列结构包括双层超导纳米线成像器件，上层超导纳米线成像器件和下层超导纳米线成像器件为相互独立工作的两支单光子探测系统，由中间绝缘层隔开，通过单层超导纳米线成像器件响应光子后的热效应传递至另一层超导纳米线成像器件触发该另一层超导纳米线成像器件，实现双层超导纳米线响应输出信号。本发明能有效实现大阵列超导纳米线成像，是一种利用微纳传热物理模型的超导纳米线成像器，本发明拓展了超导纳米线成像器的象素规模，提升了像元占空比，提升了超导纳米线延迟线读出成像器的探测效率，实现了红外波段成像的亚波段像素空间分辨率
基于耦合结构二维导纳米线阵列成像

[发明专利]大面积纳米启动宏电子衬底及其用途-CN03825485.9有效
发明人：段镶锋;牛春明;斯蒂芬·恩培多克勒斯;琳达·T·罗马诺;陈建;维坚德拉·萨赫尔;劳伦斯·伯克;戴维·斯顿博;J·瓦利亚塞·帕克;热·L·戈德曼 -专利权人：纳米系统公司
申请日： 2003-09-30 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于具有多个半导体器件的电子衬底的方法和设备。纳米线薄膜形成在衬底上。纳米线薄膜形成具有足够的纳米线密度，从而实现工作电流值。在纳米线薄膜中限定多个半导体区。在半导体器件区中形成接触，由此提供到多个半导体器件的电连接。此外，还公开了用于制造纳米线的各种材料，包括p掺杂纳米线和n掺杂纳米线的薄膜、纳米线异质结构、发光纳米线异质结构、用于在衬底上定位纳米线的流体掩模、用于淀积纳米线的纳米线喷射技术、用于减少或消除纳米线中的电子的声子散射的技术，以及用于减少纳米线中的表面散射的技术。
大面积纳米启动电子衬底及其用途

[发明专利]垂直堆叠的纳米线场效应晶体管-CN201780008884.7有效
发明人： V·马赫卡奥特桑;S·S·宋;M·巴达罗格鲁;J·J·朱;J·鲍;J·J·徐;D·杨;M·M·诺瓦克;C·F·耶普 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种器件包括基板、第一纳米线场效应晶体管(FET)、以及被置于基板和第一纳米线FET之间的第二纳米线FET。该器件还包括电耦合到第一纳米线FET和第二纳米线FET的第一纳米线。
垂直堆叠纳米场效应晶体管

[发明专利]具有调制的纳米线数目的半导体器件-CN201710082990.1有效
发明人： A·卡佩拉尼;K·J·库恩;R·里奥斯;G·比马拉塞蒂;T·加尼;S·金 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-23 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：描述了具有调制纳米线数目的半导体器件和形成这种器件的方法例如，半导体结构包括第一半导体器件，第一半导体器件具有设置于衬底上方并且在具有第一最高纳米线的第一垂直平面中叠置的多个纳米线。第二半导体器件具有设置于衬底上方并且在具有第二最高纳米线的第二垂直平面中叠置的一个或多个纳米线。第二半导体器件包括比第一半导体器件少一个或多个的纳米线。第一和第二最高纳米线设置于与第一和第二垂直平面正交的平面中。
具有调制纳米目的半导体器件

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条