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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200910258845.X有效
发明人：板东晃司;三角和幸;秋山龙彦;和泉直生;山崎晓 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2009-12-25 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法。提供了一种可以在包括MRAM器件的半导体器件中通过提高对外部磁场的抵抗性来改进MRAM器件的数据留存特性的技术。第一磁屏蔽材料经由第一管芯附着膜设置于管芯焊盘之上。然后，半导体芯片经由第二管芯附着膜装配于第一磁屏蔽材料之上。另外，第二磁屏蔽材料经由第三管芯附着膜设置于半导体芯片之上。也就是说，设置半导体芯片以便由第一磁屏蔽材料和第二磁屏蔽材料夹入中间。这时，在第二磁屏蔽材料的平面面积小于第一磁屏蔽材料的平面面积的同时，第二磁屏蔽材料的厚度比第一磁屏蔽材料的厚度更厚。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410300535.0无效
发明人：板东晃司;三角和幸;秋山龙彦;和泉直生;山崎晓 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2009-12-25 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法。提供了一种可以在包括MRAM器件的半导体器件中通过提高对外部磁场的抵抗性来改进MRAM器件的数据留存特性的技术。第一磁屏蔽材料经由第一管芯附着膜设置于管芯焊盘之上。然后，半导体芯片经由第二管芯附着膜装配于第一磁屏蔽材料之上。另外，第二磁屏蔽材料经由第三管芯附着膜设置于半导体芯片之上。也就是说，设置半导体芯片以便由第一磁屏蔽材料和第二磁屏蔽材料夹入中间。这时，在第二磁屏蔽材料的平面面积小于第一磁屏蔽材料的平面面积的同时，第二磁屏蔽材料的厚度比第一磁屏蔽材料的厚度更厚。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202010227950.3在审
发明人：小川洋平;上村紘崇 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L43/04 文献下载
摘要：半导体装置（1A）具备：半导体衬底（2）；包含磁传感部（3a）并设置在半导体衬底（2）的立式霍尔元件（3）；配置在磁传感部（3a）的上方并对磁传感部（3a）施加第1校正磁场（M1）的励磁布线（4）；以及对磁传感部（3a）施加第2校正磁场（M2）的励磁布线（5），该励磁布线（5）在磁传感部（3a）的上方、且在从半导体衬底（2）的表面的正上方俯视观察下在夹持励磁布线（4）的一侧及另一侧的各侧上并排配置。
半导体装置

[发明专利]半导体发光装置-CN201610825789.3有效
发明人：林完泰;金容一;车南求;沈成铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体发光装置，该半导体发光装置包括：发光结构，其包括第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层；以及发光结构上的磁层。磁层可具有平行于有源层的上表面的至少一个磁化方向。磁层可产生平行于有源层的上表面的磁场。磁层可包括可具有不同的磁化方向的多个结构。在发光结构上可包括多个磁层。磁层可位于接触电极上。磁层可与焊盘电极隔离。
半导体发光装置

[发明专利]部分绝缘HTS线圈-CN202210123289.0在审
发明人：罗伯特·斯莱德;马塞尔·克鲁伯;巴斯·范尼格特伦;格雷格·布里特斯;恩里克·鲁伊斯德比利亚巴尔德斯;罗德·贝特曼;阿伦·唐 -专利权人：托卡马克能量有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01F6/02 文献下载
摘要：一种高温超导HTS励磁线圈。该高温超导HTS励磁线圈具有多个线匝和一半导体，该半导体被布置从而能够经由半导体在线匝之间共享电流。
部分绝缘 hts 线圈

[发明专利]半导体器件的制造方法和制造设备-CN98117219.9无效
发明人：冈村健司;藤原秀二;葛山贵生 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1998-07-18 - 公布日： 1999-02-10 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：半导体器件的制造方法包括在稀氢氟酸处理装置(12)中除去半导体衬底(15)上的氧化硅膜的第一处理步骤,在HSG－Si形成装置(13)中在半导体衬底(15)上形成半球形颗粒硅的第二处理步骤,和用半导体衬底输送装置(14)把在第一处理步骤中处理过的半导体衬底(15)送到HSG－Si形成装置(13)去的输送步骤,其中,在半导体衬底输送装置(14)中进行空气过滤,使在至第二处理步骤的工艺过程中,粘在半导体衬底(15)
半导体器件制造方法设备

[发明专利]一种阻尼电感器-CN201711375635.X在审
发明人：刘凯;邓永峰;刘英;谢振磊 -专利权人：合肥博雷电气有限公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01F3/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻尼电感器，包括半导体磁芯导体和永久磁铁，所述半导体磁芯导体配用连接的导线，所述永久磁铁以吸附方式紧贴半导体磁芯导体作为一体结构；所述半导体磁芯导体采用非晶硅的铜镍合金材质，并呈封闭磁路状态
一种阻尼电感器

[发明专利]半导体模块、电力变换装置-CN201510849321.3有效
发明人：米山玲;后藤章 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种半导体模块、以及具有该半导体模块的电力变换装置，该半导体模块能够将从半导体元件产生的磁场充分地屏蔽。该半导体模块的特征在于，具有：壳体；半导体元件，其设置于该壳体中，对电流进行通断；封装树脂，其设置于该壳体中，覆盖该半导体元件；磁屏蔽部，其与该封装树脂接触，含有磁体；以及填埋磁屏蔽部，其填埋于该壳体中
半导体模块壳体半导体元件电力变换装置磁屏蔽部封装树脂填埋屏蔽通断磁场覆盖

[发明专利]磁传感器及其制造方法-CN201710154164.3在审
发明人：飞冈孝明;海老原美香;高桥宽;岸松雄;高浜未英 -专利权人：精工半导体有限公司
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： G01R33/07 文献下载
摘要：提供磁传感器及其制造方法。磁传感器具备在表面具备霍尔元件的半导体衬底；设在半导体衬底的背面上的导电层；以及设在导电层上的磁会聚板。磁会聚板通过在半导体衬底的背面上形成基底导电层，并在基底导电层上形成具有磁会聚板形成用的开口的抗蚀剂，利用电解镀在抗蚀剂的开口内形成磁会聚板，再除去抗蚀剂，以磁会聚板为掩模蚀刻除去基底导电层的一部分而形成在半导体衬底的背面上
传感器及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201410783835.9有效
发明人：渡边敬仁;山道新太郎;牛山吉孝 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2011-11-14 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：半导体芯片，所述半导体芯片具有第一主表面、与所述第一主表面相反的第二主表面、以及布置在所述第一主表面和所述第二主表面之间的侧表面，所述半导体芯片包括磁存储器件，第一磁屏蔽，所述第一磁屏蔽覆在所述第一主表面上；第二磁屏蔽，所述第二磁屏蔽覆在所述第二主表面上；以及第三磁屏蔽，所述第三磁屏蔽覆在所述侧表面上，其中所述第一磁屏蔽和所述第二磁屏蔽经由所述第三磁屏蔽机械连接屏蔽经由所述第三磁屏蔽机械连接。
半导体器件

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201310753993.5在审
发明人：曾贤成;黄河;李海艇;侯飞凡 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有层间介电层，在层间介电层中形成有互连线；在半导体衬底上沉积形成保护层，并在保护层中形成底部电极；在半导体衬底上依次形成磁通道结材料层和具有磁通道结图案的光刻胶层；实施蚀刻，形成磁通道结。根据本发明，通过蚀刻形成磁通道结之后，由于保护层的阻隔，蚀刻残留物不会存留于互连线的顶部，确保器件具有良好的性能。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201910594097.6在审
发明人：飞冈孝明;上村纮崇 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： G01R33/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置。是一种半导体装置，具有：第1导电型的半导体基板（10）；设置在半导体基板（10）上的纵向霍尔元件（100）；以及经由绝缘膜（30）设置在纵向霍尔元件（100）的正上方的、励磁导体（200），其中，纵向霍尔元件（100）具备：设置在半导体基板（10）上的、第2导电型的半导体层（101）；以及在半导体层（101）的表面在一条直线上设置的、由高浓度的第2导电型的杂质区域构成的多个电极（111）~（115），励磁导体
纵向霍尔元件半导体基板导电型半导体装置半导体层励磁导体电极杂质区域绝缘膜

[发明专利]一种半导体晶圆的清洗方法-CN201710879304.3在审
发明人：江富杰;张飞凡 -专利权人：合肥新汇成微电子有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶圆的清洗方法，包括以下步骤提供半导体晶圆，半导体晶圆的正面涂布一层光刻胶；向半导体晶圆正面的光刻胶注入离子掺杂，以硬化该光刻胶；用浓氢氟酸溶剂刻蚀半导体晶圆背面的层次；去除半导体晶圆正面的光刻胶；旋转半导体晶圆并使兆声波发生器从半导体晶圆边缘向半导体晶圆中心运动并过半导体晶圆中心点，在兆声波发生器的运动过程中，改变兆声波发生器在半导体晶圆表面停留的时间；再向半导体晶圆的边缘表面喷涂去离子水和稀氢氟酸对所述半导体晶圆外表面进行清洗；对上述清洗的半导体晶圆进行吹干处理，吹干处理采用的气体为氮气，所述吹干处理采用的温度范围为45℃～65℃，所述吹干处理采用的时间范围为80s～160s。
一种半导体清洗方法

[发明专利]具有集成的半导体器件的MRAM-CN00135254.7无效
发明人：赛德·特兰尼;晶·史 -专利权人：摩托罗拉公司
申请日： 2000-12-12 - 公布日： 2001-06-20 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：一种磁存储单元(10)具有位于第一铁磁层(11)与第二铁磁层(13)之间的半导体层(12),形成p－n结或肖特基结。抗磁性层(34)位于第二铁磁层与数字线(35)之间,用于牵制第二铁磁层内的磁矢量。在第二个实施例中,栅接点(37)隔开半导体材料层,用于控制通过半导体层的电子流。
具有集成半导体器件 mram

[实用新型]导磁式半导体封装结构-CN201320512681.0有效
发明人：苏攀;王雪松;游平 -专利权人：江西创成半导体有限公司
申请日： 2013-08-22 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本实用新型涉及的一种导磁式半导体封装结构，包括被封装半导体器件、氟硅橡胶层、导磁材料层和环氧树脂层，氟硅橡胶层覆盖被封装半导体器件，导磁材料层覆盖氟硅橡胶层，环氧树脂层覆盖导磁材料层。本实用新型产生的有益效果是：采用导磁材料层位于氟硅橡胶层和环氧树脂层之间，可以起到磁屏蔽的作用。
导磁式半导体封装结构

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