“大寺泰章”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果31个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]磁存储器-CN202111623227.8在审
发明人：下村尚治;梅津信之;近藤刚;上田善宽;大寺泰章;山本明人;冈岛睦;门昌辉;中西务;M·A·坎萨 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供磁存储器，具备：电极，沿包含第1方向及与第1方向交叉的第2方向的平面延伸；第1布线，沿第1方向延伸；多个第2布线，配置于电极与第1布线之间，沿第2方向延伸且沿第1方向排列；多个第1磁性部件，与第1布线对应设置，各自具备电连接于第1布线的第1部分和电连接于电极的第2部分，沿与第1方向及第2方向交叉的第3方向从第1部分向第2部分延伸，从第3方向观察时，与多个第2布线中相邻的2个之间对应地分别存在一个第1磁性部件；及控制电路，电连接于电极、第1布线及多个第2布线，在向多个第1磁性部件中的一个写入第1信息时向位于一个第1磁性部件的第1方向的一侧的多个第2布线中的至少2根分别供给第1电流。
磁存储器

[发明专利]存储器件及存储器件的制造方法-CN202110869975.8在审
发明人：冈岛睦;大寺泰章;中西务 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供存储器件及其制造方法。实施方式的存储器件包括：电路(CC)，其设置在半导体基板(9)的第1面上，包括第1接触部(53)；氧化铝层(63)，其在与第1面垂直的方向上设置在基板(9)的上方；存储单元(MC)，其包括设置在氧化铝层(63)内的电容器(10)；导电层(61)，其在第1方向上设置在基板(9)与氧化铝层(63)之间，与存储单元(MC)电连接；第1绝缘层(60)，其在第1方向上设置在导电层(61)与基板(9)之间；第2绝缘层(80)，其在与基板(9)的表面平行的第2方向上与氧化铝层(63)相邻，在第1方向上设置在基板(9)的上方；以及第2接触部(70)，其设置在第2绝缘层(80)内，在第1方向上设置在第1接触部(53)的上方，将存储单元(MC)电连接于第1接触部(53)。
存储器件制造方法

[发明专利]磁性存储器-CN202110214493.9在审
发明人：近藤刚;梅津信之;大寺泰章;中西务;平山重之 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本实施方式的磁性存储器具备：第1配线及第2配线；非磁性导电体部，沿第1方向设置；第1磁性部件，包含电连接于所述第1配线的第1部分及电连接于所述第2配线的第2部分，且所述第1磁性部件是以在所述第1方向上从所述第1部分向所述第2部分延伸，包围所述非磁性导电体部的方式配置；绝缘部，配置于所述非磁性导电体部与所述第1磁性部件之间；以及控制电路，电连接于所述非磁性导电体部、所述第1配线及所述第2配线。
磁性存储器

[发明专利]磁存储装置-CN201911389663.6在审
发明人：桥本进;门昌辉;M·A·坎萨;梅津信之;近藤刚;大寺泰章;中村志保 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：实施方式的磁存储装置(1)具备：第1磁性体部(4)，其在第1方向(X)上延伸，在第1方向上具有第1端部(4a)和第2端部(4b)；层叠部(5)，其在与第1方向(X)交叉的第2方向上相对于第1磁性体部层叠；第1电极(8A)，其与第1端部(4a)电连接；以及第2电极(8B)，其与第2端部(4b)电连接。层叠部(5)包括第1层(6)和配置在第1层(6)与第1磁性体部(4)之间的第2层(7)，第2层(7)包含金属氧化物，第1层(6)包含选自金属氮化物和金属碳化物中的至少一种。
存储装置

[发明专利]光盘、信息记录方法、和信息再现方法-CN201010276267.5无效
发明人：梅泽和代;森田成二;高泽孝次;安东秀夫;大寺泰章;中村直正;森下直树 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-05-31 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： G11B7/242 文献下载
摘要：本发明公开一种光盘、信息记录方法、和信息再现方法。光盘包括一个或多个记录层，配置为通过具有预定波长的光来记录或再现信息，在记录层上记录或从记录层上再现被配置为通过记录标记和空白而执行，其中使用针对所述光的一个峰值功率和三个不同电平的偏置功率来在记录层上记录信息，以及在一个写脉冲或多个写脉冲结束之后应用三个不同电平的偏置功率之中的中间电平的偏置功率，所述一个写脉冲或多个写脉冲对应于记录标记。所述光盘特征在于存储了用于一个或多个记录层的与峰值功率和中间电平的偏置功率有关的功率相关信息。
光盘信息记录方法再现

[发明专利]光学记录介质、信息记录方法、及信息再现方法-CN201010255599.5在审
发明人：高泽孝次;森田成二;梅泽和代;森下直树;大寺泰章;安东秀夫;中村直正 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-06-01 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：公开了一种光学记录介质、信息记录方法、及信息再现方法，提供层间串扰低且能获得稳定且高质量记录特性的光学记录介质。为此目的，光学记录介质包括：记录层(L1)，配置来以预定波长的光记录或再现信息；在所述介质(100)的内圆周侧处的记录层(L1)上提供的烧录区(BCA)，所述烧录区(BCA)配置来记录包括标记极性标志的特定信息，所述标记极性标志指示记录层(L1)上的记录标记的极性，其中所述标记极性标志表明记录标记的极性是低-高还是高-低。
光学记录介质信息方法再现

[发明专利]光学记录介质、信息记录方法、及信息再现方法-CN201010224002.0无效
发明人：高泽孝次;森田成二;梅泽和代;森下直树;大寺泰章;安东秀夫;中村直正 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-06-01 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种光学记录介质、信息记录方法、及信息再现方法。所述光学记录介质是单面双层光盘，包括第一记录层和第二记录层，其中第二记录层(L1)被布置来比第一记录层(L0)远离光入射面，第一记录层能够以波长为405nm的光进行记录或再现，第二记录层能够以波长为405nm或650nm或更长波长的光进行记录或再现，在光盘的内侧布置了其上记录有特定信息的烧录区(BCA)，以及所述特定信息包括位信息，所述位信息指示用于第一记录层的格式和用于第二记录层的格式。
光学记录介质信息方法再现

[发明专利]光学记录介质、信息记录方法、及信息再现方法-CN201010120416.9有效
发明人：高泽孝次;森田成二;梅泽和代;森下直树;大寺泰章;安东秀夫;中村直正 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-06-01 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： G11B7/242 文献下载
摘要：公开了一种光学记录介质、信息记录方法、及信息再现方法，提供层间串扰低且能获得稳定且高质量记录特性的光学记录介质。为此目的，光学记录介质(100)包括：第一记录层(L0)，和布置在比第一记录层远离光入射侧处的第二记录层(L1)，第一记录层(L0)和第二记录层(L1)能够以预定波长的光被记录或再现。其中，在第一记录层(L0)与第二记录层(L1)之间提供了中间层(104)，该中间层(104)的厚度处在25±10μm的范围内；并且在盘状光学记录介质上第二记录层(L1)的内圆周上形成烧录区。
光学记录介质信息方法再现

[发明专利]光盘、光盘母盘制作方法和光盘回放设备-CN200810108671.4无效
发明人： 大寺泰章 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： G11B7/007 文献下载
摘要：本发明公开了一种光盘、光盘母盘制作方法和光盘回放设备。一种根据本发明一个实施例的光盘，当基于基准时钟计算出的最短标记长度为L_n0T时，记录在光盘上的实际最短标记长度被设置为等于或小于L_n0T×0.6。该光盘产生一回放信号，该信号稳定地用于例如使用PRML方法回放信息的回放设备。
光盘母盘制作方法回放设备

[发明专利]光盘、光盘装置、和光盘再现方法-CN200710147654.7无效
发明人： 大寺泰章;吉田展久;中村直正 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-08-31 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：公开了一种光盘、光盘装置、和光盘再现方法。光盘中的信息以凹坑图案记录并且该光盘包括一个反射膜。当该凹坑的下凹和凸起与通常情况凹坑的下凹和凸起相反时，在该凹坑上以银或银合金及铝或铝合金的双层膜的形式来形成反射膜。形成的反射膜具有包括第一层(50)和不同于该第一层(50)的第二层(52)的双层结构。第一层(50)的材料是铝、铝合金或铝氧化物。第二层(52)与该第一层接触，并且其材料是银或银合金。
光盘装置再现方法

[发明专利]信息记录介质和光盘设备-CN200710122711.6无效
发明人：高泽孝次;森田成二;梅泽和代;森下直树;大寺泰章;安东秀夫;中村直正 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-07-02 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种信息记录介质和光盘设备，其中信息记录介质具有第一基片(41)、第一记录层、第二记录层、以及第二基片(48)。第一记录层从光入射侧开始具有第一染料层(42)和第一反射层(43)。第二记录层从光入射侧开始具有第二染料层(45)和第二反射层(46)。第二染料层的厚度大于第一染料层的厚度。
信息记录介质光盘设备

[发明专利]光学记录介质、信息记录方法、及信息再现方法-CN200710105869.2有效
发明人：高泽孝次;森田成二;梅泽和代;森下直树;大寺泰章;安东秀夫;中村直正 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-06-01 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： G11B7/258 文献下载
摘要：公开了一种光学记录介质、信息记录方法、及信息再现方法，提供层间串扰低且能获得稳定且高质量记录特性的光学记录介质。为此目的，光学记录介质包括：第一记录部分，其包括第一记录层和第一反光层，并被放置在靠近光接收表面的一侧上；及第二记录部分，其包括第二记录层和第二反光层，并被放置在远离该光接收表面的一侧上；该第一记录部分和该第二记录部分被层叠，其中该第二反光层的厚度大于该第一反光层的厚度。
光学记录介质信息方法再现

[发明专利]光盘、信息记录方法、和信息再现方法-CN200710105910.6无效
发明人：梅泽和代;森田成二;高泽孝次;安东秀夫;大寺泰章;中村直正;森下直树 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-05-31 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： G11B7/242 文献下载
摘要：本发明公开一种光盘、信息记录方法、和信息再现方法。提供一种适于以短波长蓝激光进行记录/再现的可重记录一次写入型光盘。该光盘具有记录层(L0、L1等)，其上以调制后的短波长激光功率记录标记，所记录的标记之间形成有空白。该光盘的记录层使用一种有机染料材料以使得在记录标记的区中基本上不发生物理改变或物理变化。
光盘信息记录方法再现

[发明专利]多层光盘、信息记录方法和信息再现方法-CN200710105912.5无效
发明人：梅泽和代;森田成二;高泽孝次;安东秀夫;大寺泰章;中村直正;森下直树 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-05-31 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： G11B7/007 文献下载
摘要：本发明提供了一种多层光盘、信息记录方法和信息再现方法。可以使用单面双层可记录光盘100。通过使用经过调制的激光功率在数据区DA上形成标记和空白来进行信息记录。Pp表示形成标记部分的最大激光功率或峰值功率，而Pb表示形成空白部分的偏置功率。计算每个记录层L0和L1的功率比值Pb/Pp(ST16)。根据计算结果把信息记录在任一记录层L0和L1上(ST14－ST22)。这里，所计算的功率比值Pb/Pp在记录层L0和L1中改变，从而在相对短时间内最佳化多层可记录光盘的记录条件。
多层光盘信息记录方法再现

[发明专利]光盘、信息记录方法、信息再现方法、和盘驱动器-CN200710105866.9无效
发明人：吉田展久;大寺泰章;梅泽和代;中村直正;高泽孝次;安东秀夫 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-06-01 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种光盘、信息记录方法、信息再现方法以及盘驱动器。即使使用长波长激光(波长落在从600nm到800nm范围内)，一种使用短波长激光(波长＝600nm或更少)的一次写入型光盘也允许BCA信息记录。为此，预先在光盘的成型基片上的BCA部分刻制沟槽以存储染料。这样，BCA中的染料的敏感度提高，以允许与该染料的信息记录对应的波长(例如，405nm)之外的波长(波长落在从600nm到800nm范围内)的激光把条码图案记录在BCA上。
光盘信息记录方法再现驱动器

1
2
3
下一页»
尾页
共 31 条