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[发明专利]低氧含量钛粉或钛合金粉及降低其氧含量的方法-CN202310880772.8在审
发明人：杨凯军;陈冲;李庆奎;吴小超;李禹静;孙本双;王成铎;何季麟 -专利权人：郑州大学
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：本发明实施例公开了低氧含量钛粉或钛合金粉及降低其氧含量的方法；方法包括步骤：S1、钛粉或钛合金粉与氧化钙粉混合，得混合粉体；S2、混合粉体与还原剂混合，在保护气氛中反应，反应温度设置为850～1200℃，反应时间设置为0.5～8h；其中，还原剂为钙粉体或者氢化钙粉体，保护气氛为氢气、氩气或氢气与氩气的混合气体；S3、洗涤反应产物，得到低氧含量的钛粉或钛合金粉。方法通过还原剂钙以及氢化钙与钛粉或钛合金Ti‑6Al‑4V粉的直接接触进行降氧，通过引入氢降低钛与氧的结合能力并在后续有效除氢有效来降低还原剂用量，并通过加入氧化钙粉末来阻碍高温时粉体的团聚烧结现象，得到低氧含量的钛粉或钛合金粉体；生产成本低，适于规模化生产。
低氧含量钛合金降低方法

[发明专利]一种废铍电化学回收的方法-CN202310857189.5在审
发明人：高彪峰;赵中伟;王东新;孙本双;罗文;李思哲;李军义;杨一群;何季麟 -专利权人：郑州大学;中原关键金属实验室;西北稀有金属材料研究院宁夏有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C25C3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种废铍电化学回收的方法，技术方案是，先构建含铍氟化物或含铍氟氯化物熔盐体系，然后以废铍为阳极，在保护气气氛下进行电化学选择性溶解‑沉积，得到阴极产物，最后清除阴极产物的夹盐，得到高纯金属铍。相较于火法重熔等，本发明电化学反应回收的反应驱动力大，可断开废铍中的Be‑O等键能大的键，破除火法难重熔的难题，同时电化学回收控制精度高。本申请在熔盐体系中加入铍离子，并控制铍盐浓度，在电化学过程中保持铍离子浓度相对稳定，便于稳定电解，若初始无铍离子，则难以阴极沉积铍。本发明实现废铍再利用，既实现了废铍无害化，又实现了其资源化，产生了经济效益同时，弥补了我国铍资源的不足。
一种电化学回收方法

[发明专利]高致密无开裂细晶铟锡氧化物管状靶材的制备方法-CN202211445828.9有效
发明人：陈杰;熊富迪;孙本双;齐超;刘洋;何季麟 -专利权人：郑州大学;中原关键金属实验室
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明属于无机材料制备技术领域，涉及高致密无开裂细晶铟锡氧化物管状靶材的制备方法，包括如下步骤：以氧化铟、氧化锡为原料，加入纯水和分散剂，在球磨机中进行混合球磨后加入消泡剂，搅拌均匀，转入砂磨机中并加入粘结剂进行砂磨，得浆料；浆料用喷雾法制备造粒粉；将造粒粉填充入管状靶材模具中；采用冷等静压成型技术获得素坯；使用两步细晶烧结法对素坯进行烧结。本发明采用两步细晶烧结法得到的管状靶材致密度可以达到99.8%以上，晶粒尺寸小于5μm，有效解决了管状靶材高致密的同时晶粒不易控制的问题。
致密开裂细晶铟锡氧化物管状制备方法

[发明专利]镧系稀土掺杂氧化铟锌溅射靶材及其制备方法-CN202310725828.2在审
发明人：王之君;吴彬;孙本双;王成铎;陈杰;刘洋;刘苗;曾学云 -专利权人：郑州大学
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明公开了一种镧系稀土掺杂氧化铟锌溅射靶材及其制备方法，其包括：分别制备硝酸铟溶液、锌盐溶液、镧系稀土盐溶液；混合硝酸铟溶液、锌盐溶液、镧系稀土盐溶液，得到混合液；向混合液中滴加沉淀剂进行沉淀反应，调节混合液的pH值至5～11，将混合液装入高压釜中，在100～300℃下进行水热反应18～36h，得到前驱体溶液；前驱体溶液洗涤、干燥得到前驱体粉末，在400～800℃下煅烧5～18h，得到镧系稀土掺杂氧化铟锌粉末；镧系稀土掺杂氧化铟锌粉末和乙酸溶液混合，研磨形成镧系稀土掺杂氧化铟锌浆料倒入半密封模具中，在300～600MPa，300～500℃下进行烧结，得到镧系稀土掺杂氧化铟锌陶瓷样品，在保护气氛下进行退火处理，得到镧系稀土掺杂氧化铟锌溅射靶材。
稀土掺杂氧化溅射及其制备方法

[发明专利]IZO薄膜及其制备方法-CN202310707873.5在审
发明人：王之君;韩冰雪;孙本双;王成铎;陈杰;刘洋;刘苗;曾学云 -专利权人：郑州大学
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种IZO薄膜及其制备方法。IZO薄膜的制备方法包括：将石英玻璃片粘贴在磁控溅射腔体内的基板上，将IZO靶材设置在磁控溅射腔体内，并调整IZO靶材与基板的距离为50～90mm；对磁控溅射腔体抽真空，至4～6×10‑4pa时，以一定流量向磁控溅射腔体内通入氩气或氧气和氩气的混合气体，其中，混合气体中氩气与氧气的体积比为40:1～4；调节磁控溅射腔体的溅射功率为60～120W、溅射气压为0.5～0.8pa、溅射时间为10～40min，对IZO靶材进行磁控溅射，得到IZO薄膜。
izo 薄膜及其制备方法

[发明专利]一种中熵合金粘结剂高比重合金及其制备方法-CN202211383837.X有效
发明人：王成铎;张园青;任复杰;李庆奎;孙本双;曾学云;杨凯军;吴小超 -专利权人：郑州大学
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C22C27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种中熵合金粘结剂高比重合金及其制备方法。中熵合金粘结剂高比重合金由中熵合金粘结剂和钨基体组成；粘结剂由元素Ni、Fe和Cr组成。将粘结剂元素组成中单质粉末原料装入球磨罐中球磨处理，得到粘结剂粉末原料；然后按照高比重合金组成称取钨粉末和所得粘结剂粉末，装入球磨罐中球磨处理，得到混合粉末；混合粉末进行成型，得到生坯；生坯依次进行氢气气氛下烧结和真空条件下热处理，得到中熵合金粘结剂高比重合金。本发明采用中熵合金作为高比重合金粘结剂，可以改善合金的强度和塑性，同时能够改善高比重合金的耐腐蚀性能；同时，通过本发明能够提升高比重合金的烧结致密度和力学性能。
一种合金粘结比重及其制备方法

[发明专利]一种铕钡铜氧化物超导溅射靶材的制备方法及其产品-CN202310588609.4在审
发明人：刘洋;张文宇;孙本双;王成铎;曾学云 -专利权人：郑州大学
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C04B35/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种铕钡铜氧化物超导溅射靶材的制备方法及其产品，属于超导材料技术领域。本发明将氧化铕粉体、碳酸钡粉体与氧化铜粉体按1:4:6的摩尔比混合，得到第一混合粉体，经煅烧处理得到第二混合粉体；将第二混合粉体与分散剂、粘结剂和水混合，得到铕钡铜氧化物浆料，经压力注浆成型得到铕钡铜氧化物靶材素坯，再经干燥处理和脱脂烧结处理，得到铕钡铜氧化物超导溅射靶材。本发明铕钡铜氧化物靶材素坯中的氧化物粉体经过脱脂烧结过程形成主相，二次相CuO均匀分散在主相之间，得到了组织均匀的铕钡铜氧化物超导溅射靶材，晶粒之间紧密接触，结构致密程度高。
一种铕钡铜氧化物超导溅射制备方法及其产品

[发明专利]一种稀土掺杂硫氧化钆粉体的制备方法-CN202310624773.6在审
发明人： 孙本双;王荣炀;栗振洲;王成铎;何季麟;李庆奎 -专利权人：郑州大学
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C01F17/294 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土掺杂硫氧化钆粉体的制备方法。将氨基磺酸加入去离子水中，搅拌至澄清，得到NH2SO3H溶液；然后将氧化钆、氧化镨和氧化铈加入所得NH2SO3H溶液中搅拌均匀，得到混合溶液；混合溶液转移至水浴锅中，持续搅拌升温，并调节pH值进行沉淀反应，反应后得到沉淀混合物；将沉淀混合物依次进行离心分离、洗涤和烘干，得到前驱体粉末；所得前驱体粉末进行煅烧，煅烧后得到Gd2O2S:Pr,Ce粉体。利用本发明制备稀土掺杂Gd2O2S粉体，能够解决现有沉淀法存在的原料成本高、分体易团聚、存在安全隐患的技术问题。
一种稀土掺杂氧化钆粉体制备方法

[发明专利]稀土掺杂氧化铟锌溅射膜靶及其制备方法-CN202310666464.5在审
发明人：王之君;陈重阳;孙本双;王成铎;陈杰;刘洋;刘苗;曾学云 -专利权人：郑州大学
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土掺杂氧化铟锌溅射膜靶及其制备方法。该制备方法包括步骤：S1、取设定量的铟盐溶液、锌盐溶液、稀土盐溶液混合，并加入设定量的纯水、稳定剂和有机溶剂，搅拌得到前驱体溶液；S2、将前驱体溶液旋涂在硅晶片上，对涂覆有前驱体溶液的硅晶片进行干燥；S3、干燥后的硅晶片在设定温度下退火处理，得到稀土掺杂氧化铟锌复合物薄膜；其中，退火处理的温度为200～400℃；S4、通过铟颗粒将稀土掺杂氧化铟锌复合物薄膜粘在钛背板上，得到稀土掺杂氧化铟锌溅射膜靶。本发明实施例公开的稀土掺杂氧化铟锌溅射膜靶的制备方法制备工艺简单，节省能耗，成型产品透光率高，电阻率低。
稀土掺杂氧化溅射及其制备方法

[发明专利]一种氧化铍电极材料、铍-氧化铍金属陶瓷及其制备方法-CN202310497022.2在审
发明人：高彪峰;肖松文;苗永锋;孙本双;何季麟 -专利权人：郑州大学
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C04B38/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体封装材料技术领域，尤其涉及一种氧化铍电极材料、铍‑氧化铍金属陶瓷及其制备方法；以氧化铍原料和成孔剂为原料，经成型、烧结处理，制备得到所述氧化铍电极材料。铍‑氧化铍金属陶瓷制备方法包括：以氧化铍电极材料用作为阴极，在导电介质中电化学还原，由氧化铍电极材料制备铍/氧化铍固体；分离铍/氧化铍固体，粉末化处理得到铍/氧化铍金属陶瓷，解决了现有技术中铍/氧化铍金属陶瓷制备能耗大、原料损失大、原料成本高和难以精确控制原料比例等问题，避免了金属铍的引入，简化了工艺步骤，降低了成本，并实现了反应程度精确化控制制备不同含量比例的铍‑氧化铍金属陶瓷。
一种氧化铍电极材料金属陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种特定取向的大规格金属单晶及其制备方法-CN202210837058.6有效
发明人：刘苗;孙本双;丁振卿;何季麟;朱锦鹏 -专利权人：郑州大学
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种特定取向的大规格金属单晶及其制备方法，属于单晶金属制备技术领域。本发明将金属置于底部带有微孔的熔炼模具中进行挤压熔炼，得到金属熔体；所述金属熔体通过所述熔炼模具底部的微孔进入铸型模具，在金属单晶薄膜的诱导下进行金属单晶逐层凝固生长，得到特定取向的大规格金属单晶。该制备方法制备得到的金属单晶的直径可达150～300mm，且制备流程短，操作简单，成本低，成材率高，能实现多规格任意特定取向的单晶金属制备。
一种特定取向规格金属及其制备方法

[发明专利]镨掺杂氧化铟锌溅射靶材及其制备方法-CN202310048422.5有效
发明人：王之君;孙本双;刘洋;何季麟;韩冰雪;王成铎;陈杰;曾学云;刘苗 -专利权人：郑州大学
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明实施例公开了镨掺杂氧化铟锌溅射靶材的制备方法，包括：将Pr2O3粉体、In2O3粉体、ZnO粉体按设定质量比混合，加入添加剂调制成浆料；砂磨得到含有单一粒径颗粒的浆料；浆料喷雾造粒得到球形造粒粉；球形造粒成型得到靶材素坯；靶材素坯进行脱脂烧结一体化处理，脱脂烧结一体化处理的烧结过程包括：从脱脂温度升温到第一台阶温度850～1150℃，升温速率为3～5℃/min，保温8～24小时；从第一台阶温度升温至第二台阶温度1450～1550℃，升温速率为5～10℃/min，不保温；从第二台阶温度降温到第三台阶烧结温度1150～1250℃，降温速率为10～20℃/min，保温12～36小时；从第三台阶温度降温到600℃，降温速率为1～3℃/min；然后自然冷却，得到晶粒细小、二次相可控的镨掺杂氧化铟锌溅射靶材。
掺杂氧化溅射及其制备方法

[发明专利]一种氟化物熔盐电解氧化铍制备金属铍的方法-CN202111586134.2有效
发明人：赵中伟;高彪峰;肖松文;孙本双;苗永锋;何季麟 -专利权人：郑州大学
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C25C3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氟化物熔盐电解氧化铍制备金属铍的方法，包括以下步骤：(1)构建BeF2‑MFn熔盐体系，其中MFn为碱金属氟化物或除氟化铍外的碱土金属氟化物中的一种或以上；(2)将氧化铍加入熔融态的BeF2‑MFn熔盐体系中；(3)电解，在阴极上析出固态金属铍。本发明采用铍冶炼中间产物氧化铍为原料，将其溶解于熔盐中，解离出铍离子和氧离子，因正负相吸引，带负电的氧离子移动至阳极，失去电子，得到氧气或含碳气体，而带正电的铍离子移动至阴极，得电子被还原为铍原子而沉积于阴极表面；此方法极大地缩短了工艺流程，提高铍的直收率；且以氧化铍为原料，在阳极上产生二氧化碳和氧气，更环保。
一种氟化物电解氧化铍制备金属方法

[发明专利]氧化铟锡锌靶材及其制备方法-CN202310073135.X在审
发明人：李景辉;刘苗;孙本双;王成铎;陈杰;刘洋;曾学云;王之君 -专利权人：郑州大学
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明实施例公开了氧化铟锡锌靶材的制备方法，包括：纳米氧化铟粉体、纳米氧化锡粉体和纳米氧化锌粉体按照设定比例混合，得到混合粉体；得到的混合粉体与设定比例的消泡剂、分散剂、粘结剂混合，然后依次经过高速分散处理、超声处理和球磨混合，得到混合浆料；混合浆料经过喷雾造粒，得到氧化铟、氧化锡、氧化锌混合粉体；得到的混合粉体经过放电等离子烧结；烧结得到的产物经过退火，得到氧化铟锡锌靶材。得到的氧化铟锡锌靶材载流子迁移率高，能够作为性能优良的原料制备性能优良的氧化物半导体和薄膜晶体管，在半导体显示技术领域有良好应用前景。
氧化铟锡锌靶材及其制备方法

[发明专利]一种钼铌或钼钽合金的制备方法-CN202211221117.3有效
发明人：王成铎;任复杰;何季麟;孙本双;李庆奎;杨凯军;吴小超 -专利权人：郑州大学
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C22C27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种钼铌或钼钽合金的制备方法。称取钼粉和铌粉或者钼粉和钽粉装入球磨罐中，并加入纳米炭黑或含碳有机物，在氩气气氛下进行球磨处理，球磨后得到混合粉末原料；所得混合粉末原料在压力为100～300MPa条件下进行模压或冷等静压成型，得到生坯；所得生坯在真空条件下进行分段烧结，烧结后得到具有良好热成形性能的钼铌合金或钼钽合金。本发明技术方案采用普通粉末冶金技术制备钼铌合金或钼钽合金，比熔炼法制备合金的晶粒小，比热压或热等静压技术采用的设备简单，生产成本低，所制备钼铌合金或钼钽合金的热成形性能好。
一种合金制备方法

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