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[发明专利]一种不锈钢阳极层离子源氮化装置及氮化方法-CN201810603488.5在审
发明人：夏昊峰;王刚 -专利权人：昆山易博群拓新材料科技有限公司
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C23C8/38 文献下载
摘要：一种不锈钢阳极层离子源氮化装置及氮化方法，本发明属于材料表面工程技术领域，它为了解决现有不锈钢离子氮化过程的渗氮速度较慢的问题。不锈钢阳极层离子源氮化装置包括多个阳极层离子源和多个真空加热体，在离子源氮化装置的真空室周向上均匀设置有多个阳极层离子源和多个真空加热体，并且阳极层离子源和真空加热体间隔设置。氮化方法：使用棉纱或吸油纸擦拭不锈钢工件表面，抽真空后进行离子清洗，通过阳极层离子源产生氮离子和氢离子进行强渗处理，然后进行扩散处理，完成不锈钢阳极层离子源氮化。本发明利用阳极层离子源高溅射效率高的优势，有效去除工件表面的油脂和氧化层，生产高效可靠，同时没有清洗废液的排放。
阳极层离子源离子源不锈钢阳极氮化氮化装置真空加热氢离子不锈钢工件表面材料表面工程高效可靠工件表面间隔设置均匀设置扩散处理离子氮化离子清洗清洗废液抽真空氮离子吸油纸氧化层真空室棉纱溅射强渗去除渗氮不锈钢擦拭排放生产

[发明专利]超薄氮化硅/氧化硅栅极介电层的制造方法-CN02122345.9有效
发明人：陈启群;李资良;陈世昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2002-06-14 - 公布日： 2003-12-31 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：一种超薄氮化硅/氧化硅栅极介电层的制造方法，是利用在一硅基材上，先氧化硅基材形成界面氧化层，再沉积氮化硅层在界面氧化层之上，再以等离子体氮化及等离子体氧化上述的氮化硅层。而热氧化硅基材是利用氧气或N2O氧化上述的硅基材，以形成氧化硅层或氮氧化硅层。沉积氮化硅层，则利用快速热化学气相沉积或远程等离子体增强化学气相沉积氮化硅层。等离子体氮化则是利用N2等离子体，等离子体氧化氧化则是利用氧等离子体或N2O等离子体再氧化氮化硅层。所以，本发明的制造方法，不仅降低热预算，提升元件性能，更有效降低介电层中的氢含量，提高了元件的可靠度。
超薄氮化氧化栅极介电层制造方法

[发明专利]氮化硅与氮氧化硅的等离子体处理-CN201280006199.8有效
发明人：马修·斯科特·罗杰斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-01-16 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：层间介电质(inter-poly dielectric;IPD)层叠的氮层是使用硅烷与氮等离子体沉积而产生氮化物层，所述氮化物层在所述层整个厚度上皆受到等离子体处理。除了氮化所述层叠的底部氮化物层之外，也氮化中间的氮化物层。在氮等离子体中由硅烷沉积硅可以通过使用高密度等离子体、ALD或远程等离子体工艺完成。在沉积期间可使用升高的温度以减少沉积层中残余的氢。
氮化氧化等离子体处理

[实用新型]离子氮化加工处理用均温装置-CN202220191965.3有效
发明人：毛守聪;张孟斋;石海彬 -专利权人：安阳弘森机械有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C23C8/36 文献下载
摘要：离子氮化加工处理用均温装置，涉及离子氮化加工技术领域，包括炉体，炉体的外侧壁包裹有保温层，保温层的外侧包裹有隔热层，炉体的内部设置有离子氮化反应箱，离子氮化反应箱的内壁开有卡接槽，卡接槽内卡接有加热丝，炉体的底面转动连接有转动轴，本实用新型可使离子氮化的升温方式由传统的离子轰击升温，改变为离子轰击升温和电能加热升温，从而有效提高了离子氮化的升温效率，且通过驱动机构，可使待离子氮化的工件在离子氮化反应箱转动，使受热更均匀，并且可与离子气氛充分接触；通过保温层与炉体的侧壁构成双层结构，防止炉体内热量外泄，能有效的实现了对炉体使用后的余热进行隔离和储存，减慢了炉体内部余热散失的速度。
离子氮化加工处理用均温装置

[发明专利]压缩机用35CrMoV齿轮高承载能力的深层离子氮化工艺-CN201711044264.7有效
发明人：张忠和;张尔康;蒋申柱;陈炜;邹鹏;卢景权 -专利权人：沈阳透平机械股份有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： C23C8/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种压缩机用35CrMoV齿轮高承载能力的深层离子氮化工艺，包括预备热处理、工件的清洗、离子氮化的装炉、离子氮化处理、离子氮化的渗层检验等工艺过程。本发明提供的压缩机用35CrMoV高承载能力的深层离子氮化工艺，在提高心部硬度的基础上，试验成功了表面硬度、表面脆性、脉状氮化物等全部合格的，渗层深度达到了1.0mm的工艺方法，经该循环变温四段离子氮化工艺处理后的工件，离子氮化的渗层厚度大幅提高，渗层的硬度梯度更加平稳，齿轮的承载能力大幅提高，接触疲劳和弯曲强度大幅提高。
离子氮化渗层离子氮化工艺高承载能力压缩机用齿轮脉状氮化物预备热处理表面脆性表面硬度承载能力工艺过程接触疲劳试验成功心部硬度循环变温硬度梯度装炉清洗检验

[发明专利]31CrMoV9齿轮的深层离子氮化工艺-CN201711043391.5有效
发明人：王飞宇;张忠和;王全振;程亮;茹海鹏;白俊峰 -专利权人：沈阳透平机械股份有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： C23C8/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种31CrMoV9齿轮的深层离子氮化工艺，包括正火、淬火、回火、离子氮化前的清洗、离子氮化装炉、离子氮化处理、离子氮化后的渗层检验等工艺过程。本发明提供的31CrMoV9齿轮的深层离子氮化工艺，通过改进预备热处理和离子氮化工艺过程中的工艺方法和工艺参数，采用变温四段离子氮化工艺方法，可使31CrMoV9齿轮的渗层厚度可以达到0.9mm以上，而且是在表面硬度、表面脆性、脉状氮化物、表面疏松渗层指标全部合格的前提下，硬度梯度更加平稳，使齿轮的承载能力大幅提高，接触疲劳和弯曲强度也大幅提高。
31 crmov9 齿轮深层离子氮化工艺

[发明专利]氮化物材料的制备方法及氮化物材料-CN202010630174.1在审
发明人：梁智文;王琦;袁冶;王新强;汪青;张国义 -专利权人：北京大学东莞光电研究院
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及氮化物材料的制备方法及氮化物材料，氮化物材料的制备方法，包括以下步骤：提供衬底，在衬底的表面沉积氮化物，形成氮化物薄膜；采用离子注入方法，在氮化物薄膜中形成离子注入层，离子注入层将氮化物薄膜分隔形成第一氮化物膜与第二氮化物膜，第一氮化物膜附着于衬底上，第二氮化物膜远离衬底；在第二氮化物膜的表面沉积功能材料，形成功能材料层；自离子注入层剥离第二氮化物膜与功能材料层。
氮化物材料制备方法

[发明专利]利用离子注入释放单晶氮化铝应力的方法-CN202210146662.4在审
发明人：姜文铮;母志强;朱宇波;陈玲丽;俞文杰;李卫民 -专利权人：上海集成电路材料研究院有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种利用离子注入释放单晶氮化铝应力的方法，包括步骤：1)于衬底上形成预铺铝层；2)在第一温度下于预铺铝层上形成第一氮化铝层；3)在第二温度下于第一氮化铝层上形成第二氮化铝层，其中，第二温度大于第一温度；4)于第一氮化铝层或第二氮化铝层中注入氢离子或氦离子，以在第一氮化铝层或第二氮化铝层中形成用于应力释放的缺陷层；5)通过热处理使第二氮化铝层的应力通过缺陷层释放并同时修复缺陷层中的缺陷，以获得低应力氮化铝层；6)于低应力氮化铝层上形成第三氮化铝层。本发明可以获得低应力、低缺陷、无裂纹的氮化铝薄膜，同时可依据不同的需求实现不同厚度的氮化铝薄膜的生长。
利用离子注入释放氮化应力方法

[实用新型]一种LED芯片以及具有该LED芯片的微LED显示面板-CN201820750818.9有效
发明人：刘兆;吕奇孟;刘英策;杨国武;霍子曦;曹衍灿;唐浩;胡慧琴 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种LED芯片以及具有该LED芯片的微LED显示面板，包括：衬底和位于衬底表面的外延结构，外延结构至少包括依次位于衬底表面的N型氮化镓层、量子阱发光层和P型氮化镓层；N型氮化镓层包括交替设置的第一氮化镓层和第二氮化镓层，第一氮化镓层中氮离子的浓度大于镓离子的浓度，第二氮化镓层中镓离子的浓度大于氮离子的浓度；外延结构的侧边为利用与第一氮化镓层和第二氮化镓层刻蚀速率不同的刻蚀气体刻蚀而成的波浪形的粗化的侧边，以提高LED
氮化镓层侧边外延结构衬底表面氮离子镓离子刻蚀饱和度本实用新型边缘区域交替设置刻蚀气体散射效果逼真度波浪形出射光发光层量子阱衬底粗化发光

[发明专利]氧化钛层的制造方法-CN01124179.9有效
发明人：李宗晔;刘宏伟 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2001-08-21 - 公布日： 2003-03-26 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：一种氮化钛层的制造方法，是在温度不同的反应室中分别进行MOCVD氮化钛层的沉积以及对氮化钛层的含氮等离子体的处理，由于氮气等离子体处理的温度较低，将可减少半导体组件的热预算以及组件结构的热应力，避免下层金属导线熔融挤出与氮化钛层的剥裂再者，MOCVD氮化钛层分成两次或多次沉积，每次形成的氮化钛层较薄，当以含氮等离子体进行处理时，则氮化钛层中的杂质可被完全去除，故得以改善氮化钛层的品质，而不会有氮化钛里层中的杂质无法去除的问题。
氧化制造方法

[发明专利]三维存储器及氮化钛粘合层的形成方法-CN202011346030.X在审
发明人：周鹏;吕术亮;熊攀;马杰康;毛格;章科强 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种三维存储器及氮化钛粘合层的形成方法，其中，所述三维存储器的形成方法包括：在待处理的叠层结构中形成孔道结构；采用原子层沉积工艺，充入反应前驱体，在所述孔道结构中形成掺杂有氯离子的氮化钛粘合层，其中，所述氮化钛粘合层具有第一电阻率；采用预设气体的等离子体以预设处理参数处理所述氮化钛粘合层，使得所述预设气体的等离子体与所述氮化钛粘合层中的氯离子发生反应，以去除所述氯离子，得到处理后的氮化钛粘合层，其中，所述处理后的氮化钛粘合层具有第二电阻率，且所述第二电阻率小于所述第一电阻率；在所述处理后的氮化钛粘合层表面沉积金属层，以形成所述三维存储器。
三维存储器氮化粘合形成方法

[发明专利]一种水射流喷丸和等离子渗氮的复合处理表面改性方法-CN201611141451.2有效
发明人：梁益龙;范航京;梁宇;李伟 -专利权人：贵州大学
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： C21D7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种水射流喷丸和等离子渗氮的复合处理表面改性方法，该法针对需要进行等离子氮化表面强化的零件在等离子氮化之前先进行表面精确高压水射流喷丸强化，然后再进行等离子氮化的复合处理技术。本发明采用高压水射流喷丸和等离子渗氮复合处理方法来显著提高试样渗氮层的质量和厚度，并有效解决了单一采用等离子渗氮技术存在的部分氮化层不均匀，甚至氮化层缺失，氮化深度不够等问题。因此，本发明不仅提高了渗氮层质量，使渗氮层厚度增加超过100μm，同时使试样表面的硬度大幅度提高，获得获得硬度梯度分布合理以及渗层组织均匀的渗氮层。
等离子渗氮渗氮层等离子氮化复合处理喷丸高压水射流表面改性氮化层水射流复合处理技术表面强化厚度增加喷丸强化试样表面硬度梯度有效解决氮化不均匀渗层

[发明专利]改良阻挡性质的钛材料的氮化物覆盖-CN202180047961.6在审
发明人：万一扬;仓富隆 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了经由化学气相沉积技术进行钛材料的氮化物覆盖的方法及装置。所述方法包括在形成于基板上的钛材料层上形成氮化钛层。通过将钛材料层暴露于富氢的含氮等离子体，随后将钛材料层暴露于富氮的含氮等离子体来形成氮化钛层。然后将氮化钛层暴露于氩等离子体，随后将氮化钛层暴露于卤化物浸泡工艺。
改良阻挡性质材料氮化物覆盖

[发明专利]氮化物功率器件及其制备方法-CN202010786618.0在审
发明人：刘成;田野;何俊蕾;赵杰;郭德霄;刘洋;叶念慈 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物功率器件及其制备方法，属于半导体技术领域。氮化物功率器件，包括：衬底，以及依次形成于衬底上的沟道层和势垒层，势垒层上局部形成有P型氮化物层，P型氮化物层上设有栅极，势垒层上设有源极和漏极，源极和漏极分别位于P型氮化物层的相对两侧，且分别与P型氮化物层间隔设置，沟道层内形成有离子注入区，且离子注入区位于P型氮化物层与漏极之间的间隔区域在沟道层上的正投影内，离子注入区内注入有负离子。本发明的目的在于提供一种氮化物功率器件及其制备方法，该氮化物功率器件具有较高击穿电压的同时，能够避免引入表面缺陷以及引入寄生电容，从而具有良好的动态特性和功率增益。
氮化物功率器件及其制备方法

[发明专利]制作半导体结构的方法-CN202111149931.4在审
发明人：林诗恩;曾纬伦;吴威政;蔡士竖;林昌杰 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：一种制作半导体结构的方法，包括以下操作：提供复合结构，其中复合结构包括金属层及位于金属层上的第一氮化层；对金属层的表面进行氮化处理、氢气等离子体处理或进行硅烷前驱物吸附；及形成第二氮化层覆盖第一氮化层及金属层的表面氮化处理、氢气等离子体处理及进行硅烷前驱物吸附可利于形成厚度均匀的第二氮化层。
制作半导体结构方法

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