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[发明专利]适用于氢化物分解的复合氢化物金属的设计-CN202180093840.5在审
发明人：托马斯·戴维斯;西蒙·米德尔堡 -专利权人： 托卡马克能量有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G21F1/08 文献下载
摘要：一种包括金属氢化物‑金属复合物的中子屏蔽物：所述金属氢化物‑金属复合物包括：金属基质；以及分散在金属基质内的多个金属氢化物颗粒；其中，金属氢化物‑金属复合物中的金属氢化物的分数为至少1mol％，并且所述金属氢化物‑金属复合物中的金属氢化物的体积分数不高于“所述金属基质中的氢的固体溶解度极限”与“所述金属氢化物中的氢的摩尔分数”的比率。
适用于氢化物分解复合金属设计

[发明专利]超导磁体中的淬火保护-CN201780079770.1有效
发明人：保罗·努南;罗伯特·斯莱德 -专利权人： 托卡马克能量有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G21B1/05 文献下载
摘要：一种环形场线圈，包括中心柱、多个返回分支、淬火保护系统和冷却系统。中心柱包含高温超导材料。每个返回分支包括可淬火区段、两个高温超导区段和淬火系统。可淬火区段包括超导材料，并且被配置为增大环形场线圈的磁场。高温超导区段包含高温超导材料。高温超导区段将可淬火区段电连接到中心柱，并与中心柱和可淬火区段串联。淬火系统与可淬火区段相关联并且配置成对可淬火区段淬火。淬火保护系统配置成检测环形场线圈中的淬火，并且响应于对淬火的检测，使淬火系统对一个或多个可淬火区段中的超导材料淬火，以便将能量从环形场线圈中转储到一个或多个可淬火区段中。冷却系统配置成将每个可淬火区段冷却到超导材料具有超导性能的温度。每个可淬火区段具有热容量和电阻率，所述热容量足以使当能量从环形场线圈转储到可淬火区段时，可淬火区段的温度保持低于第一预定温度，并且所述电阻率足以引起磁体的电流足够快地衰减，使得高温超导区段的淬火部分的温度保持低于第二预定温度。
超导磁体中的淬火保护

[发明专利]传输电流饱和的HTS磁体-CN202080018675.2有效
发明人：格雷格·布里特斯;罗伯特·斯莱德;罗德·贝特曼 -专利权人： 托卡马克能量有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01F6/06 文献下载
摘要：一种高温超导HTS磁体系统。HTS磁体系统包括HTS磁场线圈、温度控制系统、电源和控制器。HTS磁场线圈包括多个匝，该多匝包括HTS材料；以及电阻材料，将匝电连接使得可以经由电阻材料在各匝之间径向地共享电流。温度控制系统被配置为控制线圈的温度，所述温度控制系统至少包括低温冷却系统，该低温冷却系统被配置为将线圈保持在HTS材料的自场临界温度以下。电源被配置为向HTS磁场线圈提供电流。控制器被配置为使电源提供大于所有HTS材料的临界电流的电流。
传输电流饱和 hts 磁体

[发明专利]部分绝缘超导磁体的快速泄放-CN201980089900.9有效
发明人：罗伯特·斯莱德;巴斯·范尼格特伦 -专利权人： 托卡马克能量有限公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01F6/00 文献下载
摘要：一种HTS磁体系统，包括HTS场线圈和电源。HTS场线圈包括：多个线圈匝，所述多个线圈匝包括HTS材料和金属稳定器；导电层，将线圈匝分隔开，使得电流能够经由导电层在线圈匝之间共享。电源被配置为：在HTS场线圈的斜升期间，向HTS场线圈提供第一电流；以及在HTS场线圈的斜降期间，向HTS场线圈提供与第一电流方向相反的第二电流。
部分绝缘超导磁体快速

[发明专利]聚变反应堆中的机器学习-CN201880044725.7有效
发明人：史蒂文·安东尼·米尔顿·麦克纳马拉;彼得·巴克斯顿;大卫·金厄姆 -专利权人： 托卡马克能量有限公司
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G21B1/00 文献下载
摘要：一种在控制核聚变反应堆中的等离子体的方法。核聚变反应堆包括传感器和等离子体控制输入部。提供初始控制模型，其将传感器的至少一个子组的读数与等离子体控制输入部的控制相关联。执行控制回路，其包括：根据控制模型依赖于传感器而操作等离子体控制输入部；确定传感器中的每一个的读数之间和/或传感器的读数与等离子体控制输入部的状态之间的相关性；和基于所确定的相关性调节控制模型。
聚变反应堆中的机器学习

[发明专利]用于硼化钨中子屏蔽体的改进材料-CN202180085820.3在审
发明人：杰克·阿斯特伯里;科林·温莎;塞缪尔·A·汉弗莱-贝克;詹姆斯·戴维森;查尔斯·麦克法赞 -专利权人： 托卡马克能量有限公司;帝国理工学院创新有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G21B1/11 文献下载
摘要：公开了五硼化二钨W2B5在中子屏蔽体内的用途。
用于硼化钨中子屏蔽改进材料

[发明专利]面向等离子体的部件的冷却-CN202180086357.4在审
发明人：瑞博·班贝 -专利权人： 托卡马克能量有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： F02K9/00 文献下载
摘要：一种用于等离子体室的面向等离子体的部件包括：面向等离子体的目标表面；入口和出口，通过所述入口以接收冷却剂流体，通过所述出口以排出所述冷却剂流体；以及多个内部的冷却通道。每个冷却通道通过多个馈送通道连接到所述入口，并且通过多个回流通道连接到所述出口，所述馈送通道被构造成将冷却剂流体引导抵达所述冷却通道的壁的区域。所述馈送通道和所述回流通道的通向所述冷却通道的相应开口沿着所述冷却通道的长度以非重叠的重复单元布置。每个单元包括至少一个馈送通道的开口和至少一个回流通道的开口。
面向等离子体部件冷却

[发明专利]托卡马克中的原位金属沉积-CN202180082469.2在审
发明人：瑞博·班贝;迈克·杰克逊 -专利权人： 托卡马克能量有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G21B1/25 文献下载
摘要：一种维修托卡马克等离子体容器中的偏滤器或第一壁的表面的方法。偏滤器或第一壁的表面包括具有至少为2000℃的熔点的难熔金属。在等离子体容器的操作结束后，在等离子体容器内保持小于25mbar的压力。通过沉积过程将难熔金属沉积到等离子体容器内的偏滤器或第一壁的表面上，沉积过程是以下各项中的一项：增材制造；物理气相沉积；热喷涂；电弧离子镀；二极管激光熔覆；以及化学气相沉积。
马克中的原位金属沉积

[发明专利]增殖包层-CN202180077474.4在审
发明人：托马斯·戴维斯;西蒙·米德尔堡;杰克·阿斯特伯里;古尔迪普·卡尔马 -专利权人： 托卡马克能量有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G21G1/02 文献下载
摘要：一种增殖包层，用于利用由氘和/或氚在限制在聚变反应堆内的等离子体内核聚变产生的中子生成氚。增殖包层包括：面向第一壁的等离子体；增殖层，该增殖层包括用于从中子生成氚的含锂材料；以及中子慢化剂材料，该中子慢化剂材料包括布置在第一壁与含锂材料之间的金属氢化物和/或氘化物。
增殖包层

[发明专利]高温超导体磁体-CN201980068145.6有效
发明人：格雷格·布里特斯;马塞尔·克鲁伯;托尼·兰特里;乔治·史密斯 -专利权人： 托卡马克能量有限公司
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01F6/06 文献下载
摘要：一种高温超导体HTS磁体，包括由嵌套式同心绕组形成的线圈。每个绕组都包括HTS材料。HTS磁体还包括导体元件，该导体元件包括电接触表面，通过所述电接触表面向绕组中的至少一个的一部分供应电流。该表面大致围绕绕组中的至少一个的路径在导体元件与线圈的轴向边缘之间提供电接触。
高温超导体磁体

[发明专利]超导体电磁体-CN202180034880.2在审
发明人：托尼·兰特里 -专利权人： 托卡马克能量有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01F6/00 文献下载
摘要：一种电磁体包括一个或多个通道。每个通道均具有设置于其中的导体元件，该导体元件包括一层或多层超导体材料以用于沿着通道的轴线传导电流。导体元件被布置成通过相对于彼此倾斜的第一楔形表面和第二楔形表面接触通道的侧壁，使得在垂直于所述轴线的方向上偏压导体元件的力在楔形表面上产生相反的接触力，该相反的接触力起作用以用垂直于所述力的分量沿着一方向压缩导体元件。
超导体磁体

[发明专利]柔性HTS电流引线-CN202211247211.6在审
发明人：巴斯·范尼格特伦;格雷格·布里特斯 -专利权人： 托卡马克能量有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01B12/06 文献下载
摘要：根据第一方面，提供一种HTS电流引线。所述HTS电流引线包括：包含多个HTS带的HTS线缆；围绕所述HTS线缆的编织套筒；以及浸渍所述HTS线缆和所述编织套筒的稳定剂材料。所述稳定剂材料具有高于所述HTS带的临界温度且低于所述HTS带的热降解温度的熔点。
柔性 hts 电流引线

[发明专利]高温超导体场线圈-CN202180032673.3在审
发明人：格雷格·布里特斯;托尼·兰特里;罗德·贝特曼;罗伯特·斯莱德;巴斯·范尼格特伦 -专利权人： 托卡马克能量有限公司
申请日： 2021-05-04 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：一种用一个或多个HTS条带制造高温超导体HTS场线圈的方法。每个HTS条带包括HTS材料层。所述方法包括：围绕轴线缠绕所述一个或多个HTS条带以形成包括HTS条带的绕组的场线圈；和围绕所述绕组中的一个或多个绕组的至少一部分从所述HTS条带中的一个或多个HTS条带的轴向边缘去除材料，以减小所述一个或多个HTS条带沿所述场线圈的所述轴线的范围。
高温超导体线圈

[发明专利]柔性HTS电流引线-CN201980071080.0有效
发明人：巴斯·范尼格特伦;格雷格·布里特斯 -专利权人： 托卡马克能量有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L39/14 文献下载
摘要：根据第一方面，提供一种HTS电流引线。所述HTS电流引线包括：包含多个HTS带的HTS线缆；围绕所述HTS线缆的编织套筒；以及浸渍所述HTS线缆和所述编织套筒的稳定剂材料。所述稳定剂材料具有高于所述HTS带的临界温度且低于所述HTS带的热降解温度的熔点。
柔性 hts 电流引线

[发明专利]分层中子屏蔽件-CN202080088997.4在审
发明人：杰克·阿斯特伯里;托马斯·戴维斯;西蒙·米德尔堡 -专利权人： 托卡马克能量有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G21F1/08 文献下载
摘要：一种中子屏蔽件。该中子屏蔽件包括多个吸收层，以及至少一个减速层。多个吸收层中的每个包括硼化钨或碳化钨。至少一个减速层包括金属氢化物。每个减速层在至少两个吸收层之间。
分层中子屏蔽

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