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[发明专利]碲化镉粉末的制备方法-CN02114571.7无效
发明人：吴洪才 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2002-05-15 - 公布日： 2002-11-20 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化镉粉末的制备方法,首先将镉粉和碲粉按化学配比进行混合;将混合后的材料进行研磨、搅拌使镉粉和碲粉混合均匀;把均匀混合的镉粉和碲粉置于真空条件下的坩埚中,对坩埚进行加热,使坩埚中的镉粉和碲粉进行化合反应,形成碲化镉材料;将生成的碲化镉材料再次进行研磨,混合;对经过研磨后的碲化镉材料置于加热炉中进行退火处理即可。
碲化镉粉末制备方法

[发明专利]一种碲镉汞界面缺陷的分析方法-CN202211537725.5在审
发明人：王旭杰;杜宇;彭成盼;徐健;何鑫;周进;魏召 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G01N23/18 文献下载
摘要：本发明涉及制冷红外探测器领域，提供一种碲镉汞界面缺陷的分析方法，步骤包括：S1、提供一待测件，待测件包括：依次设置的碲锌镉衬底、碲镉汞外延以及基片；S2、对碲锌镉衬底进行减薄或/和抛光处理；S3、采用第一腐蚀液对碲锌镉衬底进行腐蚀以去除步骤S2造成的加工损伤；S4、采用X射线衍射形貌术测试碲锌镉衬底表面缺陷的形貌与位置；S5、采用第二腐蚀液去除碲锌镉衬底，记录碲镉汞外延腐蚀坑的形貌与位置；S6、比较碲锌镉衬底表面缺陷以及碲镉汞外延腐蚀坑的形貌与位置
一种碲镉汞界面缺陷分析方法

[发明专利]一种碲镉汞红外焦平面探测器的失效分析方法-CN201710950103.8有效
发明人：廖清君;刘丹;钟艳红;林春;胡晓宁 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞红外焦平面探测器的失效分析方法。先将碲镉汞红外焦平面探测器中的碲镉汞红外光敏芯片与读出电路用切割的方式进行分离，通过宝石电极基板对碲镉汞红外光敏芯片进行电流电压测试；保护不需要观测的结构，对碲镉汞红外焦平面探测器的衬底去除后露出碲镉汞表面，用配制的腐蚀液逐层腐蚀碲镉汞，观察碲镉汞结区、钝化层及倒焊等界面，与焦平面测试结果和电流电压测试结果进行对比，获取器件失效的工艺原因。采用该方法可以对成型后的碲镉汞红外焦平面探测器的性能失效进行逆向工艺分析，对碲镉汞进行逐层腐蚀逐层观测，定位失效的工艺原因，从而改进工艺，进一步提高器件的成品率。
一种碲镉汞红外平面探测器失效分析方法

[实用新型]碲化镉发电玻璃连接节点-CN202320573018.5有效
发明人：郭小龙;顾家;孙开润;郑昶;谷峰 -专利权人：河南天元装备工程股份有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H02S30/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及发电玻璃技术领域，具体为碲化镉发电玻璃连接节点，包括：第一碲化镉发电玻璃，第一碲化镉发电玻璃的端部设置有插接杆；螺杆，螺杆的表面设置有套环，套环的表面设置有升降板，升降板的表面设置有连接杆；及滑槽，设于第一碲化镉发电玻璃的表面；有益效果为：本实用提出的第一碲化镉发电玻璃的端部设置有插接杆，将插接杆插接在第二碲化镉发电玻璃端部的卡合块之间，通过伸缩块使得插接杆卡在卡合块之间，第一碲化镉发电玻璃和第二碲化镉发电玻璃起到预固定，然后旋拧螺杆，使得套环移动，套环带动固定杆移动，固定杆插接进卡合块的内部，将第一碲化镉发电玻璃和第二碲化镉发电玻璃固定在一起。
碲化镉发电玻璃连接节点

[发明专利]水平区熔生长碲锌镉单晶的装置和方法-CN200610148709.1无效
发明人：袁诗鑫 -专利权人：袁诗鑫
申请日： 2006-12-30 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明涉及水平区熔生长碲锌镉单晶的装置和方法，该装置包括炉体、石英长晶管、区熔长晶舟和镉源舟：炉体包括镉源炉和由多个依次排列的小炉子组成的水平区熔长晶炉，炉体内放置有内设镉源舟和区熔长晶舟的石英长晶管，区熔长晶舟设有头部缩颈和尾部缩颈，水平区熔生长碲锌镉单晶的方法是先将碲、锌和籽晶放入区熔长晶舟内、镉放入镉源舟内，再将区熔长晶舟和镉源舟放入石英长晶管中封管后，置于水平区熔炉体中加热合成碲锌镉锭条，经区熔提纯的碲锌镉锭条纯度提高后再由籽晶引导生长出碲锌镉单晶采用本发明的装置和方法生产碲锌镉单晶成品率高、纯度高，生长出的碲锌镉单晶完全符合应用要求。
水平生长碲锌镉单晶装置方法

[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳能电池的吸收层掺硒工艺-CN201711079180.7在审
发明人：彭寿;马立云;潘锦功;殷新建;杨少飞 -专利权人：成都中建材光电材料有限公司
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L31/0445 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化镉薄膜太阳能电池的吸收层掺硒工艺，包括步骤1)依次沉积透明导电层、高电阻层及窗口层；2)在硒气氛下沉积碲化镉薄膜获得掺硒碲化镉薄膜，所述硒气氛为硒在真空条件下高温蒸发获得；3)在氯化镉气氛下高温处理掺硒碲化镉薄膜本发明可以实现在碲化镉薄膜中掺杂硒，达到改变碲化镉薄膜带隙的目的，从而提高碲化镉薄膜太阳能电池的短路电流与转换效率。
一种碲化镉薄膜太阳能电池吸收层掺硒工艺

[发明专利]一种弱P型碲镉汞材料的退火方法-CN202210123432.6有效
发明人：魏彦锋;孙权志;李珣;林春;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种弱P型碲镉汞外延材料的退火方法。采用双温区退火装置，汞源和碲镉汞材料封装在石英管中，使汞源和碲镉汞样品分别处在双温区退火炉的低温段和高温段，根据所要求的碲镉汞空穴载流子的浓度，分别设置汞源和碲镉汞材料的退火温度，在退火结束后的冷却阶段分别设置汞源和碲镉汞材料的降温速率，使得在整个退火过程中汞蒸气的压力满足碲镉汞材料中汞空位浓度稳定性的要求，从而提高碲镉汞外延材料电学参数的稳定性和退火工艺的重复性。
一种型碲镉汞材料退火方法

[发明专利]碲化镉晶体的生长方法-CN202111323511.3在审
发明人：狄聚青;李康;苏湛 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本申请公开一种碲化镉晶体的生长方法，包括以下步骤：步骤一，将碲化镉籽晶置于坩埚底部，碲‑镉混合料置于籽晶之上，密封坩埚；步骤二，将坩埚放入生长炉内，升温，使碲‑镉混合料熔化；步骤三，以速度V1≤0.5℃/h降温，使碲化镉逐渐析出，直至温度降到450℃后，再以V2≤25℃/h的速度快速降温，获得碲化镉晶体。本公开的碲化镉晶体的生长方法工艺简单，且通过此方法制备的单晶具有单晶率高、位错密度低的优点。
碲化镉晶体生长方法

[发明专利]一种碲锌镉晶方片的无损伤测试方法-CN202210356379.4在审
发明人：邓波浪;刘士军;李玉萍 -专利权人：安徽承禹半导体材料科技有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明涉及一种碲锌镉晶方片的无损伤测试方法，包括如下步骤：获取碲锌镉晶方片初始图像；进行边缘检测获取碲锌镉晶方片完整图像；根据所述碲锌镉晶方片初始图像提取出损伤层区域图像；计算所述损伤层区域图像的尺寸大小判断出所述碲锌镉晶方片的损伤情况本发明实施例方法简单，能在无损情况下识别出碲锌镉晶方片的损坏情况，有利于碲锌镉晶方片的在线无损检查，实用价值高。
一种碲锌镉晶方片损伤测试方法

[发明专利]水热制备近红外碲化镉量子点的方法-CN201910884329.1有效
发明人：江源;王祎;杨嘉灏 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种水热制备近红外碲化镉量子点的方法，包括如下步骤：将镉盐溶液、巯基配体分别加入到水溶液中，混合均匀得到混合溶液，其中，巯基配体和镉盐的摩尔比为2～4:1；将混合溶液调节pH值至9～11，通氮气30分钟以上，之后加入碲氢化钠水溶液，混合均匀得到碲化镉前驱体溶液，其中，碲氢化钠和镉离子的摩尔比为0.1～0.2:1；将碲化镉前驱体溶液加热5分钟后，加入沉淀剂并离心，去除上清液后加水重新溶解；在溶解后的碲化镉量子点中加入镉盐溶液、巯基配体，其中巯基丙酸和氯化镉的摩尔比为2～4:1，将混合溶液调节pH值至9～11后加热一段时间即可得到近红外发光的碲化镉量子点。利用本发明方法可以制备近红外碲化镉量子点，获得的碲化镉量子点具有良好的晶格结构。
制备红外碲化镉量子方法

[发明专利]卤素掺杂碲化镉的制备方法以及卤素掺杂碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法-CN201110423025.9有效
发明人：王国凤;吴勇陞;朱刘;文崇斌 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2011-12-15 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种卤素掺杂碲化镉的制备方法、卤素掺杂碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法。所述卤素掺杂碲化镉的制备方法包括：将5N镉与5N碲按照第一规定质量比称料装入反应器中，以得到镉碲混合物，所述第一规定质量比是所述5N镉与所述5N碲之间的质量比；向所述反应器中按照第二规定质量比加入4N或以上的卤化镉，所述第二规定质量比是所述卤化镉与所述镉碲混合物之间的质量比；将所述反应器进行抽真空至规定真空度并密封；将密封的所述反应器放入一加热器内，进行升温处理；以及对升温处理后的密封的所述反应器进行冷却处理。所述卤素掺杂碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法采用所述卤素掺杂碲化镉的制备方法获得的卤素掺杂碲化镉。
卤素掺杂碲化镉制备方法以及薄膜太阳能电池及其

[发明专利]近红外碲化镉/硫化镉核壳量子点的快速水相制备方法-CN202010262066.3有效
发明人：江源;王祎;杨嘉灏 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-04-06 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种近红外碲化镉/硫化镉核壳量子点的快速水相制备方法，包括如下步骤：将镉盐溶液、巯基配体分别加入到水溶液中，搅拌均匀得到混合溶液，其中，巯基配体和镉盐的摩尔比为1.7～2.4:1；将混合溶液调节pH值至9～12，通氮气30分钟以上，之后加入碲氢化钠水溶液，混合均匀得到碲化镉前驱体溶液，其中，碲氢化钠和镉离子的摩尔比为0.05～0.2:1；将碲化镉前驱体溶液加热5分钟后，在溶液中加入镉盐溶液、巯基配体，其中步骤二中碲氢化钠与新加入镉离子的摩尔比为50～150:1，新加入巯基配体和镉离子的摩尔比为1.7～2.4:1。用去离子水将溶液稀释20～60倍，调节pH值至11～12.5，加热一段时间后得到近红外碲化镉/硫化镉核壳量子点。利用本发明方法可以快速水相制备碲化镉/硫化镉核壳量子点，获得的碲化镉/硫化镉核壳量子点具有稳定的的荧光性质。
红外碲化镉硫化镉核壳量子快速制备方法

[发明专利]一种室温制备碲化镉纳米线的方法-CN202010262060.6有效
发明人：江源;王祎;杨嘉灏 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-04-06 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种室温制备碲化镉纳米线的方法，包括如下步骤：将一缩二乙二醇和甲醇混合，其中一缩二乙二醇占总溶液体积超过25％；将镉盐溶液、巯基乙酸分别加入到混合溶液中，其中，巯基乙酸和镉离子的摩尔比为2～4:1，镉离子的摩尔浓度为1～5mM；将溶液调节pH值至9～11，通氮气30分钟以上，之后加入碲氢化钠水溶液，继续通氮气30分钟，得到碲化镉前驱体溶液，其中，碲氢化钠和镉离子的摩尔比为0.05～0.2:1；将碲化镉前驱体溶液在室温下搅拌一段时间后得到碲化镉纳米线。利用本发明方法可以在室温下制备碲化镉纳米线，获得的碲化镉纳米线稳定性较好。
一种室温制备碲化镉纳米方法

[发明专利]一种碲化镉量子点及其制备方法-CN201610008968.8在审
发明人：陈建彬;王翔;黄明鹭 -专利权人：厦门市京骏科技有限公司
申请日： 2016-01-07 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种碲化镉量子点的制备方法，选用碲单质作为碲源，氯化镉作为镉源，水作为溶剂，在绝氧加热条件下制备碲前体溶液；将碲和镉的前体溶液混合后，在反应釜中进行水热反应制得碲化镉量子点。本发明选用的原料和溶剂来源广泛、成本低廉、对环境友好；反应条件温和，容易控制，反应时间大大减小；得到的碲化镉量子点水溶性好、荧光量子产率较高；该方法简便、快捷，同时可以进行大规模的制备，为合成高质量碲化镉量子点提供了一个经济
一种碲化镉量子及其制备方法

[发明专利]一种可有效避免碲镉汞红外探测器芯片边角裂纹的方法-CN202111664539.3在审
发明人：龚汉红;陈世锐;陈路;杜宇;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种可有效避免碲镉汞红外探测器芯片边角裂纹的方法，包括如下步骤：S1：对碲镉汞芯片的正面和/或背面进行接近式光刻，使碲镉汞芯片的正面和/或背面周边产生至少一圈边框图形，边框图形位于芯片有效成像区域的外周并与芯片有效成像区域之间留有间距；S2：将光刻后的碲镉汞芯片通过湿法腐蚀的工艺手段，使步骤S1中的边框图形转移至碲镉汞芯片的正面和/或背面，将碲镉汞芯片正面和/或背面中位于芯片有效成像区域周围的碲镉汞材料进行腐蚀并在边框图形位置形成凹槽；S3：凹槽腐蚀完毕，清洗后将碲镉汞芯片进行下一步芯片工序。该方法可使划片时崩边产生的裂纹隐患阻隔在碲镉汞芯片的芯片有效成像区域外，提升了碲镉汞芯片制备的合格率。
一种有效避免碲镉汞红外探测器芯片边角裂纹方法