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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]PECVD装置及半导体器件的形成方法-CN201110366072.4有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种PECVD装置和半导体器件的形成方法，其中，所述PECVD装置包括PECVD设备和等离子体发生器，所述等离子发生器包括气体入口、等离子体发生腔、射频电极和气体出口，所述等离子体发生器的气体出口与PECVD所述半导体器件的形成方法形成刻蚀停止层时，将含有刻蚀停止层组成成分的气体通过等离子体发生器形成含有等离子体的反应气体，再通入PECVD设备，通过化学反应在形成有MOS器件的衬底上形成刻蚀停止层。本发明PECVD装置和半导体器件的形成方法能够减少PECVD设备内的光子数以及在刻蚀停止层表面累积的电荷数，防止光子和电荷对衬底内MOS器件的栅氧化层造成损伤，提高所制造半导体器件的性能。
pecvd 装置半导体器件形成方法

[发明专利]用于制备致动器件的离子聚合物、致动器件及其制备方法-CN202111455737.9有效
发明人：杜飞鹏;黄潇;张慧 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：本发明公开一种用于制备致动器件的离子聚合物、致动器件及其制备方法，属于功能材料技术领域。该用于制备致动器件的离子聚合物，由离子化聚硅氧烷与金属盐溶于第一溶剂中得到铸膜液，之后干燥制得所述离子聚合物；所述离子化聚硅氧烷与所述金属盐的质量比为1:(2‑11)；所述铸膜液中的固含量为30％‑50该致动器件的制备方法，包括以下步骤：将电极材料置于第二溶剂中，经分散形成电极层铸膜液；在上述离子聚合物形成的电解质层的上下两面涂覆所述电极层铸膜液，之后干燥形成所述致动器件。制得的致动器件在低电场作用下，具有较高的响应应变和应力。
用于制备器件离子聚合物及其方法

[发明专利]日光灯管负离子发生器-CN201410463339.5在审
发明人：熊开富 -专利权人：昆山博文照明科技有限公司
申请日： 2014-09-12 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本发明提供一种日光灯管负离子发生器，它具有多重功能，在日光灯照明的同时会发出负离子，而且亮度增加，并能在普通日光灯支架上使用。日光灯管负离子发生器包括日光灯管、负离子发生器件，具体是:日光灯管和负离子发生器件为各自独立的两个实体，在日光灯管的玻璃外表上贴着反光膜，日光灯管一个灯脚插在负离子发生器件的插座上，负离子发生器件的另一端设有与日光灯管相同的灯脚
日光灯管负离子发生器

[发明专利]日光灯管负离子发生器-CN200810061412.0无效
发明人：孙裕康 -专利权人：施继君
申请日： 2008-04-28 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： F21V33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种日光灯管负离子发生器，它具有多重功能，在日光灯照明的同时会发出负离子，而且亮度增加，并能在普通日光灯支架上使用。日光灯管负离子发生器包括日光灯管、负离子发生器件，具体是：日光灯管和负离子发生器件为各自独立的两个实体，在日光灯管的玻璃外表上贴着反光膜，日光灯管一个灯脚插在负离子发生器件的插座上，负离子发生器件的另一端设有与日光灯管相同的灯脚
日光灯管负离子发生器

[发明专利]一种电致变色器件-CN202210337709.5在审
发明人：曹子宜;马兰;许海波;陈梁 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G02F1/153 文献下载
摘要：本申请提供了一种电致变色器件，所述电致变色层与离子存储层之间设有多孔离子传导层，所述多孔离子传导层被液体电解质所浸润，所述多孔离子传导层为多孔聚合物层，所述多孔聚合物层的孔隙率为20％‑60％，所述多孔聚合物层的平均孔隙大于该电致变色器件因含有多孔离子传导层，导致电致变色器件的结构有所改变，漏液率大大降低，有利于液态基电致变色器件的大规模生产。
一种变色器件

[发明专利]从基片的选择区域去除外来杂质的等离子处理设备和方法-CN200510129527.5有效
发明人：罗伯特·康德拉少弗;詹姆士·D·格蒂;詹姆士·S·泰勒 -专利权人：诺信公司
申请日： 2005-12-05 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：用于屏蔽从基片上的第一区域凸出的器件免受等离子体影响、同时用等离子体从基片上的不同区域去除外来杂质的设备和方法。所述设备包括至少一个凹陷，其被定位并定好尺寸以接收器件，以便器件被屏蔽而免受等离子体的影响。所述设备进一步包括窗口，通过所述窗口，等离子体去除外来杂质。所述方法通常包括去除外来杂质，同时屏蔽器件免受暴露于等离子体的影响。
选择区域去除外来杂质等离子处理设备方法

[发明专利]一种基于固态离子导体的场效应器件-CN202010015202.9有效
发明人：周璋;鲍丽宏;高鸿钧 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：公开了一种基于固态离子导体的场效应器件。根据一实施例，基于固态离子导体的场效应器件包括：目标材料、源/漏电极、固态离子导体、栅压电极；其中，所述目标材料形成于所述固态离子导体之上，所述源/漏电极位于所述目标材料的两侧，所述栅压电极位于所述固态离子导体表面本申请实施例的场效应器件，相较于传统的利用氧化物介电层的场效应器件对载流子浓度调控能力有较大的提升，场效应调控能力上限更高。
一种基于固态离子导体场效应器件

[发明专利]一种离子液体的应用、太阳能电池器件及其制备方法-CN201811070355.2在审
发明人：辇理;张笑晗;容齐坤;汪天怡;张雨;杨祎凡;周国富 -专利权人：华南师范大学;深圳市国华光电科技有限公司;深圳市国华光电研究院
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子液体的应用、太阳能电池器件及其制备方法，该离子液体的结构式为：可作为阴极修饰层材料应用于制备太阳能电池器件通过以上方式，该离子液体具有高离子导电率和良好的化学稳定性，将其作为阴极修饰层材料应用于制备太阳能电池器件，可提高太阳能电池器件的性能，提高光电转换效率。
太阳能电池器件离子液体制备阴极修饰层材料应用光电转换效率化学稳定性离子导电率应用

[发明专利]一种钠离子储能器件正极材料及其制备方法和钠离子储能器件-CN201410705210.0在审
发明人：王宏宇;田圣峰;齐力 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2014-11-27 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01M4/131 文献下载
摘要：本申请属于储能器件领域，尤其涉及一种钠离子储能器件正极材料及其制备方法和钠离子储能器件。本申请提供的钠离子储能器件正极材料的化学式为Na_yM1_xM2_(1-x)O₂；其中，0<y<1，0<本申请提供的钠离子储能器件包括：正极、负极、电解液和介于正极与负极之间的隔离膜；所述正极包括上述正极材料。实验结果表明，本发明提供的钠离子储能器件充放电曲线为一条斜线，充放电过程无平台，易于监测其比容量。
一种钠离子器件正极材料及其制备方法

[发明专利]一种具有散热功能的电子电路板-CN201711180991.6在审
发明人：杨松 -专利权人：桂林嘉宏电子科技有限公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有散热功能的电子电路板，包括散热器和电路板，散热器内部设有电路板，且电路板嵌入设置在散热器中，离子风扇其产生风力，将元器件的热量带走，以及将空气中的离子吹散，防止元器件过热出现烧坏的情况，以及防止空气中的离子对元器件线路造成危害，气流循环口其使离子风扇产生的风力形成循环的气流，增强离子风扇产生的风力的利用，电路防护层其用于保护电路板上的元器件线路，使元器件线路与空气隔绝，防止空气中的静电使元器件线路出现短路等现象
散热器电路板元器件线路离子风扇散热功能元器件风力离子烧坏电子电路板电路防护电子电路空气隔绝气流循环嵌入设置热量带走循环气流静电短路散热孔吹散过热

[发明专利]PLDMOS器件及其制造方法-CN201710003959.4有效
发明人：段文婷 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-01-04 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种PLDMOS器件，包括：N型外延层，P阱，栅介质层，多晶硅栅，源区和漏区，沟道区由N型外延层叠加N型离子注入杂质形成，通过N型离子注入杂质提高沟道区的N型掺杂浓度并从而抑制源漏穿通；在沟道区表面形成有P型离子注入杂质，通过P型离子注入杂质抵消N型离子注入杂质对沟道区的表面的影响，从而使器件的阈值电压向由N型外延层的本体掺杂浓度决定的初始阈值电压恢复。本发明还公开了一种PLDMOS器件的制造方法。本发明能抑制器件的源漏穿通同时不影响器件的阈值电压，能使器件适用于更小的沟道长度。
pldmos 器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件孔结构的刻蚀方法和刻蚀设备-CN201811415584.3有效
发明人：赵伟;曹春生;华强;任东华 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明实施例提出一种半导体器件孔结构的刻蚀方法和一种刻蚀设备，提供完成了前层工序的半导体器件；产生等离子体；利用单射频电源系统控制等离子体密度，并利用所述单射频电源系统在刻蚀所述半导体器件中不同介质时降低等离子体的轰击力度，并利用聚焦环反射等离子体，令等离子体打入所述半导体器件区域，在所述半导体器件的不同介质中刻蚀出孔结构；其中，所述聚焦环内周边缘和半导体器件外周边缘之间的间距小于或等于1mm时，设置所述聚焦环的高度为5.1mm
半导体器件结构刻蚀方法设备

[实用新型]一种具有散热功能的电子电路板-CN201721580767.1有效
发明人：李培林 -专利权人：宏俐（汕头）电子科技有限公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有散热功能的电子电路板，包括散热器和电路板，散热器内部设有电路板，且电路板嵌入设置在散热器中，离子风扇其产生风力，将元器件的热量带走，以及将空气中的离子吹散，防止元器件过热出现烧坏的情况，以及防止空气中的离子对元器件线路造成危害，气流循环口其使离子风扇产生的风力形成循环的气流，增强离子风扇产生的风力的利用，电路防护层其用于保护电路板上的元器件线路，使元器件线路与空气隔绝，防止空气中的静电使元器件线路出现短路等现象
散热器电路板元器件线路离子风扇散热功能元器件风力离子烧坏电子电路板电路防护电子电路空气隔绝气流循环嵌入设置热量带走循环气流静电短路散热孔吹散过热

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201710557656.7有效
发明人：刘剑 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-07-10 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供器件衬底；对所述器件衬底的背面进行第一离子注入，以在所述器件衬底中形成缓冲层；自所述器件衬底的所述背面进行第二离子注入，以在所述器件衬底中形成注入层，所述注入层的表面与所述背面齐平；进行退火处理，以激活所述缓冲层和所述注入层中的注入离子；自所述背面去除部分厚度的所述注入层，以减小所述注入层的结深至目标结深。本发明的方法可以避免器件衬底翘曲的问题出现。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]带有等离子体扩散层的复合PiN肖特基二极管-CN202010312456.7有效
发明人：任娜;李宛曈;刘旺;黄治成 -专利权人：元山（济南）电子科技有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及带有等离子体扩散层的复合PiN肖特基二极管，二极管包括：PN结，形成所述PN结的第一导电区域和第二导电区域，设置有等离子体扩散层的扩散单元，在所述扩散单元中，通过所述等离子体扩散通道连接第一区域、第二区域和第三区域，以使浪涌大电流条件下产生的等离子体通过所述通道扩散。通过设计等离子体扩散层，将多个独立的PN结连接起来，使得器件在受到浪涌大电流冲击的情况下，器件内部的电流以及产生的热量可以均匀地扩散到整个器件的各个区域，有效地防止器件发生局部过热造成器件损坏，从而提高器件的抗浪涌电流能力，增强器件的可靠性。
带有等离子体扩散复合 pin 肖特基二极管

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