专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种等离子处理器以及静电夹盘加热方法-CN201811636389.3有效
  • 倪图强;饭塚浩;吴迪;谢林;左涛涛 - 中微半导体设备(上海)股份有限公司
  • 2018-12-29 - 2022-12-30 - H01J37/32
  • 本发明公开一种等离子处理器以及静电夹盘加热方法,反应腔内包括支撑基片的基座,射频电源连接并供应射频功率到基座,基座上包括静电夹盘和用于控制静电夹盘温度的加热系统,加热系统包括多个加热器分别用于控制静电夹盘不同区域的温度,加热系统包含:多区加热器,其包含若干个加热器;加热器驱动器,用于驱动多个加热器;控制加热器驱动器以实现控制多区加热器的功率输出进行加热的控制器,与加热器驱动器连接;控制器与主机通信连接,获取主机的指令或反馈指令给主机,实现对加热系统的控制。本发明可减少不必要的射频滤波器,便于配置设计,结构简单,小尺寸可以在满足功能的基础上,还能减轻了设计上对空间的需求。
  • 一种等离子处理器以及静电加热方法
  • [发明专利]一种射频功率控制方法及等离子体处理装置-CN202011298578.1在审
  • 赵馗;饭塚浩;倪图强 - 中微半导体设备(上海)股份有限公司
  • 2020-11-18 - 2022-05-20 - H04B7/005
  • 本发明提供一种射频功率控制方法,等离子体反应装置包含若干个电感耦合线圈,射频功率源的射频功率通过匹配网络分配到电感耦合线圈的第一至第M线圈上,使得等离子体反应装置的真空反应腔内产生等离子体,所述控制方法包含:同步射频功率源的输出时钟信号;探测第i线圈的第i电流信号,转换所述第i电流信号为对应的第i脉冲直流信号;根据所述输出时钟信号对第i脉冲直流信号进行处理后计算对应的第i电流反馈值;根据所述第i电流反馈值调整分配到第i线圈上的射频功率;其中i∈[1,M]。本发明还提供一种等离子体处理装置。本发明能够精确控制施加在所有线圈的射频功率,并不受射频功率源的输出方式限制。
  • 一种射频功率控制方法等离子体处理装置
  • [发明专利]一种等离子体处理腔室的电弧的检测方法及检测装置-CN202011215442.X在审
  • 刘依;徐蕾;饭塚浩;倪图强 - 中微半导体设备(上海)股份有限公司
  • 2020-11-04 - 2022-05-06 - H01J37/32
  • 本发明公开了一种等离子体处理腔室的电弧的检测方法及检测装置,所述方法包括:通过一个射频功率源向等离子体处理腔内输送射频功率,点燃等离子体处理腔内的反应气体形成等离子体;发送射频功率源的输出功率信号和反射功率信号到一个控制器,控制器根据所述输出功率信号的和反射功率信号的比值确定是否进入射频功率稳定输出区间;在射频功率稳定输出区间内,通过控制器计算获取反射功率信号的平均值、反射功率信号的最大值;并将反射功率信号的平均值和反射功率信号的最大值进行比较获得一个比值,比值小于一个预设阈值时判定发生弧光放电。本发明实现了快速检测到有真空反应腔内电弧中的微弧,以便及时得知对应的晶圆的缺陷状态的目的。
  • 一种等离子体处理电弧检测方法装置
  • [发明专利]一种基片刻蚀方法及相应的处理装置-CN201710786592.8有效
  • 严利均;刘身健;李洋;饭塚浩 - 中微半导体设备(上海)股份有限公司
  • 2017-09-04 - 2021-05-25 - H01L21/027
  • 本发明提供了一种基片刻蚀方法,所述方法在一等离子体处理装置内进行,所述基片刻蚀方法刻蚀的基片包括光刻胶掩膜层,介质抗反射层,碳硬掩膜层及氧化硅层;以图形化的介质抗反射层为掩膜刻蚀位于介质抗反射层下方的碳硬掩膜层,形成图形化的碳硬掩膜层;所述等离子体处理装置包括一射频源功率源和一射频偏置功率源,所述射频偏置功率源在刻蚀所述介质抗反射层时输出一频率大于等于2MHZ的射频信号,监测刻蚀工艺进程,当所述介质抗反射层刻蚀完成后,切换所述射频偏置功率源的输出频率小于2MHZ,实现对碳硬掩膜层的刻蚀。其优点是:保证碳掩膜层的刻蚀孔壁垂直,并降低刻蚀孔的开口宽度。
  • 一种刻蚀方法相应处理装置
  • [发明专利]一种等离子体电弧监测方法及装置-CN201610200486.2有效
  • 徐蕾;饭塚浩;席朝晖;倪图强 - 中微半导体设备(上海)有限公司
  • 2016-03-31 - 2019-02-26 - H01J37/32
  • 本发明提供一种等离子体电弧监测方法,在利用该对静电吸盘的电信号进行电弧的监测时,通过将电信号与第一阈值进行比较,获得第一比较波形,通过将电信号与第二阈值进行比较,获得第二比较波形,由于第一阈值较小,第一比较波形的脉冲具有更长的持续时间,便于获取变化较快的电信号的相对较宽的持续时间,而第二波形是通过与较大的阈值比较后获得波形,也就是说,第二波形中的脉冲代表幅值满足要求的情况,通过这二者的判断,可以去除了电信号微小波动或短暂波动等干扰信号,有效的判断出准确的电弧发生的情况,达到可靠监测等离子体电弧发生的目的。
  • 一种等离子体电弧监测方法装置

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