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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]碲镉汞液相外延生长源衬底及其制备方法、碲镉汞液相外延生长方法-CN202111070423.7在审
发明人：许军;杨晓杰;龚月;李承林;李想;赵倩;毛成状 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞液相外延生长源衬底，包括衬底本体和络合镀层，络合镀层设于衬底本体上，络合镀层与衬底本体之间设有用于液相外延生长碲镉汞的窗口。还公开了碲镉汞液相外延生长源衬底的制备方法以及基于该衬底的碲镉汞液相外延生长方法。本发明的衬底能够有效解决母液与衬底接触前以及碲镉汞薄膜外延生长过程中，温度场不均匀导致界面上各点的降温以及传动衬底材料导热系数不能很好满足温度控制传导需要等问题；且在该衬底上液相外延生长的碲镉汞具有相当好的厚度均匀性
碲镉汞液相外延生长衬底及其制备方法

[发明专利]碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法-CN201210142488.2有效
发明人：孙瑞贇;杨建荣;魏彦锋;张传杰;孙权志;陈倩男;张娟;陈晓静 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C30B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法，其特征步骤如下：使原本背面残液不可使用的碲镉汞材料通过化学腐蚀和机械抛光的办法，在不影响材料质量的情况下得以正常使用。该装置和方法的优点是：整个过程中清洗干净的碲镉汞外延薄膜表面始终被光刻胶所保护，从而不会导致碲镉汞外延薄膜被污染和氧化，也不会因为接触硬物而导致划伤，保证外延薄膜的洁净与表面完美。此技术使原本不可用的外延薄膜经过处理后可以使用，同时也保证了外延薄膜的质量不受影响，从而大大提高了碲镉汞外延薄膜材料制备的成品率。
碲镉汞液相外延薄膜背面去除方法

[发明专利]一种金元素均匀分布的碲镉汞母液配料及其制备方法-CN202211499555.6在审
发明人：黄晟;黄立;杨朝臣;张冰洁;刘永锋;周文洪 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B19/00 文献下载
摘要：本发明属于涉及半导体材料加工制备的技术领域，具体为一种金元素均匀分布的碲镉汞母液配料及其制备方法。本发明通过先合成均匀的金均匀掺杂的碲原料的方法，然后再将金均匀掺杂的碲原料与碲、镉、汞原料进行制备合成，解决了现有技术中由于金元素掺杂量低导致的难以准确称量，掺杂量难以精确控制的技术问题，称量方便，准确性高，可以得到金元素精确均匀掺杂的碲镉汞母液配料。
一种金元均匀分布碲镉汞母液配料及其制备方法

[实用新型]一种细长型的碲镉汞单元探测器-CN201020202552.8无效
发明人：王妮丽;刘诗嘉;赵水平;兰添翼;许金通;姜佩璐;朱龙源 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2010-05-21 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H01L31/08 文献下载
摘要：本专利公开了一种细长型的碲镉汞单元探测器，该探测器包括在碲镉汞薄片上，通过光刻形成光敏区、电极区、电阻区。其特征在于它比一般的光导探测器多一个电阻区。为了达到这个效果，电阻区与光敏区和电极区之间用负胶层和SiO2层作为复合绝缘介质，并在绝缘介质上生长金属铬金和金属金来作为阻挡层来阻挡光进入碲镉汞。
一种细长碲镉汞单元探测器

[发明专利]溅射基于碲化镉的薄膜光伏器件中使用的硫化镉层的方法-CN201110356243.5有效
发明人： R·D·戈斯曼;S·D·费尔德曼-皮博迪 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-10-27 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明涉及溅射基于碲化镉的薄膜光伏器件中使用的硫化镉层的方法。大体上提供在衬底(12)上溅射硫化镉层(18)的方法。该硫化镉层(18)可以在溅射气氛中从靶(64)溅射在衬底(12)上，其中该靶(64)包括按重量约75％至约100％的镉，并且其中该溅射气氛包括含硫的源气体。该硫化镉层(18)可以在形成碲化镉薄膜光伏器件(10)的方法中使用。
溅射基于碲化镉薄膜器件使用硫化方法

[发明专利]一种低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片-CN201610236574.8有效
发明人：胡晓宁;张姗;樊华;廖清君;叶振华;林春;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2016-04-15 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片，它包括衬底，碲镉汞p型外延薄膜，离子注入n型区，钝化层，n型区电极，p型区电极，铟柱阵列，它涉及光电探测器件技术。本发明采用将p‑n结制备至碲镉汞材料腐蚀坑内部的结构方案，使得结区位置远离材料表面，避免了清洗、去胶等工艺对光敏元区的作用力导致的缺陷增值引起的探测器性能下降、盲元增加等问题。本发明对降低碲镉汞焦平面的盲元率有很大帮助。
一种损伤结式碲镉汞探测器芯片

[发明专利]碲镉汞红外双波段探测器深台面的腐蚀设备和方法-CN02136720.5无效
发明人：叶振华;胡晓宁;朱建妹;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2002-08-29 - 公布日： 2003-02-26 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞红外双波段探测器深台面的腐蚀设备和方法，其主要是利用碲镉汞的含溴氧化剂作为腐蚀液，利用恒定光强照射来加快定向的腐蚀速率和精确控制腐蚀时间，利用在不需腐蚀部分的碲镉汞表面生长反射膜来精确控制腐蚀图形，利用腐蚀时旋转样品和冰水混合物来严格控制恒定的，可重复的腐蚀温度，使其深台面的纵向和横向的腐蚀速率比达8∶1，最终得到不同组分、不同导电类型和不同掺杂浓度的碲镉汞样品深台面侧壁垂直的理想效果。
碲镉汞红外波段探测器台面腐蚀设备方法

[实用新型]低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片-CN201620319396.0有效
发明人：胡晓宁;张姗;樊华;廖清君;叶振华;林春;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2016-04-15 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本专利公开了一种低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片，它包括衬底，碲镉汞p型外延薄膜，离子注入n型区，钝化层，n型区电极，p型区电极，铟柱阵列，它涉及光电探测器件技术。本专利采用将p‑n结制备至碲镉汞材料腐蚀坑内部的结构方案，使得结区位置远离材料表面，避免了清洗、去胶等工艺对光敏元区的作用力导致的缺陷增值引起的探测器性能下降、盲元增加等问题。本专利对降低碲镉汞焦平面的盲元率有很大帮助。
损伤结式碲镉汞探测器芯片

[发明专利]用于腐蚀碲镉汞表面碲化镉CdTe薄膜的腐蚀液及腐蚀方法-CN202010770895.2有效
发明人：张轶;刘世光;谭振;刘震宇;孙浩 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C09K13/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于腐蚀碲镉汞表面碲化镉CdTe薄膜的腐蚀液及腐蚀方法。用于腐蚀碲镉汞表面碲化镉CdTe薄膜的腐蚀液，包括：作为溶剂的水H2O、以及溶于所述H2O的溶质，溶质包括碘化钠NaI和氯化氢HCl。采用本发明，腐蚀液可以与CdTe在常温下发生化学反应，实现对碲镉汞表面的CdTe薄膜的常温腐蚀，整个反应过程速率慢、且无发热，可以实现对腐蚀度的精确控制，腐蚀液的配置简单且成分便宜、容易获取，大大降低了腐蚀成本
用于腐蚀碲镉汞表面碲化镉 cdte 薄膜方法

[发明专利]碲化镉薄膜光伏装置及其制造方法-CN201010604159.6无效
发明人： R·D·戈斯曼;J·A·德雷顿 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了用于制造基于碲化镉的薄膜光伏装置(10)的方法。所述方法可包括在透明导电氧化物层(14)上从包含约5％重量-约33％重量的锌以及锡的合金靶(64)溅射阻抗性透明层(16)。所述方法还可包括在阻抗性透明层(16)上形成硫化镉层(18)，在硫化镉层(18)上形成碲化镉层(20)，和在碲化镉层(18)上形成背接触层(22)。概括地讲，还公开了包括具有氧化锌浓度为约5％-约33％摩尔分数的氧化锌和氧化锡的混合物的阻抗性透明层(16)的碲化镉薄膜光伏装置(10)。
碲化镉薄膜装置及其制造方法

[发明专利]分子束外延原位掺杂碲镉汞薄膜热处理方法及异质结结构-CN202211226680.X在审
发明人：王丹;高达;李震;邢伟荣;王丛 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种分子束外延原位掺杂碲镉汞薄膜热处理方法及异质结结构，包括：制备衬底；在所述衬底上生长p型掺杂层；采用如下方式制备所述p型掺杂层：将碲化镉、砷化镉、碲化汞三层作为一个周期，循环多个周期形成超晶格结构本申请实施例通过将碲化镉、砷化镉、碲化汞三层作为一个周期，循环多个周期形成超晶格结构形成p型掺杂层，由此不需要热处理或者只经过低温热处理即获得碲镉汞异质结材料。
分子外延原位掺杂碲镉汞薄膜热处理方法异质结结构

[发明专利]碲化镉发电玻璃矩阵及幕墙-CN202211736370.2在审
发明人：赵向荣;潘锦功;王友乐 -专利权人：成都中建材光电材料有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H02S40/34 文献下载
摘要：本发明属于发电幕墙技术领域，公开了一种碲化镉发电玻璃矩阵及幕墙，所述窗边框开设有安装槽，所述安装槽内设有线缆连接器；所述第一光伏玻璃的顶部设有第一光伏接线盒，所述第一光伏接线盒和线缆连接器通过光伏线缆电性连接；所述扇边框连接于第一光伏玻璃的顶部，且与窗边框转动连接；所述窗边框具有延伸部，所述延伸部位于第一光伏玻璃的侧面、且朝向第一光伏玻璃的底部延伸，所述延伸部和第一光伏玻璃之间形成走线通道；所述光伏线缆具有伸缩余量本发明还公开了一种具有上述碲化镉发电玻璃矩阵的碲化镉发电玻璃幕墙。
碲化镉发电玻璃矩阵幕墙

[发明专利]碲镉汞焦平面探测器芯片的应力释放方法及碲镉汞焦平面探测器芯片-CN201711000421.4在审
发明人：谭振;孙浩;张敏;刘世光 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面阵凝视型碲镉汞焦平面探测器芯片的应力释放方法及碲镉汞焦平面探测器芯片，本发明通过在大面阵凝视型碲镉汞焦平面探测器芯片上刻蚀浅槽，通过隔离槽将大面阵芯片“分割”为多个小面阵区域，小面阵的面积变小
碲镉汞焦平面探测器芯片应力释放方法

[发明专利]一种对碲镉汞pn结材料进行测试的方法-CN201810675393.4有效
发明人：许秀娟 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种对碲镉汞pn结材料进行测试的方法，本发明采用动态变换的磁场强度来对碲镉汞pn结材料进行霍尔测量，实验证明，本发明方法进行霍尔测量的测量结果更准确，所以本发明的方法能够有效解决现有技术中固定磁场的霍尔测量不能准确评价并表征碲镉汞
一种碲镉汞 pn 材料进行测试方法

[实用新型]一种一体化碲化镉薄膜太阳能电池组件-CN202123348335.7有效
发明人：彭寿;马立云;储静远;盖琳琳;官敏;于涛 -专利权人：中国建材国际工程集团有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种一体化碲化镉薄膜太阳能电池组件，包括依次设置的玻璃盖板、碲化镉薄膜电池和铝制底板，所述碲化镉薄膜电池的外侧包覆有粘接剂，其通过所述粘接剂与玻璃盖板、铝制底板相连接，所述铝制底板远离所述碲化镉薄膜电池的一侧设有多个散热单元，所述散热单元帮助所述碲化镉薄膜电池散热降温，并用于与建筑物相连接。本实用新型的有益之处在于：相较于传统的碲化镉薄膜太阳能电池，本实用新型通过增加铝制底板和散热单元，既对电池薄片起到良好的散热降温效果，又可以直接用作光伏建筑一体化(BIPV)构建，无需消耗额外的建筑材料，简化光伏光热构件的设计和制作成本，扩大其应用范围。
一种一体化碲化镉薄膜太阳能电池组件

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