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[实用新型]生长碲化汞晶体的真空高压单晶炉系统-CN202021984651.6有效
发明人：解永强;张红梅;柳森娟;徐海涛;王宏杰 -专利权人：西北电子装备技术研究所（中国电子科技集团公司第二研究所）
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长碲化汞晶体的真空高压单晶炉系统，解决了如何完成碲化汞晶体生长的问题。）和上炉体（3），在下炉体（1）的炉底板中央处，设置有驱动轴伸出孔（24），在驱动轴伸出孔中设置有驱动轴（23），在伸入到炉体内腔中的驱动轴（23）的顶端设置有石英坩埚（16），在石英坩埚中放置有装有碲化汞粉末状材料的密闭石英管（17），设置在炉体外的驱动轴的下端与驱动轴升降驱动装置（38）机械连接；实现了大直径碲化汞晶体的生长。
生长碲化汞晶体真空高压单晶炉系统

[发明专利]碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法-CN202011292902.9在审
发明人：王经纬;刘铭;宁提;谭振;王成刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法。碲镉汞红外探测器芯片的制备方法，包括：对硅基复合衬底材料件依次进行除气处理和束流校正，硅基复合衬底材料件包括层叠设置的硅基衬底层和碲化镉复合衬底层；在束流校正后的硅基复合衬底材料件的碲化镉复合衬底层上外延生长p型掺杂高电导率碲镉汞导电层；在高电导率碲镉汞导电层上外延生长碲镉汞吸收层。碲镉汞红外探测器芯片，包括：硅基复合衬底材料件，包括层叠设置的硅基衬底层和碲化镉复合衬底层；p型掺杂高电导率碲镉汞导电层，层叠设置于碲化镉复合衬底层上；碲镉汞吸收层，层叠设置于p型掺杂高电导率碲镉汞导电层上
碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法

[发明专利]碲镉汞红外探测器芯片的分割方法-CN202310253513.2在审
发明人：陈世锐;李伟伟;丁俊毅;居龙飞;谭必松;杜宇;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲镉汞红外探测器芯片的分割方法，包括：使用保护层保护芯片区域，腐蚀去除切割道区域的钝化层和碲镉汞层，在所述切割道区域形成切割槽，所述切割槽内露出碲锌镉层的表面；从所述切割槽切割所述碲锌镉层本发明在切割碲锌镉层之前，将碲镉汞层腐蚀掉，再切割碲锌镉层，减少了切割时的应力，从而减少了碲镉汞红外探测器芯片损坏的几率。
碲镉汞红外探测器芯片分割方法

[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制作方法-CN201310651339.3有效
发明人：张清;叶建霞;王向阳;赵东旭;符家贤;符家顺 -专利权人：北海恒基伟业电子产品有限公司
申请日： 2013-12-06 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L31/073 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制作方法，其中，所述碲化镉薄膜太阳能电池依次由吸光防护层、玻璃层、碲化镉层、硫化镉层、石墨层和背电极层组成；所述碲化镉薄膜太阳能电池的制作方法为：1)制备硫化镉和碲化镉颗粒；2)把制备的硫化镉和碲化镉颗粒制备成胶体液并依次涂布在玻璃层上，分别进行烘干；3)在烘干的碲化镉层上采用真空镀膜的方法依次喷涂石墨层和背电极层；4)在玻璃层上粘贴上吸光防护层，完成碲化镉薄膜太阳能电池的制作本发明方法提高了碲化镉薄膜太阳能电池的吸光率和耐磨率，并且降低了碲化镉薄膜太阳能电池生产成本。
一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制作方法

[发明专利]碲镉汞红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法-CN200910198969.3有效
发明人：叶振华;黄建;胡伟达;尹文婷;林春;陈路;廖清君;胡晓宁;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2009-11-18 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用在由分子束外延生长碲镉汞红外探测材料的终点时，于碲镉汞薄膜表面先原位生长一层碲化镉薄膜，并在碲镉汞红外探测芯片制备过程中对需要钝化区域的碲化镉薄膜不予以破坏的碲化镉原位钝化的技术方案，有效解决了常规碲化镉钝化方法会造成碲镉汞红外焦平面探测芯片探测性能损失和工艺稳定性低的问题
碲镉汞红外平面芯片碲化镉原位钝化方法

[发明专利]一种对碲镉汞芯片进行霍尔测试的方法-CN202210855009.5在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：北京智创芯源科技有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请公开了一种对碲镉汞芯片进行霍尔测试的方法，涉及碲镉汞芯片霍尔测试领域，包括：获得预处理碲镉汞芯片；预处理碲镉汞芯片的碲镉汞膜层需要电学引出的区域未覆盖钝化层，碲镉汞膜层除需要电学引出的区域外覆盖有钝化层；在碲镉汞膜层需要电学引出的区域生长金属电极；金属电极与碲镉汞膜层形成欧姆接触；将探针与金属电极连接，并对碲镉汞膜层进行霍尔测试。本申请中在碲镉汞膜层上需要电学引出的区域生长金属电极，然后将探针与金属电极连接进行测试即可。生长金属电极的过程操作很简单，无需在需要电学引出的区域焊接导线，避免使用焊油和铟球，从而避免对碲镉汞芯片表面造成污染，同时避免铟对碲镉汞芯片性能造成的不良影响。
一种碲镉汞芯片进行霍尔测试方法

[发明专利]湿法制备碲化镉粉末的方法-CN202210844597.2有效
发明人：王海北;范艳青;邹发夔;刘巍 -专利权人：矿冶科技集团有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本申请提供一种湿法制备碲化镉粉末的方法，涉及制备碲化镉薄膜电池用的主要原料制造领域。湿法制备碲化镉粉末的方法，包括：将镉源化合物、碲源化合物和水混合得到混合溶液，然后向所述混合溶液中滴加碳酸铵水溶液，搅拌反应结束后固液分离得到碲镉前驱体；所述碲镉前驱体在氢气和氩气混合气氛中氢还原处理得到碲化镉粉末本申请提供的湿法制备碲化镉粉末的方法，所得碲化镉纯度高、粒度分布均匀。
湿法制备碲化镉粉末方法

[发明专利]一种碲锌镉晶片的加工方法-CN202210841080.8在审
发明人：邓波浪;李玉萍 -专利权人：安徽承禹半导体材料科技有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： B24B9/06 文献下载
摘要：本发明涉及本发明的实施例提出了碲锌镉晶片的加工方法，包括：步骤一、切片：将碲锌镉晶棒固定在切片设备上，由切片设备对碲锌镉晶棒进行切片；步骤二、研磨：根据待加工成型的碲锌镉晶片的外径尺寸对碲锌镉切片的外径尺寸进行研磨处理；步骤三、倒角：对所得碲锌镉晶片的边缘进行倒角处理；步骤四、检测：对所得碲锌镉晶片的外径尺寸进行检测，检测结果与待加工成型的碲锌镉晶片的外径尺寸对比；步骤五、抛光：对待加工成型的碲锌镉晶片进行化学机械抛光通过本发明实施例的碲锌镉晶片的加工方法加工得到的碲锌镉晶片具有成型效果好，损坏数量少的优点。
一种碲锌镉晶片加工方法

[发明专利]碲锌镉靶材、其制备方法及应用-CN201610836897.0有效
发明人：文崇斌;朱刘;胡智向;曾成亮;余明 -专利权人：广东先导稀贵金属材料有限公司
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲锌镉靶材的制备方法，包括以下步骤：A)将碲化镉粉体、碲化锌粉体和碲化亚铜粉体混合均匀，得到混合粉体；B)将所述混合粉体进行真空热压烧结，得到碲锌镉靶材。本发明采用碲化镉粉体、碲化锌粉体和碲化亚铜粉体作为制备碲锌镉靶材的原料，通过真空热压法制得碲锌镉靶材，制备方法简单易行，易于产业化生产，由这种方法制得的碲锌镉靶材致密度较高，机械性能较好。此外，本发明制得的碲锌镉靶材可以应用于太阳能薄膜电池中。实验结果表明，本发明制备的碲锌镉靶材的密度均超过了理论密度的99％，致密度较高；同时，抗弯强度均在12MPa以上。
碲锌镉靶材制备方法应用

[发明专利]碲锌镉晶体配料方法-CN202010535426.2有效
发明人：刘江高;徐强强;吴卿;范叶霞;侯晓敏;刘铭 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲锌镉晶体配料方法，所述方法包括：设定容器中自由空间的体积分数；基于自由空间的体积分数以及容器的体积，计算待配碲锌镉晶体的质量；基于待配碲锌镉晶体的质量，根据待配碲锌镉晶体中各组分的质量分数关系，依次获取第一质量的锌、第二质量的镉、以及第三质量的碲，以配制碲锌镉晶体。采用本发明，不仅可以简化碲锌镉晶体配料方法的过程，还可以保证在容器体积变化的基础上每根碲锌镉晶体中碲、锌、镉三种组分比例保持一致，碲锌镉晶体晶体内部夹杂缺陷的尺寸(基本小于10μm)基本稳定，夹杂缺陷的密度也基本稳定
碲锌镉晶体配料方法

[发明专利]计算碲锌镉基碲镉汞材料杂质能级的方法及设备-CN202110891080.4有效
发明人：申晨;周朋;杨海燕 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01N21/3563 文献下载
摘要：本发明公开了一种计算碲锌镉基碲镉汞材料杂质能级的方法及设备。计算碲锌镉基碲镉汞材料杂质能级的方法，包括：获取多个温度下碲锌镉基碲镉汞材料件的光致发光信号谱图；通过分析多个光致发光信号谱图，获取三种能级跃迁随温度变化直线；基于三种能级跃迁随温度变化直线，根据波束与能量对应关系，确定能带间距随温度变化情况和不同温度下主导的能级跃迁情况，从而得到碲锌镉基碲镉汞材料件在不同温度的能级结构及变化情况。采用本发明，在不损伤样品的情况下，能够快速计算碲锌镉基碲镉汞材料杂质能级的方法，且测试结果较精确。
计算碲锌镉基碲镉汞材料杂质能级方法设备

[发明专利]一种碲镉汞母液制备方法-CN202310873282.5在审
发明人：彭成盼;张国杰;王向斌;魏召;张宁锋 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B19/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞母液制备方法，包括：通过高温合成，制备具有高铟掺杂浓度的碲镉汞母液；在碲锌镉衬底上采用液相外延技术制备掺铟的碲镉汞薄膜材料；对所述掺铟的碲镉汞薄膜材料进行n型热处理之后，测定铟的掺杂浓度；将具有高铟掺杂浓度的碲镉汞母液加入至未掺杂铟的碲镉汞母液中，通过均匀化工艺，获得具有指定铟掺杂浓度的碲镉汞母液。
一种碲镉汞母液制备方法

[发明专利]一种基于THM生长碲锌镉晶体的籽晶溶接方法及装置-CN202310259350.9在审
发明人：张继军;卢伟;徐哲人;曹祥智;刘昊;祁永武 -专利权人：上海大学
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于THM生长碲锌镉晶体的籽晶溶接方法及装置，装置包括生长坩埚、用于放置所述生长坩埚的绝热托架、置于所述生长坩埚底部的SiC导热棒以及用于监测碲锌镉单晶籽晶温度的热电偶，籽晶溶接方法包括如下步骤：S1、预处理碲锌镉单晶籽晶和第一碲锌镉多晶(“假籽晶”)，由下向上依次放置第一碲锌镉多晶、碲锌镉单晶籽晶、富碲溶剂区材料以及第三碲锌镉多晶，并抽真空、升温加热、保温；S2、向下移动加热器加热溶解碲锌镉单晶籽晶的部分组分；S3、向上移动加热器，使得碲锌镉晶体开始连续生长。与现有技术相比，本发明降低了对于碲锌镉单晶籽晶的尺寸要求，在溶接生长时增强了结晶潜热的释放，提高了碲锌镉晶体质量。
一种基于 thm 生长碲锌镉晶体籽晶方法装置

[发明专利]碲化镉晶体的生长方法-CN202111266820.1在审
发明人：狄聚青;李康;苏湛 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C30B17/00 文献下载
摘要：本公开提供一种碲化镉晶体的生长方法，包括以下步骤：步骤一，将碲化镉籽晶置于坩埚底部，碲‑镉混合料置于籽晶之上，密封坩埚；步骤二，将坩埚放入生长炉内，设置加热器温度T，使碲‑镉混合料熔化；步骤三，碲逐渐蒸发，并在坩埚顶部封泡位置凝固；步骤四，随着碲在混合原料中含量的降低，碲化镉析出，并在籽晶上结晶生长，直至碲完全蒸发，晶体生长完成。本公开的碲化镉晶体的生长方法制备的碲化镉晶体，具有单晶率高、位错密度低等优点。
碲化镉晶体生长方法

[发明专利]碲镉汞红外焦平面器件及其制备方法-CN201910763541.2有效
发明人：陈慧卿;胡尚正;吴卿;王成刚;孙浩 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞红外焦平面器件及其制备方法，所述方法包括：将砷离子从掺铟碲镉汞外延层的部分待处理表面注入掺铟碲镉汞外延层内；将注有砷离子的掺铟碲镉汞外延层放入充有气态汞的加热管内，并对加热管抽真空、加热；在加热后的掺铟碲镉汞外延层的待处理表面依次镀碲化镉膜和第一硫化锌膜；将镀有碲化镉膜和第一硫化锌膜的掺铟碲镉汞外延层放入充有气态汞的加热管内，并对加热管抽真空、加热；去除第一硫化锌膜，在碲化镉膜远离掺铟碲镉汞外延层的表面镀第二硫化锌膜采用本发明，可以降低碲镉汞红外焦平面器件的暗电流和串联电阻，提高碲镉汞红外焦平面器件的零偏阻抗值，实现碲镉汞红外焦平面器件的低成本、小尺寸、高性能。
碲镉汞红外平面器件及其制备方法