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[发明专利]一种建筑垃圾废料加工处理装置及其处理方法-CN202211545240.0在审
发明人：彭程;张胜林;蔡树军;肖贤华;陈亮;郑新建;王政杰;王全全;吴昊;曹巍 -专利权人：国网江苏省电力有限公司连云港供电分公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B07B1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种建筑垃圾废料加工处理装置及其处理方法，通过齿圈带动筛选筒旋转且对破碎后的废料进行筛分处理，由于齿圈外设有三个齿轮，对应两个齿轮驱动同一个连接轴转动，且与之连接的凸轮也随着旋转，在凸轮偏转的过程中能够通过弧形推块顶动U型架，使U型架带动底部的两个压辊远离筛选筒，并且使U型架挤压弹性件，随着凸轮的突出端脱离弧形推块后，通过弹性件的支撑使U型架快速向筛选筒靠近并且敲击筛选筒，如此往复，通过配合筛选筒旋转周期性的敲击，能够震落附着在筛孔一、筛孔二和筛孔三内的废料，通过三个方向对筛选筒进行持续敲击进一步提高清堵效果，满足多规格废料筛选的高品质要求，有利于废料的回收利用工作。
一种建筑垃圾废料加工处理装置及其方法

[发明专利]一种电力变电站用预制围墙压顶及施工方法-CN202211535164.5在审
发明人：彭程;张胜林;蔡树军;肖贤华;陈亮;郑新建;王政杰;王全全;吴昊;曹巍 -专利权人：国网江苏省电力有限公司连云港供电分公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： E04H17/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种电力变电站用预制围墙压顶及施工方法，涉及建筑墙材技术领域。本发明包括围墙主体，所述围墙主体的顶部设置有压顶装置，所述压顶装置包括压顶主体和中空杆，所述压顶主体设置在围墙主体的顶部，所述压顶主体的内壁底部左侧和右侧均贯穿且滑动安装有伸缩板，两个所述伸缩板的相对一侧固定有弹性斜板，所述围墙主体的顶部左侧和右侧均设置有用于对弹性斜板位置进行限制的挡块，所述压顶主体的内壁左侧和右侧均滑动安装有U形滑架。本发明通过压顶装置的设置，使得皮带轮、中空杆、凸轮和U形滑架配合推动三角板将填充料平摊在压顶主体的内部，从而使得填充料快速填充在压顶主体的内部。
一种电力变电站预制围墙压顶施工方法

[发明专利]微带电路调试方法及调节模块-CN202110350859.5有效
发明人：默江辉;王川宝;马杰;张力江;崔玉兴;高永辉;徐守利;蔡树军;卜爱民 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种微带电路调试方法及调节模块，包括：制作调节模块，调节模块为金属块状物，金属块状物的宽度小于等于待测微波器件波长的四分之一，组装微波测试系统，将一个或多个调节模块放置在微带电路上；调试：借助绝缘夹将调节模块沿微带线延伸方向移动，并实时记录微波测试仪测定的微波器件的功率；阻抗匹配：标记微波器件功率最大时、调节模块对应的位置，在该位置上固定与调节模块的长度和宽度匹配的铜带或铟片；对固定铜带或铟片的微带电路重复调试和阻抗匹配步骤，直至所述微波器件的功率不再变化。本发明提供的微带电路调试方法及调节模块保证了器件测试的稳定性、准确性，保证了微波模块效率的持续提升。
微带电路调试方法调节模块

[发明专利]一种电网施工安全考核培训方法、系统及电子设备-CN202210713178.5在审
发明人：彭程;张胜林;蔡树军;肖贤华;郑新建;王政杰;陈亮;谢娟;骆骁;李红;彭一阳;徐小峰;王亚冬 -专利权人：国网江苏省电力有限公司连云港供电分公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G06Q10/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种电网施工安全考核培训方法、系统及电子设备，该方法包括：获取考核人员在考核界面的实时操作数据，实时操作数据包括操作时间和操作内容；根据操作时间和操作内容对考核人员进行操作提示；将操作内容与考核的标准答案进行比对计算正确率；根据操作提示和正确率对考核进行评分，得到考核人员对应的考核结果。本发明在考核的同时，基于考核人员的操作情况对考核人员进行操作提示，使考核人员在操作提示下熟悉该知识点，使培训更具有针对性；同时，通过考核和培训相结合的方式，使考核人员清楚了解自己对知识的掌握情况，通过学习操作提示可以在不影响考核结果的同时提高培训效果。
一种电网施工安全考核培训方法系统电子设备

[发明专利]半导体芯片封装外壳导热特性测试方法和测试模块-CN202210413955.4在审
发明人：默江辉;吴文刚;王川宝;马杰;王金延;孙绍瑜;张力江;崔玉兴;蔡树军;卜爱民 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所;北京大学
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片封装外壳导热特性测试方法和测试模块，属于半导体芯片封装外壳测试技术领域，所述测试方法包括在导热基板的上表面制作金属薄膜电阻；将制作有金属薄膜电阻的导热基板固定装配在待测的封装外壳内、并与待测的封装外壳电连接，组成封装外壳测试模块；将封装外壳测试模块安装到红外测试系统中，对金属薄膜电阻通电模拟半导体芯片的工作状态；测试金属薄膜电阻和封装外壳的表面温度，计算封装外壳的导热特性参数。本发明提供的半导体芯片封装外壳导热特性测试方法，通过简单的方法及工艺即可实现对封装外壳的热特性进行测试，不仅提高了测试的准确率，还降低了测试的成本。
半导体芯片封装外壳导热特性测试方法模块

[实用新型]一种用于微带电路调试的模块-CN202120665664.5有效
发明人：默江辉;王川宝;马杰;张力江;崔玉兴;高永辉;徐守利;蔡树军;卜爱民 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于微带电路调试的模块，微带电路与相应的微波测试系统匹配，模块为金属块状物，金属块状物的底面为长方形、上部设有便于夹取的夹持部，该长方形的宽度小于等于待测微波器件波长的四分之一；一个或多个金属块状物借助绝缘夹沿微带电路延伸方向设置、用于微波器件或微波模块的阻抗匹配调试；金属块状物的材质与微波测试系统配套的微带线的材质相同，可以使用无氧铜，金属块状物也可以使用铝。金属块状物的宽度大于等于1mm，且小于等于待测微波器件波长的四分之一，金属块状物的长度为所述金属块状物的宽度的整数倍。本实用新型提供的微带电路调试的模块可实现待测微波器件的精细调试，可提高微波器件测试的准确性。
一种用于微带电路调试模块

[发明专利]半导体芯片封装外壳导热特性测试方法和测试模块-CN202110418654.6在审
发明人：默江辉;王川宝;马杰;张力江;崔玉兴;高永辉;徐守利;蔡树军;卜爱民;夏达;顾颖言;蔡晓波 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片封装外壳导热特性测试方法和测试模块，属于半导体芯片封装外壳测试技术领域，所述测试方法包括在导热基板的上表面制作金属薄膜电阻；将制作有金属薄膜电阻的导热基板固定装配在待测的封装外壳内、并与待测的封装外壳电连接，组成封装外壳测试模块；将封装外壳测试模块安装到红外测试系统中，对金属薄膜电阻通电模拟半导体芯片的工作状态；测试金属薄膜电阻和封装外壳的表面温度，计算封装外壳的导热特性参数。本发明提供的半导体芯片封装外壳导热特性测试方法，通过简单的方法及工艺即可实现对封装外壳的热特性进行测试，不仅提高了测试的准确率，还降低了测试的成本。
半导体芯片封装外壳导热特性测试方法模块

[发明专利]增强型HFET-CN201710308243.5有效
发明人：王元刚;冯志红;吕元杰;谭鑫;宋旭波;周幸叶;房玉龙;顾国栋;郭红雨;蔡树军 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-04 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强型HFET，涉及半导体开关器件技术领域。所述HFET，包括HFET器件本体，所述HFET器件本体的漏电极与源电极之间的沟道层上存在无二维电子气区，且栅电极以外的沟道层上存在无二维电子气区，无二维电子气区之外的漏电极与源电极之间的沟道层上设有二维电子气区，且栅电极与源电极之间以及栅电极与漏电极之间的沟道层上均存在二维电子气区，栅电极正下方的沟道层在二维电子气层的位置部分或全部存在二维电子气。所述HFET具有饱和电流大、阈值电压可控性强、响应速度快以及能耗低等优点。
增强 hfet

[发明专利]声学谐振器封装结构-CN201910963640.5在审
发明人：李亮;商庆杰;梁东升;赵洋;王利芹;丁现朋;刘青林;冯利东;张丹青;崔玉兴;张力江;刘相伍;杨志;李宏军;钱丽旭;李丽;卜爱民;王强;蔡树军;付兴昌 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L41/053 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种声学谐振器封装结构。该谐振器包括基板；声学谐振器，设置在所述基板上，所述声学谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体；盖帽，所述盖帽与所述基板之间形成一个密封空间；材料层区域；以及电子电路，形成于所述材料层区域上，从而形成一种新型的声学谐振器封装结构，且具有较好的性能。
声学谐振器封装结构

[发明专利]具有封装结构的薄膜体声谐振器和滤波器-CN201910963667.4在审
发明人：李亮;商庆杰;梁东升;赵洋;王利芹;丁现朋;刘青林;冯利东;张丹青;崔玉兴;张力江;刘相伍;杨志;李宏军;钱丽旭;李丽;卜爱民;王强;蔡树军;付兴昌 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种具有封装结构的薄膜体声波谐振器和滤波器。该薄膜体声波谐振器包括衬底、多层结构、腔体和封装结构，多层结构包括第一电极层、压电层和第二电极层，腔体位于多层结构和衬底之间，封装结构包括基板、电路和电气连接。本发明通过设置腔体而形成一种新型的谐振器结构，具有较好的性能；其封装结构不仅能够节省有用的基板空间，同时，基板材料、谐振器制造程序和电路制造程序均会有更多选择。
具有封装结构薄膜谐振器滤波器

[发明专利]一种谐振器封装系统-CN201910963677.8在审
发明人：李亮;商庆杰;梁东升;赵洋;王利芹;丁现朋;刘青林;冯利东;张丹青;崔玉兴;张力江;刘相伍;杨志;李宏军;钱丽旭;李丽;卜爱民;王强;蔡树军;付兴昌 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器封装系统。该谐振器封装系统包括谐振器和所述谐振器的封装结构；所述谐振器包括：衬底和多层结构，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；所述封装结构包括：第一衬底、第二衬底、支撑壁、连接柱和包封结构；所述第一衬底与所述谐振器之间设有空腔；所述支撑壁和连接柱设置在第一衬底与第二衬底之间，为所述第一衬底及所述第二衬底上的触点提供电接触；所述包封结构设置在所述第一衬底下方并包围所述支撑壁外侧面延伸至第二衬底下表面。本发明提供一种新型的谐振器封装系统，且具有较好的性能。
一种谐振器封装系统

[发明专利]声学谐振器封装结构及其制备方法-CN201910964439.9在审
发明人：李亮;商庆杰;梁东升;赵洋;王利芹;丁现朋;刘青林;冯利东;张丹青;崔玉兴;张力江;刘相伍;杨志;李宏军;钱丽旭;李丽;卜爱民;王强;蔡树军;付兴昌 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H03H9/15 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种声学谐振器封装结构及其制备方法。该谐振器包括基板；声学谐振器，设置在所述基板上，所述声学谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体；盖帽，所述盖帽与所述基板之间形成一个密封空间；材料层区域；以及电子电路，形成于所述材料层区域上，并与所述声学谐振器电连接，从而形成一种新型的声学谐振器封装结构，且具有较好的性能。
声学谐振器封装结构及其制备方法

[发明专利]一种谐振器封装系统-CN201910964440.1在审
发明人：李亮;商庆杰;梁东升;赵洋;王利芹;丁现朋;刘青林;冯利东;张丹青;崔玉兴;张力江;刘相伍;杨志;李宏军;钱丽旭;李丽;卜爱民;王强;蔡树军;付兴昌 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种谐振器封装系统。所述封装系统包括谐振器和所述谐振器的封装结构，所述谐振器包括衬底和多层结构，其中在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体；所述封装结构包括第一衬底、第二衬底、若干柱、聚合物层以及包封层。本发明提供的谐振器封装系统，封装严密，适用于多种谐振器。
一种谐振器封装系统

[发明专利]半导体封装件的制作方法及半导体封装件-CN201910967972.0在审
发明人：李亮;商庆杰;梁东升;赵洋;王利芹;丁现朋;刘青林;冯利东;张丹青;崔玉兴;张力江;刘相伍;杨志;李宏军;钱丽旭;李丽;卜爱民;王强;蔡树军;付兴昌 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体封装件的制作方法及半导体封装件。该半导体封装件的制作方法包括。在第一晶片上形成分离层；在所述分离层上形成帽；使用衬垫键合所述帽和第二晶片；将所述第一晶片和所述帽分离，形成包括所述帽、所述衬垫和所述第二晶片的半导体封装件；其中，所述第二晶片上具有谐振器，所述谐振器包括衬底和多层结构，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体，使用帽结构对第二晶片上具有特殊腔体结构的谐振器等器件或结构进行隔离和保护，从而制造出结构性能更稳定、更优越的半导体封装件。
半导体封装制作方法

[发明专利]一种微波器件测试用扭环-CN201410615870.X有效
发明人：李亮;默江辉;崔玉兴;付兴昌;蔡树军;杨克武 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波器件测试用扭环，涉及半导体器件测试技术领域。扭环外环壁的横截面为圆形，扭环内环壁的横截面为六边形，且与微波器件测试夹具输入、输出的同轴接头端子外形尺寸相适配，所述扭环的材质为聚四氟乙烯材料。本发明采用了带有网纹结构的聚四氟乙烯扭环，成功解决了测试夹具在测试过程中存在的连接不紧密的问题，保证器件测试稳定性、准确性及无损性，其制作成本低，易实现，保证了相关科研生产顺利进行。
一种微波器件测试用扭环

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