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[发明专利]类神经突触器件及其制造方法-CN202110555460.0在审
发明人：张冠张;李蕾;胡萝丹 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种类神经突触器件及其制造方法，类神经突触器件中利用掺杂有离子的高分子聚合材料或生物有机材料作为类神经突触器件的功能层，在高分子聚合材料或生物有机材料掺入有离子，从产生突触行为的原理出发模拟生物突触行为，超越了传统类神经突触器件的行为级模拟。使得该器件性能更加接近于生物突触性能。此外，由于该器件的功能层内具有可移动离子，使得器件能够在较低电学信号刺激(脉冲)下产生电流响应，降低了工作电压，同时，由于功能层本身为绝缘材料，掺杂离子后虽提高了其电压灵敏度，但是其产生的电流不会过大，从而使得该器件的工作电压和响应电流较低，从而使得器件低功耗，应用性也更为广泛。
神经突触器件及其制造方法

[发明专利]一种影像传感器的制造方法-CN201310011790.9有效
发明人：李平 -专利权人：陆伟
申请日： 2013-01-11 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种影像传感器的制造方法，包括器件晶圆平整度研磨，器件晶圆的键合，器件晶圆背面减薄，器件晶圆背面表面研磨，淀积，彩色滤光片和微透镜的安装，所述器件晶圆背面表面处理采用射频发生器发出的射频激发去耦合化等离子体氧化物产生等离子对器件晶圆背面表面进行缺陷处理在背照式影像传感器的制造过程中，利用射频发生器发出的射频对去耦合化等离子体氧化物产生等离子对器件晶圆背面表面进行缺陷处理，减小了器件晶圆背面表面缺陷，提升了器件的性能。
一种影像传感器制造方法

[发明专利]显示面板、制备方法和显示装置-CN202210429906.X在审
发明人：陈佳;高栋雨;聂汉;仝勋飞;邓成绩;赵根;杨春梅;姜行宗;黄璟伟;吕彤 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板、制备方法和显示装置，显示面板包括：衬底，所述衬底中包括阻挡层，所述阻挡层包括阻隔和/或吸附金属离子的阻挡材料；发光器件，所述发光器件设置在所述衬底上。通过在发光器件的底部设置具有阻挡层的衬底，在显示面板的制备过程中，通过阻挡层可以阻挡玻璃基板中的金属离子向发光器件迁移扩散，避免金属离子进入发光器件中给器件带来影响，减小电流降，从而提升器件的使用寿命。
显示面板制备方法显示装置

[发明专利]高压工艺中器件隔离的方法-CN200810044079.2无效
发明人：陈华伦;罗啸;熊涛;陈瑜;陈雄斌 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2008-12-09 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L21/761 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压工艺中器件隔离的方法，在器件制备前，在整个硅衬底上进行无掩膜离子注入，而后进行器件常规工序的制备。本发明的方法，利用在硅衬底上的无掩膜离子注入增加在场区下的离子浓度，使器件之间隔离区域的浓度增加而增加隔离性能。
高压工艺器件隔离方法

[发明专利]清洁极紫外光源的腔室内的光学器件的表面-CN201880071537.3有效
发明人：白宗薰;M·C·亚伯拉罕 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：描述了一种清洁极紫外(EUV)光源(100)的腔室(125)内的光学器件(115)的表面的方法。腔室被保持在大气压以下的压力处。该方法包括在邻近光学器件表面(110)并且在腔室内的位置处生成处于等离子态的材料，生成包括将已经存在于真空腔室内并且邻近光学器件表面的天然材料(135)从第一状态转变成等离子态(130)。材料的等离子态包括材料的自由基。处于等离子态的材料通过如下被生成：使得处于等离子态的材料能够经过光学器件表面，以在不从EUV光源移除光学器件的情况下从光学器件表面移除碎屑(107)。
清洁紫外光源室内光学器件表面

[发明专利]电化学器件用电解液和使用该电解液的电化学器件-CN201610883829.X在审
发明人：涩谷聪;安部武志;小久见善八 -专利权人：松下电器产业株式会社;国立大学法人京都大学
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01M10/0568 文献下载
摘要：本申请提供使用含氟的阴离子、能够储存能量的电化学器件用电解液和电化学器件。电化学器件用电解液含有由二氟化氢阴离子和阳离子构成的盐；含硼的化合物；以及有机溶剂。
电化学器件用电使用电解液

[发明专利]全固态塑料电致变色器件及其制备方法-CN03140275.5无效
发明人：任豪;李筱琳;罗宇强;毕君 -专利权人：广州市光机电工程研究开发中心
申请日： 2003-08-26 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： G02F1/153 文献下载
摘要：本发明涉及一种全固态塑料电致变色器件及其制备方法。器件包括导电电极层、电致变色层、离子导电层以及离子存储层等，其衬底采用光学塑料材料，离子导电层采用高分子聚合物固态电解质材料。器件通过将离子导电层放置在导电衬底上的电致变色层和另一导电衬底上的离子存储层之间压合而成，最后由封装保护塑料层封装保护。本发明制备在光学塑料衬底上，器件结构清晰，制备方法简单，器件可以弯曲卷绕，用途广泛，易于选用卷绕式镀膜机、丝网印刷机、注塑机等工业设备进行大规模生产。
固态塑料变色器件及其制备方法

[发明专利]BCD器件-CN202210967258.3在审
发明人：汪琦;朱丽霞;方明旭 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供一种BCD器件，所述器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括高压器件区和低压器件区，所述高压器件区用于形成高压器件，所述低压器件区用于形成低压器件；高压漂移区，形成于所述高压器件区内，包括高压注入区及高压非注入区，且所述注入区的离子掺杂浓度大于等于2.5E12cm‑2；低压漂移区，形成于所述低压器件区内，包括低压注入区，且所述注入区的离子掺杂浓度大于等于2.5E12cm通过本发明解决了现有的BCD器件中漂移区的离子掺杂浓度满足高压LDMOS器件的需求时低压LDMOS器件的性能受到影响的问题。
bcd 器件

[发明专利]一种降低氮化镓基电子器件外延应力的离子注入改善型衬底-CN201510038542.2在审
发明人：罗睿宏;梁智文;张国义 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2015-01-26 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明公开一种降低氮化镓基电子器件外延应力的离子注入改善型衬底。所述离子注入改善型衬底，利用离子注入技术对常规的氮化镓异质外延衬底进行选择性地注入离子，致使注入离子后的衬底材料在热膨胀系数、杨氏模量、晶格常数、晶体结构等方面发生一定的变化，使得异质衬底材料的物理性能参数与氮化镓材料的性能参数相匹配，以适应氮化镓电子器件在异质衬底上外延生长，降低异质衬底上氮化镓基电子器件的外延生长应力，从而改善并提高氮化镓材料的生长质量及器件的整体性能。离子注入改善型衬底，对降低氮化镓基电子器件外延应力有明显的改善作用，对提升电子器件整体性能有重要作用，所以在电子器件应用方面具有潜在的实用化和商业化的价值。
一种降低氮化电子器件外延应力离子注入改善衬底

[发明专利]高电流离子植入器以及使用高电流离子植入器控制离子束的方法-CN202080050339.6在审
发明人：亚历山大·利坎斯奇;常胜武;法兰克·辛克莱;安东尼勒·可雀帝;艾立克·D·赫尔曼森;克里斯多夫·坎贝尔 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01J37/12 文献下载
摘要：离子植入系统的静电透镜可从离子源接收离子束，静电透镜包括沿着离子束线的一侧设置的第一多个导电束光学器件及沿着离子束线的第二侧设置的第二多个导电束光学器件。离子植入系统还可包括与静电透镜连通的电源供应器，所述电源供应器可操作以向第一多个导电束光学器件及第二多个导电束光学器件中的至少一者供应电压及电流，其中电压及电流使离子束偏转束偏转角度，且其中离子束在静电透镜内被加速然后被减速
电流离子植入以及使用控制离子束方法

[发明专利]一种半导体器件的制备方法-CN202110993761.1在审
发明人：万彩萍;田丽欣;桑玲;罗松威;许恒宇;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所;全球能源互联网研究院有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制备方法。一种半导体器件的制备方法，包括：提供具有掺杂的SiC外延片；在SiC外延片上形成第一掩膜层；对第一掩膜层进行图形化处理，曝露出第一离子注入区域；向第一离子注入区域进行离子注入，注入类型与SiC外延片的掺杂类型相同；去除第一掩膜层；去除第一掩膜层之后在SiC外延片上形成第二掩膜层；对第二掩膜层进行图形化处理，曝露出第二离子注入区域；向第二离子注入区域进行离子注入，注入类型根据半导体器件中离子注入结构的类型确定；去除第二掩膜层；激活第二离子注入区域注入的离子；制作半导体器件的其他结构。该方法旨在解决器件在雪崩击穿过程中电荷在第二注入边缘区域聚集发生击穿的问题。
一种半导体器件制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置-CN201710058816.3有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，核心区和输入输出区内均包括NMOS器件区和PMOS器件区；对核心区中的PMOS器件区内和输入输出区中的NMOS器件区内预定形成源/漏极的区域进行P型掺杂离子的第一离子注入；对核心区和输入输出区中的PMOS器件区和NMOS器件区内预定形成源/漏极的区域进行N型掺杂离子的第二离子注入；在核心区和输入输出区中的预定形成源/漏极的区域形成金属硅化物层，在金属硅化物层与半导体衬底的界面处掺杂有N型掺杂离子。本发明的方法，在IO区中的NMOS器件区内以及PMOS器件区内经过反掺杂工艺形成了缓变结轮廓，从而降低GIDL，提高了器件的性能和可靠性。
一种半导体器件及其制造方法电子装置

[发明专利]抑制热载流子注入的方法及BiCMOS器件制造方法-CN201210143431.4在审
发明人：林益梅 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供了一种抑制热载流子注入的方法、BiCMOS器件制造方法以及BiCMOS器件。根据本发明的抑制BiCMOS器件的热载流子注入的方法包括：在形成p型的输入输出MOS晶体管的源极和漏极的离子注入步骤中分别执行铟离子注入步骤和硼离子注入步骤；其中，铟离子注入步骤用于对硅片进行铟离子注入；硼离子注入步骤用于在铟离子注入步骤之后对硅片的执行了铟离子注入的同一区域进行硼离子注入。根据本发明，在形成p型的输入输出MOS晶体管或高压MOS晶体管的源漏结构的离子注入步骤中，在硼离子注入之前先进行铟离子注入，从而抑制硼离子的扩散并提高硼离子的活性，由此抑制p型的输入输出MOS晶体管的热载流子注入问题，进而改进BiCMOS器件的性能。
抑制载流子注入方法 bicmos 器件制造

[发明专利]具有等离子检测构件的激光加工装置-CN201210389834.7有效
发明人：森数洋司;西野曜子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2012-10-15 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： B23K26/36 文献下载
摘要：本发明提供一种具有等离子检测构件的激光加工装置，其适合于通过从外延基板的背面侧向缓冲层照射激光光线来从光器件层剥离蓝宝石基板。所述激光加工装置用于从在蓝宝石基板的表面隔着缓冲层层叠光器件层而成的光器件晶片剥离蓝宝石基板，其具有：卡盘工作台，其保持光器件晶片；激光光线照射构件，其用于向所述光器件晶片照射脉冲激光光线来破坏所述缓冲层；等离子检测构件，其用于对因从所述激光光线照射构件向光器件晶片照射激光光线而在所述缓冲层产生的等离子光的光强度进行检测；以及显示构件，其用于显示所述等离子光的光强度，所述等离子检测构件用于检测所述等离子光中的由形成所述缓冲层的物质产生的波长范围的等离子光的光强度
具有等离子检测构件激光加工装置

[发明专利]半导体器件的制造方法和半导体器件-CN201410049266.5在审
发明人：崔金洪 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-02-12 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的制造方法和一种半导体器件，其中，所述半导体器件的制造方法，包括：在形成有第一阱区和第二阱区的衬底结构上，分别通过所述第一阱区和所述第二阱区上的多晶硅窗口注入掺杂离子，以形成所述半导体器件的N-区和P-区；在形成有所述N-区和所述P-区的衬底结构表面生长氧化层；透过所述氧化层向所述N-区注入第一掺杂离子，以形成所述半导体器件的N+区，以及透过所述氧化层向所述P-区注入第二掺杂离子，以形成所述半导体器件的通过本发明的技术方案，可以在注入掺杂离子时，对离子的能量进行削弱，降低了注入离子时对衬底造成的损伤。
半导体器件制造方法