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[发明专利]半导体制造设备及其运行方法-CN202280019309.8在审
发明人： 裵辰镐;李宗泽;金旻材 -专利权人： LOT CES有限公司;LOT真空股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：根据本发明提供一种半导体制造设备及其运行方法，所述半导体制造设备包括：执行非晶碳(Amorphous Carbon)沉积形成非晶碳膜(ACL)的ACL工序的工程腔室；从所述工程腔室排出在执行所述ACL工序的过程中在所述工程腔室产生的残留气体的真空泵；连通所述工程腔室和所述真空泵的腔室排气管；利用等离子体形成等离子体反应区域的等离子体反应器；及向所述等离子体反应器供应处理气体的气体供应器，所述残留气体从所述工程腔室排出并沿着所述腔室排气管流动形成废气，所述处理气体在所述等离子体反应区域被等离子体分解形成反应活性种，所述反应活性种在所述腔室排气管内与所述废气一起发生反应，所述处理气体为氧气(O2)或三氟化氮(NF3)。
半导体制造设备及其运行方法

[发明专利]防止半导体制造设备用排气管内沉积粉末的装置、具备其的排气设备及利用其的排气管内粉末沉积防止方法-CN202080014299.X在审
发明人：金昊植;裵辰镐;金佑泰;李侑珍;金亨俊;李宗泽 -专利权人： LOTCES有限公司;LOT真空股份有限公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：根据本发明提供一种半导体制造设备用排气设备，包括用于从半导体制造设备的工艺腔室排出的废气流动的排气管；产生压力使所述废气在所述排气管流动的真空泵；及防止在所述排气管内沉积粉末的粉末沉积防止装置，其中，为了防止由于所述废气中所含的氨(NH3)气体在所述排气管内产生粉末，所述粉末沉积防止装置形成发生等离子体反应的等离子体处理区域，利用所述等离子体反应分解所述废气中所含的氨(NH3)气体以转变成包含氮(N2)气、氢(H2)气、受激的氮原子(N*)、受激的氢原子(H*)、肼(N2H4)气体、二嗪(N2H2)气体的混合气体。
防止半导体制造备用排气管沉积粉末装置具备排气设备利用方法

[发明专利]具有有害气体处理器的配管装置、其设计方法及包括其的有害气体处理设备-CN201980038769.3在审
发明人： 裵辰镐;李侑珍;金亨俊;罗正均;金昊植;朱原弘 -专利权人： LOTCES有限公司;LOT真空股份有限公司
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种配管装置，是从工程腔室通过真空泵排出的排出气体流动的配管装置，其中，包括：排气管，其提供从所述真空泵排出的所述排出气体流动的通道；以及有害气体处理器，其设置成位于所述真空泵的后端与所述排气管的前端之间或位于所述排气管上，处理所述排出气体中含有的有害气体，所述有害气体处理器为了防止所述排出气体中含有的成分中可升华成分升华堆积在所述排气管的内部而具有提高所述排出气体的温度的加热单元，所述加热单元在所述排气管上位于包括发生所述可升华成分的升华条件的升华条件发生地点与所述升华条件发生地点的上游侧的区间上，所述升华条件是针对所述可升华成分的压力的温度条件。
具有有害气体处理器装置设计方法包括处理设备