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[发明专利]一种碲锌镉晶体的生长装置及生长方法-CN202310174154.1在审
发明人：黄晟;黄立;严冰;刘伟华;余志杰;喻畅 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明属于晶体生长的技术领域，具体为一种用于提高碲锌镉晶体单晶率与质量的生长装置及生长方法。本发明提供了一种碲锌镉晶体的生长装置及生长方法，通过将双坩埚抽真空封管，有效地减小炉内气流造成坩埚外围不均性的不利影响。在碲锌镉晶体的外围配置石墨圈，且石墨圈包围晶体材料的等径区域，对碲锌镉晶体材料进行均匀加热辐射，进一步提升了晶体生长过程中的均匀性，另外，可使碲锌镉晶体生长的固液形状平坦化，更有利于大单晶的生长。
一种碲锌镉晶体生长装置方法

[发明专利]用于腐蚀碲镉汞表面碲化镉CdTe薄膜的腐蚀液及腐蚀方法-CN202010770895.2有效
发明人：张轶;刘世光;谭振;刘震宇;孙浩 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C09K13/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于腐蚀碲镉汞表面碲化镉CdTe薄膜的腐蚀液及腐蚀方法。用于腐蚀碲镉汞表面碲化镉CdTe薄膜的腐蚀液，包括：作为溶剂的水H2O、以及溶于所述H2O的溶质，溶质包括碘化钠NaI和氯化氢HCl。采用本发明，腐蚀液可以与CdTe在常温下发生化学反应，实现对碲镉汞表面的CdTe薄膜的常温腐蚀，整个反应过程速率慢、且无发热，可以实现对腐蚀度的精确控制，腐蚀液的配置简单且成分便宜、容易获取，大大降低了腐蚀成本
用于腐蚀碲镉汞表面碲化镉 cdte 薄膜方法

[发明专利]一种碲化镉靶材的制作方法-CN201210115695.9有效
发明人：刘映天;潘锦功;谢义成;傅干华 -专利权人：成都中光电阿波罗太阳能有限公司
申请日： 2012-04-19 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化镉靶材的制作方法，包括对碲化镉材料进行冷压成形，制作成碲化镉靶材、对镉化镉靶材进行烧结和冷却的步骤，在烧结步骤中，首先通入惰性气体，将靶材加热到80～150℃，然后保温50～70分钟；最后在4小时内逐渐升温至780～880℃，再保温3～5小时，由此制得的碲化镉靶材可直接进行溅射，无需进行预溅射即可工作，同时也不会出现局部放电的现象，该制作方法可广泛用于科研和工业化生产中。
一种碲化镉靶材制作方法

[发明专利]新型近红外截止玻璃-CN200310108652.9无效
发明人：何美玉 -专利权人：上海爱蓓儿光学玻璃有限公司
申请日： 2003-11-18 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： C03C4/08 文献下载
摘要：本发明属于光学玻璃，尤指一种新型近红外截止玻璃，其配方为，按重量百分比，氧化硅45～60.0，氧化硼3.0～10.0，氧化钾10.0～20.0，氧化锌13.0～20.0，氧化镉3.0～8.0，硒0.5～1.5，碲1.0～5.0，氧化锡0.1～2.0。本发明主要通过加入氧化锡，用硒、碲、氧化镉取代硒化镉、碲化镉，解决了合成硒化镉、碲化镉带来的环境污染问题。
新型红外截止玻璃

[实用新型]一种碲化镉太阳能电池-CN201721160703.6有效
发明人：周航;唐涛;梁军 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种碲化镉太阳能电池，所述碲化镉太阳能电池包括：掺氟的二氧化锡FTO导电玻璃；硫化镉CdS薄膜，沉积在掺氟的二氧化锡FTO导电玻璃上；碲化镉CdTe薄膜，沉积在硫化镉CdS薄膜上；碳纳米管薄膜，沉积在碲化镉CdTe薄膜上；金属电极，沉积在碳纳米管薄膜上。
碲化镉太阳能电池沉积碳纳米管薄膜二氧化锡硫化镉碲化镉掺氟延长使用寿命本实用新型碳纳米管层金属电极热稳定性背电极掺杂电池

[发明专利]长波碲镉汞光伏器件物理参数的检测方法-CN200610148065.6无效
发明人：陆卫;全知觉;李志锋;李宁;甄红楼;陈平平;陈效双;李天信 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2006-12-27 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种长波碲镉汞光伏器件物理参数的检测方法，包括步骤：S₁、测量碲隔汞光伏器件的I－V曲线；S₂、利用关系式R＝dV/dI获得R－V曲线，S₃、根据碲镉汞的暗电流模型拟合获得器件的物理参数，根据本发明将为碲镉汞长波器件分析提供新的途径。
长波碲镉汞光伏器件物理参数检测方法

[发明专利]一种碲化镉粉末的高温液相合成方法-CN201210401061.X有效
发明人：叶金文;刘颖;何功明;苟军军 -专利权人：四川大学
申请日： 2012-10-22 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化镉粉末的高温液相合成方法，将镉块和碲块，按摩尔比1:1分别装入到“Y”形管的A,B两端，并将“Y”形石英管水平放入三段加热的开合式“Y”形炉膛中；然后对石英管抽真空至1×10-3Pa当碲和镉熔化成液体后，通过支架8将三段加热的开合式炉垂直放置，然后关闭真空阀门1和2，打开通气阀3、4和放气阀5，并通入0.01-1MpaAr气，使碲和镉液体分别从6和7喷口喷出雾化，碲和镉的雾化液滴接触即可合成的高纯碲化镉粉末雾化完成后，停止加热，冷却至室温，打开C端封头9，即可收集高纯碲化镉粉末。
一种碲化镉粉末高温相合成方

[发明专利]利用荧光碳点与碲化镉量子点能量转移技术检测农田水中绿麦隆含量的方法-CN201410150917.X无效
发明人：陶慧林;廖秀芬;孙超;谢襄漓;钟福新;易忠胜;黄艺鹏 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2014-04-16 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用荧光碳点与碲化镉量子点能量转移技术检测农田水中绿麦隆含量的方法。以荧光碳点作为能量转移的给体，碲化镉量子点作为受体，构成性能稳定的能量转移体系，荧光碳点将能量传递给碲化镉量子点，导致碲化镉量子点的荧光增强。随着绿麦隆的加入，碲化镉量子点表面的电子转移到绿麦隆，与绿麦隆发生发生非辐射结合，导致碲化镉量子点的荧光发生有规律猝灭。绿麦隆的浓度在0.05~12.0微克/升的范围内与碲化镉量子点的荧光猝灭程度（F₀/F）呈良好的线性关系，其线性回归方程为F₀/F

利用荧光碲化镉量子能量转移技术检测农田水中绿麦隆含量方法

[发明专利]碲化镉量子点的快速绿色制备方法-CN201310511940.2有效

发明人：曾云龙;匡慧艳;易平贵;黄昊文;唐春然;唐子龙;冯磊;元晓云;易守军;王天伦 -专利权人：湖南科技大学

申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C01B19/04 文献下载

摘要：本发明属于无机半导体纳米材料的制备，具体涉及一种水溶性的碲化镉量子点的快速绿色制备方法。本发明以+4价的硫化合物为还原剂，以巯基化合物为稳定剂，以镉盐为镉源，二氧化碲、亚碲酸盐以及碲酸盐为碲源，在空气环境中，实现水相体系快速制备直接合成高荧光、生物相容性好的碲化镉量子点。

碲化镉量子快速绿色制备方法

[实用新型]一种碲化镉薄膜太阳电池-CN201621454119.7有效

发明人：马立云;彭寿;潘锦功;殷新建;蒋猛 -专利权人：成都中建材光电材料有限公司

申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载

摘要：本申请公开一种碲化镉薄膜太阳电池，其特征在于，包括依次设置的氧化钼层、钼层和氮化钼层；所述电池结构能降低与碲化镉的接触势垒，形成欧姆接触，从而提高碲化镉薄膜太阳电池的性能，同时，降低了生产成本。

一种碲化镉薄膜太阳电池

[发明专利]一种碲化镉薄膜电池表面清洗预处理工艺-CN201910192434.9在审

发明人：陶奎任;王大鹏;梅芳;牛改宇;高贵明;胡志刚 -专利权人：中山瑞科新能源有限公司

申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载

摘要：本发明公开了一种碲化镉薄膜电池表面清洗预处理工艺，其包括以下步骤：使用含氧化剂的第一清洗液清洗薄膜基板；使用纯水清洗薄膜基板；干燥薄膜基板以除去薄膜基板表面的液体；在薄膜基板表面添加氯化镉水溶液。第一清洗液具有一定的氧化作用，使得碲化镉层表面更亲水，同时也可起到清洁碲化镉层表面的作用，通过此方法清洗过的膜面，表面添加的氯化镉水溶液分布得更均匀，氯化镉的结晶聚合更细，高温处理后外观上不会留下暗斑，由此可改善碲化镉薄膜电池膜面外观以及提升电池转换效率。

碲化镉薄膜薄膜基板表面氯化镉水溶液清洗预处理薄膜基板电池表面碲化镉层清洗液清洗电池转换效率氧化剂表面添加纯水清洗干燥薄膜高温处理氧化作用电池膜氯化镉暗斑基板膜面亲水聚合清洁

[发明专利]一种高纯碲化镉的制备方法-CN200910312590.0有效

发明人：熊先林;刘益军;管迎博 -专利权人：峨嵋半导体材料研究所

申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： C01B19/04 文献下载

摘要：本发明公开了一种高纯碲化镉的制备方法，反应过程发生在镉和碲的熔点以上的涂碳处理后的密闭石英管内，其中5N镉料和5N碲料的质量比为1∶1.1～1.15，将称量好的碲料按照加料次数N分成N份，将称量好的镉料分成N-1份，将每份碲料和每份镉料交替加入石英管且最先最后加入碲料，装料后脱氧并用封泡进行烧结封管，缓慢进行高温高压的合成反应；本发明的有益效果在于：熔融态下的原料接触面积更大，较固态下的原料反应速度更充分，避开了对原料的微米级粉碎处理，对原料的形态要求放宽，大大降低了制备成本，且保证了原料纯度，能够适应较大规模的生产，碲化镉合成转化率可达98～99.5％，在安全的前提下使用内径32mm石英管可以保证单管产量

一种高纯碲化镉制备方法

[发明专利]一种对碲镉汞芯片钝化前的表面清洗方法-CN202110254064.4有效

发明人：戴永喜;宁提;谭振;孙浩 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所

申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载

摘要：本发明公开了一种对碲镉汞芯片钝化前的表面清洗方法，本发明是用毛刷刷洗能洗掉碲镉汞芯片表面及边缘脏渣等污染物，并通过冲洗能将刷洗的残留再一次清洗，使得清洗每片碲镉汞芯片的时间由120～150S变为60～95S清洗每片碲镉汞芯片的丙酮试剂量由(0.42～0.45L)变为(0.34～0.36L),节约时间与试剂用量，工艺效率大大提高，有利于降低成本。

一种碲镉汞芯片钝化表面清洗方法

[实用新型]一种带有碲化镉薄膜太阳能电池的键盘-CN201821868008.X有效

发明人：薛峰 -专利权人：深圳市恒怡多精彩科技有限公司

申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： G06F3/02 文献下载

摘要：本实用新型提供一种带有碲化镉薄膜太阳能电池的键盘，包括键盘本体以及绕键盘本体周向设置的碲化镉薄膜太阳能电池，所述碲化镉薄膜太阳能电池包括透明玻璃衬底以及涂在透明玻璃衬底上的碲化镉光电材料涂层。

碲化镉薄膜太阳能电池本实用新型键盘本体透明玻璃衬底键盘光电材料节能减排内置电池外接电源周向设置有效地中键盘碲化镉

[发明专利]一种可精确控温的垂直集成式制冷型碲镉汞探测器组件-CN202310027692.8在审

发明人：刘福浩;龚玮;杨晓阳;许金通;罗毅;蒋科;陈心恬;乔辉;李向阳 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所

申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L31/102 文献下载

摘要：本发明公开了一种可精确控温的垂直集成式制冷型碲镉汞探测器组件，其结构从下往上依次为三级半导体制冷器，环氧胶，锰钴镍氧热敏电阻，环氧胶，碲镉汞探测器；其中锰钴镍氧热敏电阻结构从下往上依次为蓝宝石衬底，锰钴镍氧薄膜，以及热敏薄膜表面两侧的镉/金复合电极；其中碲镉汞探测器结构从下往上依次为蓝宝石衬底，环氧胶，碲镉汞功能材料，阳极氧化层，ZnS增透层，以及碲镉汞材料表面两侧的铟/金复合电极。该探测器组件不仅能够准确测得探测器温度的实时变化，而且有效解决了常规工艺中将热敏电阻贴附在探测器侧壁上带来的温度漂移问题，使得碲镉汞探测器的精确控温成为可能，极大缓解了高精度应用场景中对探测器控温精度的要求

一种精确垂直集成制冷型碲镉汞探测器组件

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