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- [发明专利]磁性存储器-CN99124477.X无效
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H·范登伯格
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因芬尼昂技术股份公司
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1999-11-19
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2000-05-31
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G11C11/15
- 本发明涉及自由选择存取型磁性存储器,它有一个由很多存储器单元组成的存储器单元区,而存储器单元是矩阵式安排在字线和读出线交叉点上的,并且其逻辑数据内容由磁性状态定义,具有从属于字线的寻址电路,借助此电路在被选定的存储器单元的字线上加上一读取电压,而被选定的存储单元的数据内容应被读取,并且具有一个从属于读出线的计算电路,借助此电路测定或计算与被选定存储器单元数据内容相应的信号,此时计算电路具有一个比较电路,借助此电路将参考元件提供的参考信号与应读取存储器单元的读出信号比较
- 磁性存储器
- [发明专利]用于存储器装置的磁性高速缓存器-CN202110675845.0在审
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D·A·尤达诺夫
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美光科技公司
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2021-06-18
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2022-01-07
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G11C11/16
- 本申请案是针对用于存储器装置的磁性高速缓存器。磁性存储元件(例如，磁性存储器单元，例如自旋转移力矩STT存储器单元或磁性穿隧结MTJ存储器单元)可被配置成充当用于存储器阵列的高速缓存器，其中所述存储器阵列包含不同类型的存储器单元。所述磁性存储元件可以电感方式耦合到用于所述存储器阵列的存取线。基于此电感耦合，当存储器值写入到所述阵列的存储器单元或从所述阵列的存储器单元读取时，所述存储器值可基于穿过用以写入或读取所述存储器单元的存取线的相关联电流而并行地写入到磁性存储元件。可通过从所述磁性存储元件而非从所述阵列的所述存储器单元读取所述存储器值来执行后续读取请求。
- 用于存储器装置磁性高速缓存
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