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[发明专利]无定形碳处理方法及采用无定形碳作为硬掩膜的刻蚀方法-CN201110296996.1有效
发明人：邓浩;张彬 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-09-27 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：一种作为硬掩膜的无定形碳的处理方法，包括：提供硬掩膜层，材质为无定形碳；图案化硬掩膜层；对图案化硬掩膜层进行硼离子注入。本发明还一种采用无定形碳作为硬掩膜的刻蚀方法，包括：提供半导体衬底，其上形成有对准标记及衬底图案，且最上层为待刻蚀层；在待刻蚀层上淀积硬掩膜层，硬掩膜层材质为无定形碳；通过无定形碳探测对准标记，使得掩膜版上的图案和衬底图案对准；图案化硬掩膜层；对图案化硬掩膜层进行硼离子注入，形成新的图案化硬掩膜层；以新的图案化硬掩膜层为掩膜，刻蚀待刻蚀层。采用本发明的技术方案，可以克服现有的采用无定形碳作为硬掩膜进行刻蚀时，掺硼剂量范围有限及去除该硬掩膜层时工艺要求较高的问题。
无定形碳处理方法采用作为硬掩膜刻蚀

[发明专利]无定形碳硬掩膜层的形成方法及刻蚀方法-CN201110383465.6有效
发明人：张彬;邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种无定形碳硬掩膜层的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成初始无定形碳硬掩膜层，形成所述初始无定形碳硬掩膜层的反应温度为200～300摄氏度；采用含氮等离子体处理所述初始无定形碳硬掩膜层，形成无定形碳硬掩膜层。本发明无定形碳硬掩膜层的形成方法，采用低温工艺形成初始无定形碳硬掩膜层，采用含氮等离子体处理所述初始无定形碳硬掩膜层，形成致密性高的无定形碳硬掩膜层，降低了热预算，提高了器件稳定性。
无定形碳硬掩膜层形成方法刻蚀

[发明专利]开口的形成方法-CN201210253893.1有效
发明人：邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-07-20 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种开口的形成方法，包括，提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成含碳介质层，且所述含碳介质层为低k材料或超低k材料；采用沉积的方法在所述含碳介质层上形成硬掩膜层，沉积时所述含碳介质层与硬掩膜层的接触处的碳被损耗；在所述硬掩膜层中形成开口图形，所述开口图形底部露出所述含碳介质层；采用含碳气体束离子轰击所述开口图形的侧壁和底部形成的夹角处，以对含碳介质层与硬掩膜层的接触处进行碳补充；对含碳介质层与硬掩膜层的接触处进行碳补充后，以所述形成开口图形的硬掩膜层为掩膜，对所述含碳介质层进行刻蚀形成开口。
开口形成方法

[发明专利]硬掩膜层结构及其制造方法和半导体器件制造方法-CN201210109919.5有效
发明人：邓浩;周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-04-13 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供一种硬掩膜层结构及其制造方法和半导体制造方法，通过在含碳低K介质层上方无氧等离子体增强沉积第一TEOS硬掩膜层，然后再通过有氧等离子体增强沉积第二TEOS硬掩膜层，第一TEOS硬掩膜层能够改善现有技术TEOS硬掩膜层沉积时对下层含碳低K介质层表面的碳损耗，抑制下层含碳低K介质层界面无碳氧化物的形成，并且起到缓冲层作用，缓和了第二TEOS硬掩膜层、无碳氧化物与含碳低K介质层的湿法刻蚀选择比差异，从而避免了湿法清洗后硬掩膜层结构与含碳低
硬掩膜层结构及其制造方法半导体器件

[发明专利]采用包含氟代烃的聚合物的高保真构图-CN201280052536.7有效
发明人： M·布林克;S·U·恩格尔曼;N·C·M·富勒;M·A·古罗恩;宫副裕之;中村昌洋 -专利权人：国际商业机器公司;日本瑞翁株式会社
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：在衬底上形成硬掩膜层、软掩膜层和光致抗蚀剂的叠层。对所述光致抗蚀剂进行构图以包括至少一个开口。通过各向异性蚀刻将所述图形转移到所述软掩膜层中，该各向异性蚀刻形成包含比氟多的碳的富碳聚合物。可以通过采用利用包含比氟多的氢的氟代烃分子产生的包含氟代烃的等离子体，形成所述富碳聚合物。所述富碳聚合物涂覆所述软掩膜层的侧壁，并且防止转移到所述软掩膜中的图形被加宽。随后去除所述光致抗蚀剂，并且将所述软掩膜层中的图形转移到所述硬掩膜层中。所述硬掩膜层的侧壁被所述富碳聚合物涂覆，以防止转移到所述硬掩膜中的图形被加宽。
采用包含氟代烃聚合物高保真构图

[发明专利]一种底部无负载的自对准双层图形的制作方法-CN201410161257.5有效
发明人：崇二敏;朱轶铮;黄君 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种底部无负载的自对准双层图形的制作方法，包括在底部介质层上依次形成无定形碳膜和硬质掩膜层；采用光刻和刻蚀工艺，图案化硬质掩膜层；以图案化的硬质掩膜层作为掩膜，采用刻蚀工艺刻蚀无定形碳膜，向下刻蚀的高度小于无定形碳膜的厚度；刻蚀去除硬质掩膜层；再次向下刻蚀无定形碳膜，并停止于底部介质层表面；在底部介质层上形成隔离侧墙；去除无定形碳膜，从而形成自对准双层图形。
一种底部负载对准双层图形制作方法

[发明专利]通过适于光掩膜制造的碳硬掩膜等离子体蚀刻铬层的方法-CN200610127883.8无效
发明人：阿杰伊·库马尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2006-09-27 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种使用碳硬掩膜蚀刻铬并形成光掩膜的方法。在一个实施例中，蚀刻铬层的方法包括在处理室中设置衬底，所述衬底具有通过图案化的碳硬掩膜层暴露的铬层；提供含氯处理气体和一氧化碳至所述蚀刻室中；以及，保持所述处理气体的等离子体并通过所述碳硬掩膜层蚀刻所述铬层通过图案化的碳硬掩膜层来蚀刻铬层的方法对于制造光掩膜来说是有用的。
通过适于光掩膜制造碳硬掩膜等离子体蚀刻方法

[发明专利]形成双镶嵌结构的方法-CN201210133587.4有效
发明人：张海洋;王冬江 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种形成双镶嵌结构的方法，包括：提供基底，在所述基底上形成含碳介质层；在所述的介质层上形成第一图形化的掩膜层，定义互连沟槽的位置；在所述介质层及第一图形化的掩膜层上形成第二图形化的掩膜层，定义通孔的位置；以所述第二图形化的掩膜层为掩膜刻蚀介质层，形成通孔，在刻蚀时，介质层中的碳被损耗；去除第二图形化的掩膜层，在所述通孔中通入CH4等离子体以补充介质层中被损耗的碳；以所述第一图形化的掩膜层为掩膜刻蚀介质层，形成互连沟槽；去除第一图形化的掩膜层；填充导电材料形成双镶嵌结构。CH4等离子体的处理步骤，补充在刻蚀和去除第二图形化的掩膜层工艺中的介质层的碳损耗，进而达到修复受损伤介质层的目的。
形成镶嵌结构方法

[发明专利]光栅的制作方法-CN201210120460.9有效
发明人：符雅丽;王新鹏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-04-23 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种光栅的制作方法：在半导体衬底上依次形成刻蚀终止层、无定形碳硬掩膜层和光阻胶层；将光罩上的光栅图形转移到光阻胶层上，形成图案化的光阻胶层；以图案化的光阻胶层为掩膜，刻蚀无定形碳硬掩膜层至显露出刻蚀终止层；无定形碳硬掩膜层经过刻蚀后具有与光罩上的光栅图形相应的间距；去除光阻胶层后，沉积氧化硅层并回刻所述氧化硅层，使氧化硅层填充在经过刻蚀的无定形碳硬掩膜层两侧的空间位置，其高度与无定形碳硬掩膜层相同；灰化去除所述无定形碳硬掩膜层；沉积金属并对其进行化学机械研磨，形成填充在氧化硅层两侧的金属线，其高度与无定形碳硬掩膜层相同。
光栅制作方法

[发明专利]用于互连层结构的掩膜组件及互连层的制作方法-CN201410298612.3有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于形成互连层结构的掩膜组件及互连层的制作方法。其中，该掩膜组件位于介质层上，且包括依次设置于介质层之上的氧化物掩膜层、非晶碳层和金属硬掩膜层。该制作方法包括：在衬底上依次形成介质层和掩膜组件，掩膜组件包括依次设置于介质层上的氧化物掩膜层、非晶碳层和金属硬掩膜层；刻蚀掩膜组件以形成开口；刻蚀开口暴露出的介质层，在介质层中形成通孔；以及在通孔中填充金属材料形成金属层采用该掩膜组件制作形成的互连成中金属层与介质层的结合强度得以提高，进而提高了互连层的稳定性。
用于互连结构组件制作方法

[发明专利]图形化方法-CN201310383308.4有效
发明人：周俊卿;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-08-28 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种图形化方法，包括：提供基底；在所述基底上形成待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成富碳层；在所述富碳层上形成图形化的光刻胶；以图形化的光刻胶为掩膜，刻蚀富碳层、硬掩膜层和待刻蚀层，形成图形化的富碳层、图形化的硬掩膜层和图形化的待刻蚀层。
图形方法

[发明专利]一种基片刻蚀方法及相应的处理装置-CN201710786592.8有效
发明人：严利均;刘身健;李洋;饭塚浩 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2017-09-04 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供了一种基片刻蚀方法，所述方法在一等离子体处理装置内进行，所述基片刻蚀方法刻蚀的基片包括光刻胶掩膜层，介质抗反射层，碳硬掩膜层及氧化硅层；以图形化的介质抗反射层为掩膜刻蚀位于介质抗反射层下方的碳硬掩膜层，形成图形化的碳硬掩膜层；所述等离子体处理装置包括一射频源功率源和一射频偏置功率源，所述射频偏置功率源在刻蚀所述介质抗反射层时输出一频率大于等于2MHZ的射频信号，监测刻蚀工艺进程，当所述介质抗反射层刻蚀完成后，切换所述射频偏置功率源的输出频率小于2MHZ，实现对碳硬掩膜层的刻蚀。其优点是：保证碳掩膜层的刻蚀孔壁垂直，并降低刻蚀孔的开口宽度。
一种刻蚀方法相应处理装置

[发明专利]一种减小金属与碳基材料的接触电阻的方法-CN201210075810.4有效
发明人：金智;陈娇;麻芃;王显泰;潘洪亮;郭建楠;彭松昂 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-03-21 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小金属与碳基材料的接触电阻的方法，该方法是在碳基材料的表面形成一掩膜金属层，然后在该掩膜金属层上光刻定义源漏区图形，腐蚀该源漏区图形处的掩膜金属层，并经金属蒸发以及剥离来制备源漏电极，最后去除沟道区上的掩膜金属层。本发明采用金属掩膜，实现光刻胶与碳基材料的隔离，最大程度的减小残余光刻胶对碳基材料与金属接触的影响，从而有效的增加了碳基FET器件的开态电流，提高了器件的跨导和截止频率。
一种减小金属基材接触电阻方法

[发明专利]形成碳基底连接层的方法-CN201511025296.3有效
发明人：肖培 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种形成碳基底连接层的方法，包括：提供碳基底；在所述碳基底上形成电介质层；在所述电介质层上形成掩膜层；以所述掩膜层为掩膜刻蚀部分所述电介质层形成第一沟槽，其中，所述第一沟槽的底部为剩余的所述电介质层，剩余的所述电介质层覆盖所述碳基底；以及进行掩膜层灰化和湿法清洗。所述形成碳基底连接层的方法还包括：刻蚀所述第一沟槽底部剩余的所述电介质层和部分所述碳基底以形成第二沟槽，其中，所述第二沟槽贯穿所述电介质层并且嵌入所述碳基底；以及使用有机溶剂进行湿法清洗。使用这一方法可以有效地去除掉刻蚀后残留的所述掩膜层。
形成基底连接方法

[发明专利]晶体管的形成方法-CN201410504707.6有效
发明人：韩秋华;陈杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面具有栅极膜；在所述栅极膜表面形成掩膜层，所述掩膜层内掺杂有碳离子；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述栅极膜之至暴露出衬底表面为止，形成栅极层；在所述栅极层和掩膜层的侧壁表面形成第一侧墙，所述第一侧墙内掺杂有碳离子；在所述栅极层和第一侧墙两侧的衬底内形成应力层。
晶体管形成方法

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