专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果5044262个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种高晶粒定向压电陶瓷材料的制备方法-CN201310479745.6无效
  • 曾涛;晏海学;王保锋;吴江 - 上海电力学院
  • 2013-10-14 - 2014-02-05 - C04B35/01
  • 本发明涉及一种高晶粒定向压电陶瓷材料的制备方法,该高晶粒定向压电陶瓷材料的化学通式为XaYbOc,其中,X与Y分别为Ca、Nd、Ti、Nb或Sr中的一种元素,且X与Y不同,O为氧元素,a,b,c均为正整数,且a,b,c之间满足正负电荷数平衡,该方法包括以下步骤:(1)采用固相法结合球磨工艺制备类球形XaYbOc;(2)采用熔盐法制备片状XaYbOc;(3)将类球形XaYbOc与片状XaYbOc混合、热压成型,得到高晶粒定向压电陶瓷材料XaYbOc。与传统晶粒定向技术如热锻法和流延成型法相比,本发明制备的高晶粒定向压电陶瓷材料具有晶粒定向程度更高且密度更高,且制备工艺简单等特点。
  • 一种晶粒定向压电陶瓷材料制备方法
  • [发明专利]一种细晶粒铜锡合金及其制备方法-CN201710890661.X有效
  • 邹军涛;冯巧丽;梁淑华;肖鹏;石浩 - 西安理工大学
  • 2017-09-27 - 2020-03-31 - C22C9/02
  • 本发明公开了一种细晶粒铜锡合金,按照质量百分比包括以下原料组分:10%‑16%锡,0.1%‑0.5%钛,余量为铜,上述各组份质量百分比之和为100%;其制备方法,包括以下步骤:步骤1,按照质量百分比称取以下组分:10%‑16%锡,0.1%‑0.5%钛,余量为铜;步骤2,将步骤1称取的各组份混合,进行模压压制,烧结,然后保温得到烧结;步骤3,将步骤2得到的烧结进行表面处理;步骤4,将经过步骤3处理后的烧结进行感应熔炼,使合金化的烧结加热至熔融态,保温,搅拌,快速冷却,得到细晶粒铜锡合金。通过本发明制备方法可以得到晶粒细化、组织均匀的铜锡合金。
  • 一种晶粒合金及其制备方法
  • [发明专利]一种钛酸钡及其制备方法与应用-CN202210432650.8在审
  • 马艳红;孙国栋 - 南充三环电子有限公司;潮州三环(集团)股份有限公司
  • 2022-04-22 - 2022-07-29 - C01G23/00
  • 本发明属于陶瓷材料技术领域,具体涉及一种钛酸钡及其制备方法和应用。本发明以碳酸钡和二氧化钛为原料,通过研磨分散、过筛干燥、煅烧获得料,将碳酸钡和料混合进行研磨分散、干燥后,通过煅烧得到钛酸钡。本发明采用固相法,结合两步研磨分散工艺、两步煅烧工艺及两次碳酸钡加料工艺,制备出的钛酸钡晶粒分布均匀、大小可控,结晶性好;本发明通过优化各步骤的工艺参数,在保证了钛酸钡平均晶粒尺寸为310~330nm的同时,提高了钛酸钡晶粒分布均匀性,并提高了晶体的结晶度,工艺适用范围广,满足后续多层陶瓷电容器小尺寸产品的开发要求。
  • 一种钛酸钡及其制备方法应用
  • [发明专利]一种绝缘导热、材料及其制备方法-CN201210543932.1有效
  • 胡军辉;刘建州 - 深圳市百柔新材料技术有限公司
  • 2012-12-14 - 2017-09-19 - C09K5/14
  • 本发明涉及一种绝缘导热、基于该绝缘导热的绝缘导热材料及其制备方法。该绝缘导热包括石墨插层复合物颗粒,所述石墨插层复合物颗粒的微观结构包括多个石墨晶粒、分布在单个石墨晶粒的碳原子层之间以及分布在两石墨晶粒间隙的纳米级导热绝缘金属氧化物,所述石墨插层复合物颗粒表面还包覆有导热绝缘金属氧化物本发明所提供的方法制备出的绝缘导热中的石墨插层复合物颗粒具有绝缘导热的特性。本发明的绝缘导热具有导热率高,同时还具有绝缘的特性,非常适用于制备导热塑料、导热橡胶和导热涂料等导热材料。
  • 一种绝缘导热材料及其制备方法
  • [发明专利]一种致密HfC(Si)-HfB2-CN201811576879.9有效
  • 郝巍;赵晓峰;倪娜;蔡黄越;姚尧;易妹玉;郭芳威;肖平 - 上海交通大学
  • 2018-12-23 - 2021-09-10 - C04B35/56
  • 本发明涉及一种致密HfC(Si)‑HfB2复相陶瓷的制备方法,将氧化铪、纳米碳黑以及六硼化硅按摩尔比为1~10∶1~20∶1~5的比例混合,获得混合,经过进行球磨混合均匀,然后进行干燥,形成均匀的混合;将得到的均匀混合装入石墨模具中进行放电等离子烧结,即原位碳‑硼热还原反应‑烧结致密化一步工艺完成,制备得到致密度为94.0%~100%且晶粒均匀弥散分布的与现有技术相比,本发明烧结制备得到物相组成和晶粒尺寸均匀分布,同时其陶瓷烧结具有较高的致密性和断裂韧性,避免传统先制备过程中难以控制成分和晶粒尺寸,后期烧结陶瓷过程中难以致密化。
  • 一种致密hfcsihfbbasesub

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top