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[发明专利]具有减少金属污染的衬套的等离子源-CN200880002319.0无效
发明人：理查德·J·赫尔特;李祐家;菲利浦·J·麦桂尔;提摩太·J·米勒;哈勒德·M·波辛;维克拉姆·辛 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2008-01-15 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供一种具有金属腔室壁的等离子腔室(102)的等离子源(100)，此等离子源(100)包括处理气体。介电窗(120、122)将射频信号传送至等离子腔室中。射频信号激发以及离子化处理气体，从而在等离子腔室中形成等离子。等离子腔室衬套(125)定位于等离子腔室内部，并提供等离子腔室内部的位点线遮蔽，以遮蔽离子撞击等离子腔室的金属壁(102)而溅镀的金属。
具有减少金属污染衬套离子源

[发明专利]用于加工系统的材料和气体化学组成-CN00818379.1无效
发明人： A·D·拜利三世;A·M·舍普;D·J·赫姆克尔;M·H·维尔科克森 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2000-11-14 - 公布日： 2003-06-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于加工衬底的等离子体加工系统。该等离子体加工系统包括单一的腔室,即基本水平对称的等离子体加工腔室,其中点燃并保持等离子体用于加工。该等离子体加工腔室没有单独的等离子体发生腔室。该等离子体加工腔室具有上端和下端。该等离子体加工腔室包含基本不与送入该等离子体加工腔室的反应性气体化学物质反应的材料。此外,本发明公开了流入所述等离子体加工腔室的反应物气体。
用于加工系统材料气体化学组成

[发明专利]远程等离子体可流动CVD腔室的方法及设备-CN202210426147.1在审
发明人： Y·马;D·拉杰;M·J·西蒙斯;A·波克雷尔;G·奇可卡诺夫;张轶珍;梁璟梅;J·D·平松二世;D·李;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本文公开的实施例总的来说关于等离子体处理系统。等离子体处理系统包括处理腔室、腔室陈化系统和远程等离子体清洁系统。处理腔室具有界定处理区域和等离子体场的腔室主体。腔室陈化系统耦接到处理腔室。腔室陈化系统经配置而陈化处理区域和等离子体场。远程等离子体清洁系统与处理腔室连通。远程等离子体清洁系统经配置对处理区域和等离子体场进行清洁。
远程等离子体流动 cvd 方法设备

[发明专利]远程等离子体可流动CVD腔室的方法及设备-CN201880009192.9有效
发明人： Y·马;D·拉杰;M·J·西蒙斯;A·波克雷尔;G·奇可卡诺夫;张轶珍;梁璟梅;J·D·平松二世;D·李;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本文公开的实施例总的来说关于等离子体处理系统。等离子体处理系统包括处理腔室、腔室陈化系统和远程等离子体清洁系统。处理腔室具有界定处理区域和等离子体场的腔室主体。腔室陈化系统耦接到处理腔室。腔室陈化系统经配置而陈化处理区域和等离子体场。远程等离子体清洁系统与处理腔室连通。远程等离子体清洁系统经配置对处理区域和等离子体场进行清洁。
远程等离子体流动 cvd 方法设备

[实用新型]一种安全防爆的等离子体协同多技术烟气净化设备-CN202121998471.8有效
发明人：钱黎明;陆晓飞;吴成旺;陈燕明;荣新战 -专利权人：中科新天地(合肥)环保科技有限公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： B01D53/75 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种安全防爆的等离子体协同多技术烟气净化设备，包括箱体、等离子体发生装置和协同净化装置；箱体的两个相对端分别设有进气口和出气口，箱体内部由进气口至出气口方向依次设有等离子体净化腔室和协同净化腔室；等离子体发生装置包括柜体、等离子体放电模块、等离子体放电电源和等离子体注入系统，柜体位于箱体外部，柜体包括第一腔室和第二腔室，第一腔室与第二腔室相互隔离，等离子体放电模块安装在第一腔室内，等离子体放电电源安装在第二腔室内，等离子体放电模块与等离子体放电电源电性连接，第一腔室通过等离子体注入系统与等离子体净化腔室连通。
一种安全防爆等离子体协同技术烟气净化设备

[发明专利]调控等离子体反应腔室环境的方法-CN201310752645.6在审
发明人：罗巍;符雅丽;陈永远 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种调控等离子体反应腔室环境的方法，包括：在晶圆进入等离子体反应腔室前，在等离子体反应腔室的内壁和位于等离子体反应腔室内部的基片台的表面制备富碳材料涂层；在晶圆在等离子体反应腔室中完成等离子体加工处理并离开等离子体反应腔室后，向等离子体反应腔室中通入第一清洗气体，去除等离子体加工处理过程中吸附在富碳材料涂层表面的反应产物；向等离子体反应腔室中通入第二清洗气体，去除等离子体反应腔室的内壁和基片台表面的富碳材料涂层，使等离子体反应腔室恢复到清洁状态
调控等离子体反应环境方法

[发明专利]具有集成等离子体处理的束线架构-CN202080041476.3在审
发明人：克里斯多夫·R·汉特曼;克里斯多福·A·罗兰德;约瑟·C·欧尔森 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种束线架构包括：晶片搬送腔室；真空加载锁，耦合到晶片搬送腔室以利于在大气环境与晶片搬送腔室之间传送工件；等离子体腔室，耦合到晶片搬送腔室且容纳等离子体源，以用于对工件执行等离子体预清洁工艺、等离子体增强型化学气相沉积工艺、等离子体退火工艺、预加热工艺、及刻蚀工艺中的至少一者；工艺腔室，耦合到晶片搬送腔室且适于对工件执行离子植入工艺；以及阀门，设置在晶片搬送腔室与等离子体腔室之间，以用于将等离子体腔室与晶片搬送腔室及工艺腔室密封隔绝，其中等离子体腔室内的压力与工艺腔室内的压力能够彼此独立地改变。
具有集成等离子体处理架构

[发明专利]等离子导引机构及应用该导引机构的等离子放电装置-CN200610149604.8无效
发明人：洪昭南;徐逸明;梁国超;王俊尧;李志勇;王亮钧;陈俊钦;陈彦政 -专利权人：馗鼎奈米科技股份有限公司
申请日： 2006-10-10 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子导引机构及应用该导引机构的等离子放电装置，该等离子导引机构包括：套接于等离子放电装置上的壳体，借以与等离子放电装置定义出第一腔室第二腔室，其中等离子放电装置通过电弧放电在第一腔室内生等离子，第一腔室与第二腔室联通，且第二腔室的侧壁具有长形窄孔，用来导引等离子由长形窄孔喷出该壳体外部。因此，本发明所提供的等离子导引机构确实具有提高等离子放电装置的等离子喷射面积、延长使用寿命以及提供多样等离子喷射角度的优点。
等离子导引机构应用放电装置

[发明专利]用于在等离子体处理腔室中的原位腔室清洁效率提高的等离子体处理工艺-CN201780027736.X有效
发明人：张林;路雪松;安德鲁·V·勒;吴昌锡;鑫海·韩 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-04-11 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式包括用于半导体基板制造工艺的等离子体处理腔室的原位腔室清洁效率提高工艺的方法。在一个实施方式中，用于在清洁等离子体工艺之后执行等离子体处理工艺的方法包括以下步骤：在没有设置在等离子体处理腔室上的基板的情况下，在等离子体处理腔室中执行清洁工艺；随后将包括至少含氢气体和/或含氧气体的等离子体处理气体混合物供应到等离子体处理腔室中；将RF源功率施加到处理腔室，以由等离子体处理气体混合物形成等离子体；和等离子体处理处理腔室的内表面。
用于等离子体处理中的原位清洁效率提高工艺

[发明专利]等离子体发生器-CN202010580851.3在审
发明人：陈培培;高锐;党殿杰;刘军 -专利权人：新奥科技发展有限公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H05H1/26 文献下载
摘要：本公开涉及等离子发生技术领域，提供了一种等离子体发生器，其包括阳极组件、阴极组件、气体发生组件和第一加热组件；阳极组件包括等离子腔室、气体入口和喷嘴，气体入口用于向等离子腔室通入气体，喷嘴设置于等离子腔室的末端以向外排出等离子体；阴极组件具有放电端，放电端位于等离子腔室内，放电端与等离子腔室的表面之间具有预定距离；气体发生组件包括液室和气室，液室和气室连通，液室围绕喷嘴设置以与喷嘴之间导热连接，气室通过阳极组件的气体入口连通等离子腔室；第一加热组件用于加热液室中的液体以使液体气化并进入气室，第一加热组件包括环绕喷嘴设置的电磁感应线圈。
等离子体发生器

[发明专利]在蚀刻期间利用光谱使RF切换与气体切换同步-CN201280027855.2有效
发明人：许青;卡梅利娅·鲁苏;布赖恩·K·麦克米林;亚历山大·M·帕特森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2012-05-30 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了用于在等离子体处理腔室中将特征蚀刻到蚀刻层中的方法。提供了光定时沉积阶段，其包括：提供沉积阶段气体流；检测所述等离子体处理腔室内沉积气体的存在；提供由所述等离子体处理腔室中的沉积阶段气体形成等离子体的RF能；以及停止所述沉积气体流入等离子体处理腔室。提供了光定时蚀刻阶段，包括：提供蚀刻气体流；检测等离子体处理腔室内蚀刻气体的存在；提供用于由等离子体处理腔室中的蚀刻气体形成等离子体的RF能；以及停止蚀刻气体流入等离子体处理腔室。
蚀刻期间利用光谱 rf 切换气体同步

[实用新型]一种刀具砧板消毒机-CN202120973297.5有效
发明人：王平;常文利 -专利权人：王平
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： A61L2/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种刀具砧板消毒机，所述刀具砧板消毒机包括壳体、风机、低温等离子发生机构、电源和控制器，所述壳体中设置有通过隔板分隔的消毒腔室和低温等离子发生腔室，所述消毒腔室用于容纳厨房用品，所述低温等离子发生腔室用于容纳风机、低温等离子发生机构、电源和控制器，所述风机、低温等离子发生机构、电源与控制器相连，所述隔板上设置有进风口和出风口，所述风机用于将消毒腔室的空气从进风口引入低温等离子发生腔室，并将低温等离子发生腔室的空气和低温等离子体从出风口引入消毒腔室本实用新型通过风机带动低温等离子体对厨房用品进行杀菌消毒，提高目前家居市场智能家居厨房消毒产品的效果。
一种刀具砧板消毒

[发明专利]等离子体设备和等离子体处理方法-CN201780050105.X有效
发明人：叶江波;钱俊;肖禄 -专利权人：深圳市柔宇科技股份有限公司
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：一种等离子体设备(10)。用于对OLED多层膜结构(20)的阳极层(21)进行等离子体处理。等离子体设备(10)包括间隔设置的多个腔室(12)、与多个腔室(12)连接的导气管(14)、以及分别与多个腔室(12)对应连接的多个调节模块(16)。多个腔室(12)用于处理从导气管(14)进入的气体以产生等离子体并将等离子体排出。多个调节模块(16)用于分别调节多个腔室(12)产生的等离子体的浓度。一种等离子体处理方法。
等离子体设备处理方法

[发明专利]用于各向异性沉积薄膜的带状射束等离子体增强化学气相沉积系统-CN202080087241.8在审
发明人：约翰·哈塔拉;崔斯坦·Y·马;彼得·F·库鲁尼西 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2020-10-25 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：一种带状射束等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统，包括：处理腔室，含有用于支撑衬底的压板；以及等离子体源，邻近于处理腔室设置且用于在等离子体腔室中产生自由基，等离子体腔室具有与其相关联的孔口以允许自由基的射束离开等离子体腔室，其中处理腔室维持在第一压强且等离子体腔室维持在大于第一压强的第二压强，以用于将自由基从等离子体腔室驱动到处理腔室中。
用于各向异性沉积薄膜带状等离子体增强化学系统

[发明专利]等离子体生成设备-CN200910205161.3有效
发明人：藤田秀树;筱原己拔 -专利权人：日新离子机器株式会社
申请日： 2009-10-16 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子体生成设备，该等离子体生成设备包括：天线腔室，其被邻近于生成等离子体的等离子体腔室放置，并被排气为真空；天线，其被放置在天线腔室中，并放射高频波；分隔板，其由绝缘体制成，并将等离子体腔室与天线腔室分隔以阻挡气体进入天线腔室，并且允许从天线放射的高频波穿过分隔板；以及磁体装置，其放置在等离子体腔室外部，并在等离子体腔室中生成磁场以引起电子回旋共振。
等离子体生成设备

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