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- [发明专利]掺杂的纳米碳化硅及其在氢燃料电池中的应用-CN202211457795.X在审
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张泽森;张泽慧;张洪涛
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武汉楚能电子有限公司
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2022-11-21
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2023-05-23
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H01M4/90
- 本发明提供了一种掺杂的纳米碳化硅，所述掺杂的纳米碳化硅的化学结构式为(Si,M)xC1‑x，0x1，M是金属元素，所述掺杂的纳米碳化硅存在:Sup>～1023cm‑3浓度的缺陷或复合缺陷，能吸附氢气并氧化氢产生质子并释放电子或称解离氢气为质子和电子，所述掺杂的纳米碳化硅也可吸附氧气并将氧气活化成轴向氧原子态；本发明还提供该掺杂的纳米碳化硅在氢燃料电池的应用，利用该掺杂的纳米碳化硅可制作氢燃料电池的阳极和阴极，组成氢燃料电池。掺杂的纳米碳化硅具有的空位、掺杂原子以及位错缺陷等可以对于所吸附的氢气分解为原子态反应进行催化，促使电子与质子在碳化硅上面解离，质子可在垂直碳化硅层中漂移、扩散、嵌入、传导和透射，大大提升解离氢原子态为质子和电子的效率
- 掺杂纳米碳化硅及其燃料电池中的应用
- [发明专利]一种荧光纳米材料及其制备方法与应用-CN202310440266.7在审
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余琦;李强旺;祝红达;刘明星
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湖北工业大学
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2023-04-21
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2023-08-29
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C09K11/02
- 本发明公开了一种荧光纳米材料及其制备方法与应用，所述方法包括：获得掺杂稀土离子的硫化钙纳米粒子；将所述掺杂稀土离子的硫化钙纳米粒子分散在环己烷中，加入聚氧代乙烯壬基苯基醚、浓氨水和四乙氧基硅烷，反应结束后离心，获得二氧化硅包覆的掺杂稀土离子的硫化钙纳米粒子；将所述二氧化硅包覆的掺杂稀土离子的硫化钙纳米粒子和氨基修饰的硅源混合于乙醇中，获得氨基修饰的二氧化硅包覆的掺杂稀土离子的硫化钙纳米粒子；活化葡萄糖氧化酶的羧基，后加入所述氨基修饰的二氧化硅包覆的掺杂稀土离子的硫化钙纳米粒子反应，获得荧光纳米材料。该荧光纳米材料具有近红外二区(NIR‑Ⅱ)荧光性能，可在葡萄糖溶液中分解并释放钙离子和硫化氢。
- 一种荧光纳米材料及其制备方法应用
- [实用新型]一种AlGaN基深紫外LED外延片-CN202022742461.X有效
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高芳亮;杨金铭
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深圳市昂德环球科技有限公司;惠州市三航无人机技术研究院
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2020-11-24
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2021-07-27
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H01L33/12
- 本实用新型公开了一种AlGaN基深紫外LED外延片，所述AlGaN基深紫外LED外延片包括：生长在蓝宝石衬底上的SiN层、生长在所述SiN层上的多个GaN纳米柱、对应包裹在所述多个GaN纳米柱外层的多个AlN纳米柱壳层、对应包裹在所述多个AlN纳米柱壳层外层的多个AlGaN纳米柱壳层、生长在所述多个AlGaN纳米柱壳层上的非掺杂AlGaN层、生长在所述非掺杂AlGaN层上的n型掺杂AlGaN层、生长在所述n型掺杂AlGaN层上的AlGaN多量子阱层、生长在所述AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层、生长在所述电子阻挡层上的p型掺杂AlGaN层、生长在所述p型掺杂AlGaN层上的p型掺杂GaN层。本实用新型采用纳米柱结构代替传统复杂的多层薄膜缓冲层结构，降低蓝宝石和AlGaN之间的晶格失配，提高了性能。
- 一种algan深紫led外延
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