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[发明专利]一种磁传感器、其制备方法与使用方法-CN201711457027.3在审
发明人：巫远招;刘宜伟;李润伟 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： H01L41/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁传感器，具有场效应晶体管结构，包括半导体衬底、源极、漏极与栅极；其中，半导体衬底具有压电效应，半导体衬底上设置具有磁致伸缩性能的磁体；工作状态时，外界磁场作用于磁体，场效应晶体管的电信号发生改变该磁传感器结构简单易行，结合了场效应晶体管的信号放大作用，实现了高灵敏度的磁场探测，在磁传感器技术领域中具有良好的应用前景。
一种传感器制备方法使用方法

[实用新型]一种磁传感器-CN201721875900.6有效
发明人：巫远招;刘宜伟;李润伟 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01L41/12 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种磁传感器，具有场效应晶体管结构，包括半导体衬底、源极、漏极与栅极；其中，半导体衬底具有压电效应，半导体衬底上设置具有磁致伸缩性能的磁体；工作状态时，外界磁场作用于磁体，场效应晶体管的电信号发生改变该磁传感器结构简单易行，结合了场效应晶体管的信号放大作用，实现了高灵敏度的磁场探测，在磁传感器技术领域中具有良好的应用前景。
磁传感器衬底半导体外界磁场场效应晶体管结构场效应晶体管磁传感器结构磁致伸缩性能信号放大作用本实用新型效应晶体管磁场探测高灵敏度压电效应漏极源极探测测试应用

[实用新型]发电机励磁电路-CN200420060009.3无效
发明人：胡云平 -专利权人：胡云平
申请日： 2004-06-26 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： H02P9/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种发电机励磁电路，包括励磁主回路和取样控制电路，在励磁线圈两端并联三端半导体组件和串联的电阻、二极管，且三端半导体组件的控制端与串联的电阻、二极管的公共端连接，该三端半导体组件受控于励磁主回路中的电流，当发电机带大量电容性负荷时，该励磁电路能够抵消电容性负载的助磁作用，使发电机输出电压升幅减小，发电机输出电压稳定，从而提高了发电机带电容性负荷的能力。
发电机磁电

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201310754004.4有效
发明人：曾贤成 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有层间介电层，在层间介电层中形成有互连线；在半导体衬底上依次沉积形成底部电极材料层、磁通道结材料层、蚀刻停止层、硬掩膜层、金属硬掩膜层和覆盖层，覆盖层间介电层和互连线的顶部；在覆盖层上依次形成BARC层和具有磁通道结图案的光刻胶层；实施蚀刻，形成磁通道结，其中，金属硬掩膜层和硬掩膜层构成用于蚀刻磁通道结材料层的掩膜。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]一种室温铁磁半导体材料MnSiP2及其制备方法和应用-CN201610590747.6有效
发明人：王善朋;陶绪堂;张翔;于童童 -专利权人：山东大学
申请日： 2016-07-25 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01F1/40 文献下载
摘要：一种室温铁磁半导体材料MnSiP2及其制备方法和应用，该MnSiP2磁性半导体材料属于四方晶系，I‑42d空间群，晶胞参数为a＝5.5823(3),Z＝4。制备方法包括以下步骤(1)将Mn、Si和P一起研磨均匀，装入石英管内，抽真空后封烧石英管；(2)将石英管采用阶段性升温，再缓慢降温至室温；(3)取出结晶较好的料块，清洗干净，干燥处理，得到室温铁磁半导体材料本发明首次合成了黄铜矿结构的MnSiP2磁性半导体材料，其居里温度为290K，可应用于制作自旋场效应晶体管、自旋发光二极管、自旋共振磁隧道结、光隔离器、磁传感器或非挥发存储器。
一种室温半导体材料 mnsip2 及其制备方法应用

[实用新型]基于三端半导体功率开关的RSD触发电路-CN201620058275.5有效
发明人：彭亚斌;卢社阶;刘纪磊;雷涛 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： H03K3/57 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于三端半导体功率开关的RSD触发电路，包括充电电路，放电主电路，RSD触发电路和控制电路；所述放电主电路串联RSD触发电路，所述充电电路并联于主电路、RSD触发电路两端；所述控制电路并联于充电电路和RSD触发电路两端；所述放电主电路包括依序串联的RSD开关、磁环L、主电容C0和负载Z0；所述RSD触发电路包括触发电容Cc，半导体开关K21、K22，磁开关Lc，磁开关L21、L22；所述触发电容Cc、半导体开关K22，RSD开关，磁开关Lc，半导体开关K21依序串联构成预充电流回路。
基于半导体功率开关 rsd 触发电路

[发明专利]一种半导体电路板电机-CN201911169852.2在审
发明人：余学恩;孔凡东 -专利权人：邹城市昊华新能源有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H02K3/26 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体电路板电机，包括轴、定子与转子，所述定子包括一层或多层半导体电路板和电接口，所述电接口电连接到所述半导体电路板上的励磁微电路；所述定子上设置有三相励磁绕组，每层所述半导体电路板上包括多个结构相同的扇形绕组单元围城的盘形结构，每个绕组单元包括扇形的半导体电路板，扇形的半导体电路板正反面均沿周向并排设置有三个回转电路，三个回转电路的三相引头依次通电后产生具有相位差的三相电路从而产生旋转磁场，并且正反面对应回转电路进行串联连接，多层半导体电路板之间进行并联连接。本发明的半导体电路板电机具有体积小、重量轻、空间利用率高、成倍提高磁场强度以及大大增强电机输出功率的益处。
一种半导体电路板电机

[发明专利]SOT-MRAM存储单元及其制造方法、存储器-CN202310057502.7在审
发明人：张洪超;姜伯年;吕术勤;许昊;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 -专利权人：致真存储（北京）科技有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明的一种SOT‑MRAM存储单元，包括堆叠的底栅极、介电层、半导体SOT层、磁隧道结层和T顶电极；其中，所述半导体SOT层的两侧设置有作为S底电极和D底电极的导电金属；所述半导体SOT层的材料为过渡金属硫族化物；所述T顶电极用于通入读电压；向底栅极施加正或反电压，半导体SOT层实现P型半导体与N型半导体相互转变，在S底电极和D底电极之间施加电压，半导体SOT层因自旋霍尔效应获得自旋流，驱动磁隧道结层中的自由层的磁矩发生翻转
sot mram 存储单元及其制造方法存储器

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710153099.2有效
发明人：岸松雄;高浜未英;高桥宽;海老原美香;飞冈孝明 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G01R33/07 文献下载
摘要：提供一种半导体装置及其制造方法，其特征在于，所述半导体装置具有：设有多个霍尔元件的半导体衬底；以及设在所述半导体衬底上的具有磁会聚功能的磁性体，在所述半导体衬底上的所述磁性体的纵截面外形形状中，包括在该外周部的至少一部分具有曲线形状的部分、和与所述半导体衬底大致平行的部分，在所述磁性体内部埋入有由非磁性物质构成的构造体的至少一部分。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种基于功函数变化的磁场探测装置-CN202111189078.9在审
发明人：刘翡琼 -专利权人：刘翡琼
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G01R33/032 文献下载
摘要：本发明涉及磁场探测装置技术领域，具体涉及基于功函数变化的磁场探测装置，包括导电金属层、光敏半导体层、透明导电材料层、磁致伸缩颗粒，光敏半导体层置于导电金属层上，透明导电材料层置于光敏半导体层上，光敏半导体层内设有多个磁致伸缩颗粒同时，应用光照射光敏半导体层。本发明通过测量外电路中电流的变化实现磁场探测，本发明具有磁场探测灵敏度高的优点，在磁场探测领域具有良好的应用前景。
一种基于函数变化磁场探测装置

[发明专利]磁场传感器及其制作方法-CN201580059296.7有效
发明人： C·肖特;M·梅特尔;C·鲍尔 -专利权人：迈来芯科技有限公司;X-瑟利普林特有限公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L43/04 文献下载
摘要：一种用于测量磁场的半导体芯片(100)。该半导体芯片包括磁感测元件(110)和电子电路(120)。磁感测元件(110)被安装在电子电路(120)上。磁感测元件与电子电路电连接。以第一技术和/或第一材料生产电子电路，而以不同于第一技术/材料的第二技术和/或第二材料生产磁感测元件。
磁场传感器及其制作方法

[发明专利]利用PN结自供电的半导体光电催化器件-CN201811446777.5有效
发明人：母一宁;曹喆;杨继凯;肖楠;王帅;刘春阳 -专利权人：长春理工大学;长春市洁环光电科技有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： B01J21/08 文献下载
摘要：利用PN结自供电的半导体光电催化器件属于光电催化技术领域。现有技术为了提高半导体光电催化器件的催化效率，致使结构复杂。本发明之利用PN结自供电的半导体光电催化器件其特征在于，在P‑N+硅片的P‑区分布若干栅条，自P‑区至N+区掺杂浓度由稀变浓，栅条以下的P‑区厚度为50～120μm；栅条的顶面和侧面覆盖有半导体纳米线光电催化层。
利用 pn 供电半导体光电催化器件

[发明专利]大量生产多个磁传感器的方法-CN02815778.8无效
发明人： D·皮盖;F·文森特 -专利权人：阿苏拉布股份有限公司
申请日： 2002-05-22 - 公布日： 2004-10-27 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：大量生产在半导体基体(4)上实施的多个磁传感器(1)的方法，这些传感器(1)包含有至少一个由无定形磁性材料制作的磁芯(8)。这个方法的特征在于：在集成了与此磁传感器(1)相关联的电子线路以后，把无定形磁性材料薄膜(22)粘结在半导体基体(4)上，这层薄膜(22)是由无定形磁性材料的条带得到的，它被切割成许多部段(18)，这些部段相互靠着安置在一个支承板(20)上，然后使该薄膜具有一定的结构，生成该磁传感器(1)的磁芯(8)，最后对此半导体基体(4)进行切割，给出多个独立的磁传感器(1)。
大量生产多个磁传感器方法

[发明专利]用于MRAM阵列的磁屏蔽结构-CN202010024087.1在审
发明人：弗朗西斯科斯·皮特鲁斯·韦德索文;安托尼斯·亨德里库斯·尤立夫·坎菲斯 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：提供了一种封装半导体装置的实施例，所述封装半导体装置包括：半导体管芯，所述半导体管芯具有有源侧和相对的背侧，所述半导体管芯包括磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元阵列，所述MRAM单元阵列形成于所述半导体管芯的所述有源侧上的MRAM区域内；以及顶盖，所述顶盖包括定位在所述半导体管芯的所述背侧上的软磁材料，其中所述顶盖包括形成于所述顶盖的第一主表面中的凹陷，所述第一主表面面对所述半导体管芯的所述背侧，并且所述凹陷定位在所述MRAM
用于 mram 阵列屏蔽结构

[发明专利]清洗半导体装置的磷酸组合物水溶液-CN200380107248.8无效
发明人： J·达维奥;C·里德;D·霍姆斯 -专利权人： EKC技术公司
申请日： 2003-10-21 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： C09K13/00 文献下载
摘要：本发明涉及多种含有磷酸的稀水溶液，和多种使用此稀水溶液从半导体基板清洗等离子体蚀刻残渣的方法。
清洗半导体装置磷酸组合水溶液