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[发明专利]从含碲化镉组件中回收碲的方法-CN201110250511.5有效
发明人：张呈乾;黄群健;张俊刚;孙永伟 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2011-08-29 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： C25B1/00 文献下载
摘要：从含碲化镉组件中回收碲的方法，包括：用第一电解质溶液接触所述含碲化镉组件；用与第一电解质溶液之间由阴离子交换膜间隔的第二电解质溶液接触相对电极；在所述含碲化镉组件和所述相对电极之间施加电压差，以使碲从所述含碲化镉组件中移出并沉积在所述相对电极上
含碲化镉组件回收方法

[发明专利]碲镉汞材料高温热处理方法-CN97106663.9无效
发明人：杨建荣;陈新强;于梅芳;方维政;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 1997-10-17 - 公布日： 2001-01-03 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：一种碲镉汞材料高温热处理方法，热处理在石英安瓿中完成，热处理源为含碲汞源，安瓿内加保护性气体，利用碲源在热处理系统中提供的碲分压和保护性气体有效地抑制了碲镉汞材料表面原子的绝对蒸发量，用该方法对碲镉汞材料进行高温热处理后，碲镉汞材料的位错下降了将近一个数量级，同时，材料表面形貌的完整性得到了很好的保持。该方法也适合于碲镉汞材料中掺杂原子在高温下的电性激活。
碲镉汞材料高温热处理方法

[发明专利]用于液相外延方法生长碲镉汞材料的衬底材料及制备方法-CN200810119518.1无效
发明人：周立庆;刘兴新 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2008-09-02 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：一种用于液相外延方法生长碲镉汞材料的衬底材料，其在常规衬底材料上，再生长一层与碲镉汞晶格常数完全匹配的碲锌镉单晶薄膜；本发明制备出的用于液相外延方法生长碲镉汞材料的衬底材料具有外延膜晶格质量高，组分可针对短波、中波、长波碲镉汞材料晶格常数灵活调整的优点，同时碲锌镉薄膜组分均匀；该方法借鉴成熟工艺，工艺设备较简单，工艺周期短，成本低；可为红外焦平面探测器提供大面积、高质量、高组分均匀性的衬底材料。
用于外延方法生长碲镉汞材料衬底制备

[发明专利]一种碲化镉废料回收碲的方法-CN201811523738.0在审
发明人：刘大春;张小峰;蒋文龙;杨斌;查国正;徐宝强;戴卫平;李一夫;郁青春;陈秀敏;田阳;王飞;熊恒;杨佳;曲涛;邓攀;邓聚海;黄大鑫 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： C01B19/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种碲化镉废料回收碲的方法，属于火法冶金技术领域。步首先将碲化镉废料破碎成粉末得到碲化镉废料粉末；将得到的碲化镉废料粉末与硫磺混合均匀，压制成小圆柱；将得到的小圆柱在密封、充有保护气体条件下，在温度为450～550℃硫化30～45min得到硫化产物；将得到的硫化产物破碎成小块状，然后真空蒸馏得到然后真空蒸馏得到含硫化镉的混合料和冷凝盘中碲产物。本发明为一条全新的工艺流程，采用火法从碲化镉废料当中有效的回收碲，实现碲资源的二次利用。此工艺流程短，技术路线科学合理，生产过程当中无气体排放，废水的产生，环境污染低。此方法回收率高，碲纯度可达99.9%以上。
碲化镉废料粉末废料回收硫化产物真空蒸馏工艺流程小圆柱破碎保护气体二次利用火法冶金技术路线气体排放生产过程混合料冷凝盘硫化镉小块状硫化硫磺火法回收率密封压制废水回收

[发明专利]一种碲锌镉晶片的抛光方法-CN202210971012.3在审
发明人：邓波浪;李玉萍 -专利权人：安徽承禹半导体材料科技有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L21/463 文献下载
摘要：本发明涉及一种碲锌镉晶片的抛光方法，包括如下步骤：步骤一：配制抛光液；步骤二：实施物理机械抛光；步骤三：去除保护层，在高温高压条件下加热步骤二处理的碲锌镉晶片，熔化碲锌镉晶片表面的保护层，并用乙醇、去离子水依次冲洗；步骤四：实施化学腐蚀抛光，选用步骤一制备的化学腐蚀抛光用抛光液，将步骤三处理后的碲锌镉晶片置入后，按照所确定的抛光参数进行抛光；抛光结束后，清洗碲锌镉晶片；步骤五：检测碲锌镉晶片抛光质量。本发明实施例的碲锌镉晶片的抛光方法运用机械和化学抛光方法，提高抛光效果，整个抛光方法过程简单，易于实施，实用价值高。
一种碲锌镉晶片抛光方法

[发明专利]一种碲镉汞薄膜材料的化学抛光方法-CN201611007386.4有效
发明人：李春领;王春红;秦艳红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞薄膜材料的化学抛光方法。该方法包括包括以下步骤：利用化学抛光液对所述碲镉汞薄膜材料进行N次化学抛光，其中，第i+1次化学抛光的去除厚度小于第i次化学抛光的去除厚度，其中，N≥3，1≤i≤N；将经过N次化学抛光后的碲镉汞薄膜材料在表面处理液中进行表面处理借助于本发明的技术方案，解决了现有技术中碲镉汞表面的组分偏差较大的问题，不仅能够降低碲镉汞材料的组分方差，而且使碲镉汞材料的表面极少氧化物甚至无氧化物，从而使碲镉汞探测器器件光谱响应均匀性能够满足性能要求
一种碲镉汞薄膜材料化学抛光方法

[发明专利]一种蚀刻液、一种碲镉汞红外焦平面混成芯片的减薄方法-CN202210601938.3有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：北京智创芯源科技有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提出了一种蚀刻液，蚀刻液组分包括硝酸、氢氟酸、乳酸和水；以及一种碲镉汞红外焦平面混成芯片的减薄方法，通过湿法腐蚀的方法可以快速去除碲锌镉衬底，碲锌镉衬底腐蚀速率可达500微米/分钟以上，并且本蚀刻液可以在2分钟内完全腐蚀掉碲锌镉衬底，并且会在碲镉汞过渡层上形成终止层，终止层只有数十纳米，再通过溴加氢溴酸的水溶液腐蚀去除终止层，腐蚀时间约10秒，最终得到光亮新鲜的碲镉汞表面。该方法可以快速去除900‑1000微米原生厚度的衬底，有效消除衬底物理减薄过程带来的损伤，保持碲镉汞红外探测器光电性能不受衬底减薄工艺的影响。
一种蚀刻碲镉汞红外平面混成芯片方法

[发明专利]一种应用于BIPV的碲化镉发电玻璃-CN202110398775.9有效
发明人：彭寿;潘锦功;傅干华;孙庆华;李浩;杨超;蒋猛;赵雷 -专利权人：成都中建材光电材料有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H02S20/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于BIPV的碲化镉发电玻璃，它包括碲化镉发电玻璃，所述碲化镉发电玻璃的背面设置有第一背框和第二背框，所述第一背框设置在碲化镉发电玻璃背面的四个边角上，每个边角上的第一背框呈L型布置，所述第二背框呈十字交叉设置在碲化镉发电玻璃背面的中间；所述碲化镉发电玻璃的接线盒为分体式接线盒，设置在碲化镉发电玻璃的两侧。
一种应用于 bipv 碲化镉发电玻璃

[实用新型]一种碲锌镉晶体X射线成像系统-CN201820439590.1有效
发明人：廖义勇 -专利权人：成都马兰科技有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： G01N23/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碲锌镉晶体X射线成像系统，包括X射线发射器、被测物、碲锌镉晶体、外加电源、读出电路、多通道分析器、计算机，所述被测物位于X射线发射器和碲锌镉晶体之间，所述X射线发射器、被测物、碲锌镉晶体在同一水平直线上，所述外加电源与碲锌镉晶体连接，所述碲锌镉晶体通过读出电路与多通道分析器连接，所述多通道分析器与计算机连接。本实用新型基于X射线无损检测成像，并采用具有优异光电性能的碲锌镉晶体，本实用新型具有分辨率高、性能优异、环境适应性强的优点。
碲锌镉晶体多通道分析器本实用新型被测物读出电路外加电源同一水平直线环境适应性计算机连接光电性能无损检测分辨率成像计算机

[发明专利]一种碲化镉薄膜电池及制备方法-CN201810659694.8有效
发明人：彭寿;马立云;潘锦功;殷新建;蒋猛;钱双 -专利权人：成都中建材光电材料有限公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明公开一种碲化镉薄膜电池及制备方法，所述碲化镉薄膜电池由下至上依次包括衬底层、透明导电层、窗口层、光吸收层、背接触层、背电极层，所述窗口层的材料为硫化镉薄膜，所述光吸收层的材料为碲化镉薄膜，所述背接触层的材料为氮化铜薄膜本申请的技术方案可以克服传统碲化镉电池铜掺杂过程铜元素扩散造成的衰减降低及生产成本高的问题，具有抗水汽作用，所述背接触结构能降低与碲化镉的接触势垒，形成欧姆接触，从而提高碲化镉薄膜电池的性能。
一种碲化镉薄膜电池制备方法

[发明专利]碲锌镉探测器均匀性的测试系统及方法-CN202310275577.2在审
发明人：贾宁波;郝树财;杨帆;段腾飞;王苗;席守智;介万奇 -专利权人：陕西迪泰克新材料有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G01T7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种碲锌镉探测器均匀性的测试系统及方法，涉及半导体技术领域，系统包括：待测试的碲锌镉探测器、放射源、准直器、电荷灵敏前置放大器、处理模块和上位机；放射源用于：通过准直器的准直孔向碲锌镉探测器放射测试射线；电荷灵敏前置放大器用于：将碲锌镉探测器基于测试射线感生出的电荷信号，转换为指数衰减信号；处理模块用于：将指数衰减信号转换为满足预先设置的处理条件的数字信号；上位机用于：基于数字信号，生成碲锌镉探测器对应的能谱；其中，能谱用于表征碲锌镉探测器的内部均匀性。本发明实施例实现了对碲锌镉探测器内部均匀性的测试，有利于后续基于内部均匀性评估碲锌镉探测器的整体性能。
碲锌镉探测器均匀测试系统方法

[发明专利]碲镉汞表面复合钝化层的金属化开口方法及表面钝化结构-CN202211103691.9在审
发明人：杜宇;张国锋;黄先念;谭必松;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及红外探测器制备领域，具体涉及一种碲镉汞表面复合钝化层制备及开口方法及其表面钝化结构，步骤S1，通过磁控溅射方式于碲镉汞上生长出碲化镉薄膜层；步骤S2，通过热蒸发方式于碲化镉薄膜层上沉积出硫化锌薄膜层，碲化镉薄膜层和硫化锌薄膜层共同形成复合钝化膜层；步骤S3，于复合钝化膜层上涂光刻胶并进行光刻，获得光刻孔；步骤S4，将具备光刻后的复合钝化膜层的碲镉汞置于腐蚀液中浸泡，腐蚀液对光刻孔内的复合钝化膜层蚀刻出接触孔，获得开口后的碲镉汞；本发明工艺简单，成本低廉，复合钝化膜层可有效保护碲镉汞材料表面，在后期成品中有效减少暗电流；减少冗余工序，腐蚀液扩腐轻微，开孔均匀性优。
碲镉汞表面复合钝化金属化开口方法结构

[发明专利]一种碲镉汞台面成型方法-CN201910574337.6有效
发明人：刘世光;张轶;谭振 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞台面成型方法，所述方法包括：在待光刻的碲镉汞表面涂覆光刻胶，并进行光刻，形成阵列化的光刻胶图形；第一次腐蚀设有光刻胶图形的碲镉汞表面以形成腐蚀槽，腐蚀槽上方悬空有光刻胶，腐蚀槽的深度为h1；采用坚膜工艺对光刻胶热处理，以使腐蚀槽上方悬空的光刻胶恰好覆盖腐蚀槽的侧壁；第二次腐蚀设有光刻胶图形的碲镉汞表面以形成隔离沟槽，隔离沟槽的深度为h2，其中，1/3≤h1/h2≤1/2；去除碲镉汞表面的光刻胶采用本发明，不仅可以实现碲镉汞台面的无损伤制备，还可以实现对隔离沟槽的深宽比的控制，以解决碲镉汞台面侧向腐蚀严重的问题，从而可以保证碲镉汞台面的的占空比。
一种碲镉汞台面成型方法

[发明专利]一种碲镉汞薄膜组分的测试方法-CN201710647279.6有效
发明人：许秀娟;高达;折伟林;王经纬 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： G01N21/3563 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲镉汞薄膜组分的测试方法，包括：将待处理的碲镉汞薄膜固定在样品台上，并将样品台放入红外光谱仪的样品腔室中；对样品腔室和红外光谱仪分别抽真空，再将样品腔室温度降至预定温度；启动红外光谱仪，按照预定调节范围调节红外光谱仪的预定参数，并按照调节后的预定参数对待处理的碲镉汞薄膜进行光致发光测试得到光谱图，并根据光谱图对待处理的碲镉汞薄膜组分进行分析。该方法采用红外光谱仪对碲镉汞薄膜进行光致发光测试得到光谱图，并根据光谱图对碲镉汞薄膜组分进行分析，相较于采用光学薄膜分析软件对碲镉汞薄膜组分进行拟合计算，可以更准确快速的得到碲镉汞薄膜组分，解决了现有技术的问题
一种碲镉汞薄膜组分测试方法

[发明专利]一种近红外发光碲硫化镉量子点的制备方法-CN200710046914.1无效
发明人：杨武利;毛伟勇 -专利权人：复旦大学
申请日： 2007-10-11 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明属于无机材料和纳米材料技术领域，具体为一种近红外发光碲硫化镉量子点的制备方法。包括制备碲化镉－巯基配位化合物前驱体溶液以及前驱体溶液在反应釜内高温高压水热生长两个步骤。近红外发光碲硫化镉量子点合成阶段原料为镉盐、负二价碲离子、小分子巯基化合物。镉盐可以是氯化镉，负二价碲离子可以是碲氢化钠，小分子巯基化合物可以是巯基丙酸。碲化镉－巯基配位化合物前驱体溶液在不锈钢反应釜中在150－220℃加热反应，反应时间不同可以得到不同波长近红外发光(680nm－800nm)碲硫化镉量子点。
一种红外发光硫化量子制备方法