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[发明专利]晶体管控制电路和控制方法、以及使用该电路的有源矩阵显示设备-CN200680037829.2有效
发明人： D·A·费什;J·M·沙农 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2006-09-29 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：一种晶体管控制电路(74)，包括源极－栅控薄膜晶体管(70)，用于接收表示源极－栅控晶体管的所需控制的驱动电压的输入，以及使已知电流流过源极－栅控晶体管(70)的电流源(82)。当已知电流流过源极－栅控晶体管时，第一电容器(78)存储源极－栅控晶体管所产生的栅－源电压。使用所产生的栅－源电压修改驱动电压，并使用修改后的电压控制源极－栅控晶体管。这种控制可提供晶体管的工作特性的平移，并且发现可补偿晶体管的老化、不同设备之间的不均匀性以及温度改变。
晶体管控制电路控制方法以及使用电路有源矩阵显示设备

[发明专利]用于使用箝位来进行数据保留和供给噪声缓解的装置-CN201780024205.5有效
发明人： P·A·迈内尔茨哈根;S·T·吉姆;A·A·塔佩洛;M·M·科拉 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2017-04-05 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：提供了一种装置，该装置包括：第一功率栅晶体管，耦合至非栅控功率供给节点和栅控功率供给节点，该第一功率栅晶体管具有可由第一逻辑控制的栅极端子；以及第二功率栅，耦合至非栅控功率供给节点和栅控功率供给节点，该第二功率栅晶体管具有可由第二逻辑控制的栅极端子，其中，第一功率栅晶体管比第二功率栅晶体管大，并且其中，第二逻辑可操作以：弱导通第二功率栅，完全导通第二功率栅，断开第二功率栅，以及将第二功率栅连接为二极管。
用于使用箝位进行数据保留供给噪声缓解装置

[发明专利]栅控二极管存储器单元及其写入方法-CN200410094909.4有效
发明人：温格·K·鲁克;罗伯特·H·丹纳德 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2004-11-18 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： G11C11/401 文献下载
摘要：提供一种栅控二极管存储器单元，包含例如场效应晶体管(″FET″)的一或多个晶体管，和栅控二极管，所述栅控二极管与FET进行信号传送，使得栅控二极管的栅极与第一FET的源极进行信号传送，其中栅控二极管的栅极形成存储单元的一个端子，并且栅控二极管的源极形成存储单元的另一个端子，第一FET的漏极与位线(″BL″)进行信号传送，并且第一FET的栅极与写字线(″WLw″)进行信号传送，而栅控二极管的源极与读字线(″WLr″)进行信号传送
二极管存储器单元及其写入方法

[发明专利]包括弛豫衬里的栅控二极管结构和方法-CN201080012138.3无效
发明人： A·I·舒;G·G·弗里曼;K·麦克斯戴;S·纳拉辛哈 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H01L21/33 文献下载
摘要：一种栅控二极管结构和用于在SOI衬底(10)上制造栅控二极管结构的方法，使用弛豫衬里(34’)，该弛豫衬里源自在与栅控二极管结构同时形成的场效应晶体管中典型地使用的应力衬里(34)。所述弛豫衬里与应力衬里相比改善了栅控二极管理想度而没有对栅控二极管的任何损害，而在使用反应离子蚀刻方法从栅控二极管剥离应力衬里则会发生对栅控二极管的损害。
包括衬里二极管结构方法

[发明专利]一种栅控行波管阴极老炼激活系统及方法-CN201810296439.1有效
发明人：陈振林;曹建;孙瑾;邓力;杨利斌;桑德一 -专利权人：中国人民解放军海军航空大学
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01J9/50 文献下载
摘要：本发明公开的一种栅控行波管阴极老炼激活系统及方法，属于行波管阴极激活技术领域。本发明公开的一种栅控行波管阴极老炼激活系统，包括测控单元、供电单元、浮动板调制器、灯丝电源、阴极电源、收集极电源、钛泵电源、微波信号源、微波功率计和衰减器，激活对象为行波管。本发明还公开用于一种栅控行波管阴极老炼激活系统的一种栅控行波管阴极老炼激活的方法。本发明要解决的技术问题为：实现栅控行波管阴极老炼激活，提高栅控行波管可靠性、稳定性和使用寿命，且能够实现如下目的：提高栅控行波管管内真空度；提高各极绝缘性；激发阴极活性；提高行波管阴极电子发射能力。
栅控行波管阴极老炼激活系统激活行波管阴极电子发射能力浮动板调制器收集极电源微波功率计微波信号源测控单元灯丝电源供电单元使用寿命阴极电源阴极活性钛泵电源绝缘性衰减器行波管行波激发

[实用新型]栅控整流器-CN200820176906.9无效
发明人：王志良;余金生;翁博泰 -专利权人：洋鑫科技股份有限公司;王志良
申请日： 2008-11-11 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：本实用新型是一种栅控整流器，该栅控整流器包含一线电压极性检测电路、一固定电压源、一驱动电路与一栅控晶体管。该线电压极性检测电路检测线电压的极性且控制该驱动电路以导通或截止该栅控晶体管。该栅控晶体管可为一金属氧化物半导体场效应晶体管具有一栅极、一源极与一漏极或一绝缘栅双极晶体管具有一栅极、一发射极与一集电极。该固定电压源由外部电路提供或感应且被参考至该金属氧化物半导体场效应晶体管的该源极或该绝缘栅双极晶体管的该发射极。由于较低的导通损失，此栅控整流器可被应用于整流电路以提高整流效率从而克服传统的二极管整流器通常苦于较高的导通损失的缺点。
整流器

[发明专利]一种提高栅控晶体管线性度的方法及其结构-CN201510196111.9有效
发明人：王元刚;冯志红;吕元杰;敦少博;徐鹏;宋旭波;周幸叶;谭鑫;顾国栋;郭红雨;蔡树军 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高栅控晶体管线性度的方法及其结构，涉及半导体器件技术领域；通过采用离子注入或挖槽技术实现沟道层上栅电极正下方区域沿栅电极的宽度方向沟道浓度单调递增，有效增加了栅控晶体管的线性度。本发明结构应用于栅控晶体管，相比于前馈法和功率回退法，简化了电路结构和体积，提高了栅控晶体管的输出功率和效率，方法简便，可靠性高。
一种提高晶体管线性方法及其结构

[实用新型]一种制备氟化钾与氟化钠所用的控温结晶装置-CN202222163557.X有效
发明人：南东东;闫予宏;张阳艳;何春生;陈雄;欧阳庆华 -专利权人：宜章志存新能源有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B01D9/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种制备氟化钾与氟化钠所用的控温结晶装置，所述控温结晶装置包括结晶系统、控温系统、及所述检测与传热系统；所述检测与传热系统位于所述结晶系统与所述控温系统之间；其中，结晶系统包括结晶管、与挡栅，所述挡栅位于所述结晶管的内腔下部，且所述挡栅与所述结晶管可拆卸连接，所述结晶管为内径均匀的管状结构，沿竖直方向，所述结晶管的截面为圆形；所述挡栅为弧形结构，所述挡栅的下表面与所述结晶管的内表面密封连接本申请所用控温结晶系统可对氟化钾及氟化钠的结晶过程精确控温，从而提高钨锡尾矿对氟化钾与氟化钠的提取效率。
一种制备氟化钾氟化钠所用结晶装置

[发明专利]栅控整流器及其应用于整流电路-CN200810174895.5无效
发明人：王志良;余金生;翁博泰 -专利权人：洋鑫科技股份有限公司;王志良
申请日： 2008-11-11 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：本发明是一种栅控整流器及其应用于整流电路，该栅控整流器包含一线电压极性检测电路、一固定电压源、一驱动电路与一栅控晶体管。该线电压极性检测电路检测线电压的极性且控制该驱动电路以导通或截止该栅控晶体管。该栅控晶体管可为一金属氧化物半导体场效应晶体管具有一栅极、一源极与一漏极或一绝缘栅双极晶体管具有一栅极、一发射极与一集电极。该固定电压源由外部电路提供或感应且被参考至该金属氧化物半导体场效应晶体管的该源极或该绝缘栅双极晶体管的该发射极。由于较低的导通损失，此栅控整流器可被应用于整流电路以提高整流效率从而克服传统的二极管整流器通常苦于较高的导通损失的缺点。
整流器及其应用于整流电路

[发明专利]一种阵列基板、其制作方法及显示装置-CN202010118718.6有效
发明人：王海涛;刘军;刘宁;王庆贺;汪军;成军 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板、其制作方法及显示装置，包括：衬底基板，位于衬底基板上的触控晶体管和显示晶体管；其中，触控晶体管，包括：层叠设置的第一有源层、第一栅绝缘层和第一栅极；显示晶体管，包括：层叠设置的第二有源层、第二栅绝缘层和第二栅极；第一栅绝缘层的厚度大于第二栅绝缘层的厚度。通过沉积一层较厚的栅绝缘层，再通过半曝光工艺对触控晶体管所在区域的栅绝缘层进行一次刻蚀形成较厚的第一栅绝缘层，并对显示晶体管所在区域的栅绝缘层进行二次刻蚀形成减薄的第二栅绝缘层，有效改善了因栅绝缘层缺失导致的亮点和暗点不良，保证了触控晶体管和显示晶体管的特性，提高了产品品质。
一种阵列制作方法显示装置

[发明专利]一种集成栅控二极管的碳化硅MOSFET元胞版图结构-CN202210525778.9有效
发明人：顾航;高巍;戴茂州 -专利权人：成都蓉矽半导体有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成栅控二极管的碳化硅MOSFET元胞版图结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明采用分离栅设计，单片集成了栅控二极管；版图上将栅控二极管集成到了每一个MOSFET元胞内部，并且从图形上将栅控二极管与MOSFET的分离栅沟道设计为圆形，以解决分离栅边缘电场集中所带来的可靠性问题相对于传统单片集成中将主副器件分别单独布局的方法，本发明的优点在于均匀的将主器件MOSFET和集成器件栅控二极管布置到了整个有源区，使得两种器件都获得更大的有效散热面积，提高了各自的电流能力和鲁棒性。
一种集成二极管碳化硅 mosfet 版图结构

[发明专利]采样保持电路中电荷注入噪声的降低-CN201680061898.0有效
发明人：诺姆·埃谢尔;戈兰·蔡特尼;滋维卡·卢普 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G11C27/02 文献下载
摘要：一种采样保持电路包括：第一晶体管；第二晶体管，其设置在第一晶体管的栅电极和漏电极之间；采样电容器，该采样电容器的电极连接至第一晶体管的栅电极；以及第一电流源，其连接至第一晶体管的漏电极，其中，第二晶体管的栅电极接收栅控信号栅控信号的最小电压为Vth2+Vsat2+Vth1+Vsat1th2是第二晶体管的阈值电压，并且Vsat2是第二晶体管的饱和电压。栅控电路将栅控信号提供给第二晶体管，并且栅控电路包括：第三晶体管；第四晶体管，其与第三晶体管串联连接；第二电流源；以及反向器，其被构造成接收电源电压和反向器控制信号，并输出栅控信号。第三晶体管、第四晶体管和第二电流源将电源电压提供给反向器。
采样保持电路电荷注入噪声降低

[发明专利]绝缘栅双极晶体管结构及其制造方法-CN202010650268.5有效
发明人：陈骏盛;方彦程;陈姿含 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开一种绝缘栅双极晶体管结构及其制造方法，其中该绝缘栅双极晶体管结构包括基底与第一栅控PNPN二极管。第一栅控PNPN二极管位于基底上。第一栅控PNPN二极管包括第一栅极、第一源极/漏极延伸区与第二源极/漏极延伸区。第一栅极位于基底上。第一源极/漏极延伸区与第二源极/漏极延伸区位于第一栅极两侧的基底中。
绝缘双极晶体管结构及其制造方法

[发明专利]一种栅控二极管半导体存储器器件的制造方法-CN201210061480.3有效
发明人：王鹏飞;林曦;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2012-03-11 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/8254 文献下载
摘要：本发明属于半导体存储器器件制造技术领域，具体公开了一种栅控二极管半导体存储器器件的制造方法。本发明采用低温工艺制备栅控二极管半导体存储器器件，工艺过程简单、制造成本低，而且所制造的栅控二极管存储器器件具有大驱动电流、小亚阈值摆幅的优点。本发明所提出的栅控二极管半导体存储器器件的制造方法特别适用于平板显示、浮栅存储器以及基于柔性衬底的存储器器件的制造中。
一种二极管半导体存储器器件制造方法

[发明专利]一种栅控二极管半导体器件的制造方法-CN201210061478.6有效
发明人：王鹏飞;林曦;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2012-03-11 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件制造技术领域，具体为一种栅控二极管半导体器件的制造方法。本发明采用低温工艺制备栅控二极管半导体器件，工艺过程简单、制造成本低，而且所制造的栅控二极管器件具有大驱动电流、小亚阈值摆幅的优点。本发明所提出的栅控二极管半导体器件的制造方法特别适用于平板显示、相变存储器的读写器件以及基于柔性衬底的半导体器件的制造中。
一种二极管半导体器件制造方法

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