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[发明专利]一种硅衬底LED发光芯片的表面处理方法-CN201510058552.2在审
发明人：霍永峰;周礼书 -专利权人：深圳市立洋光电子有限公司
申请日： 2015-02-04 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅衬底LED发光芯片的表面处理方法，其能够有效的提高硅衬底的表面积，提高硅衬底LED发光芯片的发光效率。它主要包括步骤：(a)选用合适的硅衬底，根据硅衬底的表面特性以及所需的图形形状设计掩膜图形；(b)在硅衬底表面生成硅氧化物保护层或金属保护层；(c)对硅衬底进行清洗及预处理；(d)对经过预处理的硅衬底表面涂抹光刻胶，然后进行烘烤；(e)对涂有光刻胶的硅衬底表面依次进行掩膜和光刻工艺处理；(f)采用湿法化学腐蚀工艺把光刻胶图形传递成为硅衬底表面的保护层掩膜图形；(g)把带有保护层掩膜图形的硅衬底浸入化学腐蚀溶液中进行各向异性腐蚀，当硅衬底表面生成需要的立体图形后，立即取出硅衬底终止化学腐蚀反应。
一种衬底 led 发光芯片表面处理方法

[发明专利]硅通孔封装结构的形成方法-CN201210299744.9有效
发明人：李凤莲;倪景华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-08-21 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：种硅通孔封装结构的形成方法，包括：提供锗硅衬底，在所述锗硅衬底表面形成硅衬底；在所述硅衬底的第一表面上形成半导体器件，在所述硅衬底的第一表面和半导体器件表面形成层间介质层和位于层间介质层内的金属互连结构；形成贯穿所述硅衬底的硅通孔，所述硅通孔的顶部表面与金属互连结构电学连接；利用气体腐蚀工艺或湿法刻蚀工艺去除所述锗硅衬底，直到暴露出所述硅衬底的第二表面和所述硅通孔的底部表面。由于所述气体腐蚀工艺或湿法刻蚀工艺不会对硅衬底产生应力作用，因此所述硅衬底的厚度可以很薄，可以有效的降低硅通孔的形成深度，降低成本，避免刻蚀形成过深的通孔时对通孔侧壁的损伤，不会影响最终形成的硅通孔的电学性能
硅通孔封装结构形成方法

[发明专利]单晶硅局域SOI衬底、光电器件及制备方法-CN201910646559.4在审
发明人：汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅局域SOI衬底、光电器件及制备方法，制备方法包括：1)在硅衬底上刻蚀出局域SOI区域槽；2)于局域SOI区域槽及硅衬底表面沉积介质层，并抛光形成平坦表面；3)沉积非晶硅层于硅衬底表面，并通过热退火固相外延工艺使非晶硅层重新结晶形成覆盖于硅衬底及介质层表面的单晶硅层，以形成单晶硅局域SOI衬底，于硅衬底及其上方的单晶硅层制备电学器件，于介质层上的单晶硅层上制备光学器件。采用本发明的方法可以在体硅衬底上形成局域SOI，从而实现光芯片与电芯片的单片集成。
单晶硅局域 soi 衬底光电器件制备方法

[发明专利]去除硅衬底表面氧化硅层及形成接触孔的方法-CN200710094475.1有效
发明人：何其旸 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：一种去除硅衬底表面氧化硅层的方法，包括如下步骤：将带有氧化硅层的硅衬底置入刻蚀设备中，所述硅衬底表面形成有氧化硅层，所述刻蚀设备中形成有NH₄F原子团，其与硅衬底表面氧化硅层发生反应生成固态(NH₄)₂SiF₆；将硅衬底加热，使硅衬底上的(NH₄)₂SiF₆气化本发明通过把硅衬底表面的自然氧化硅层转化成氟硅酸氨以钝化硅衬底表面，然后加热，使氟硅酸氨气化，抽走氟硅酸氨的气体，去除了硅衬底表面的氧化硅层，防止了现有技术的对硅衬底表面造成损伤。
去除衬底表面氧化形成接触方法

[发明专利]嵌入式锗硅外延结构的形成方法-CN202210784396.8在审
发明人：张强 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种嵌入式锗硅外延结构的形成方法，包括：提供一硅衬底，硅衬底中形成有凹槽；执行外延工艺，在凹槽中形成锗硅层，硅衬底及锗硅层的表面上形成有缺陷颗粒；形成硅层覆盖硅衬底、锗硅层的表面以及缺陷颗粒；执行硅刻蚀工艺，去除硅层及缺陷颗粒。本发明通过形成硅层覆盖硅衬底、锗硅层的表面以及缺陷颗粒，使得缺陷颗粒与硅层具有相较于硅衬底的表面具有更强的结合力，从而在硅刻蚀工艺中较为容易地去除缺陷颗粒及硅层，由此以解决形成锗硅外延结构时的缺陷颗粒问题
嵌入式外延结构形成方法

[发明专利]一种在硅衬底表面涂覆光刻胶的方法-CN201310360815.6无效
发明人：张天冲;伊福廷;王波;刘静;张新帅 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2013-08-19 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅衬底表面涂覆光刻胶的方法，包括：采用光刻技术在硅衬底表面获得具有特定图样的掩模；利用该掩模，采用硅刻蚀技术在硅衬底表面刻蚀出具有特定形貌的表面，并去除掩模；采用光刻胶涂覆工艺在硅衬底表面涂覆一层光刻胶利用本发明，通过对硅衬底表面进行刻蚀，获得具有粗糙表面的形貌，尤其是具有大高宽比微结构的表面形貌，使涂覆在硅衬底表面的光刻胶，尤其是经过显影后的具有微结构的光刻胶，与衬底具有更高的附着性能，大大提高了光刻胶与衬底的附着能力，能够有效地防止具有微结构的光刻胶与衬底的分离。
一种衬底表面光刻方法

[发明专利]一种单面多晶硅的制备方法-CN201710651220.4在审
发明人：王钊;包健;金浩;张昕宇;刘洪伟;杨洁 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种单面多晶硅的制备方法，所述制备方法包括提供一硅衬底；在所述硅衬底第一表面形成第一掩膜层；在所述硅衬底第二表面形成SiO2层；在所述硅衬底的第一表面以及第二表面形成多晶硅层；在所述硅衬底第二表面上的多晶硅层背离所述第二表面的一侧形成第二掩膜层；对所述硅衬底第一表面上的多晶硅层进行刻蚀处理；去除所述第一掩膜层以及所述第二掩膜层。该制备方法解决了现有技术中存在绕镀的问题，实现了制备单面多晶硅。
一种单面多晶制备方法

[发明专利]改善边缘气泡的键合方法-CN202310325972.7在审
发明人：陈国兴;汪聪颖;刘燕 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请提供了一种改善边缘气泡的键合方法，包括如下步骤：提供一第一硅衬底和一第二硅衬底；在所述第一硅衬底和所述第二硅衬底的至少其一表面形成氧化层，对第一硅衬底和第二硅衬底的待键合表面进行等离子处理提高表面附着力；采用NH4OH溶液清洗所述待键合表面以附着羟基；在真空环境下对所述第一硅衬底和所述第二硅衬底进行键合得到SOI材料，从而提高SOI材料的边缘键合强度，减少边缘气泡的产生
改善边缘气泡方法

[发明专利]一种硅基氮化镓HEMT器件及其制备方法-CN202310736872.3在审
发明人：伊艾伦;欧欣;周民 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本公开涉及一种硅基氮化镓HEMT器件及其制备方法，该方法包括：对N型导电碳化硅衬底进行离子注入；对离子注入后的N型导电碳化硅衬底的表面进行绝缘处理，得到绝缘处理后的N型导电碳化硅衬底；获取硅衬底；将硅衬底与绝缘处理后的N型导电碳化硅衬底进行键合，对键合后的复合衬底进行剥离处理，得到复合硅基衬底；对复合硅基衬底的表面进行绝缘处理，得到绝缘处理后的复合硅基衬底；于绝缘处理后的复合硅基衬底的表面外延氮化镓薄膜；于氮化镓薄膜的表面制备HEMT器件层，得到硅基氮化镓HEMT器件。本公开的硅基氮化镓HEMT器件制备方法，不仅可以降低制备成本，还可以扩大硅基氮化镓HEMT器件的尺寸。
一种氮化 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]场效应晶体管及其制作方法-CN200510113630.0有效
发明人：奥莫尔·H·多库马西;陈华杰;沃纳尔·劳什;奥列格·G·格鲁钦科夫 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-10-11 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：更具体地本发明增加硅衬底的顶表面的氧含量。在增加硅衬底的顶表面的氧含量之前，优选地清洁硅衬底的顶表面。硅衬底的顶表面的氧含量高于硅衬底的其它部分，但低于将阻止外延生长的量。这使得本发明能够在硅衬底的顶表面上外延生长硅层。并且，该增加的氧含量基本上将掺杂剂限制在外延硅层内，而不会移动到硅衬底中。
场效应晶体管及其制作方法

[发明专利]一种钝化接触太阳能电池及其制备方法-CN201910779112.4在审
发明人：李宏伟;翁高登;马玉超;何胜;周盛永;徐伟智 -专利权人：浙江正泰太阳能科技有限公司;海宁正泰新能源科技有限公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本申请公开了钝化接触太阳能电池，包括硅衬底；位于硅衬底的第一表面的隧穿层；位于隧穿层背离硅衬底的表面的本征多晶硅层；位于本征多晶硅层背离隧穿层的表面的掺杂多晶硅层；位于掺杂多晶硅层背离本征多晶硅层的表面的第一钝化层；位于第一钝化层背离掺杂多晶硅层的表面的第一电极；位于硅衬底的第二表面的扩散层；位于扩散层背离硅衬底的表面的第二钝化层；位于第二钝化层背离扩散层的表面的减反层；位于减反层背离第二钝化层的表面的第二电极。在隧穿层和掺杂多晶硅层之间设有本征多晶硅层，可以提高掺杂多晶硅层沉积速率，还可以减少杂质离子向硅衬底扩散，减少硅衬底复合，从而提高光电转换效率。本申请还提供一种具有上述优点的制备方法。
硅衬底掺杂多晶硅层背离钝化层本征多晶硅层隧穿层扩散层减反层光电转换效率太阳能电池第二表面第二电极第一表面第一电极杂质离子沉积钝化制备申请复合扩散

[发明专利]SOI衬底、半导体器件及其形成方法-CN201810718302.0有效
发明人：陈达 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种SOI衬底、半导体器件及其形成方法。该SOI衬底包括：提供第一硅衬底，所述第一硅衬底包括第一硅层；提供第二硅衬底，所述第二硅衬底包括第三硅层和氧化层，所述氧化层的表面存在贯穿所述氧化层的凹槽，所述凹槽位于有源区，所述凹槽中填充有与所述第一硅层不同掺杂类型的硅材料，所述第三硅层与所述第一硅层为相同掺杂类型；键合所述第一硅衬底的一个表面和所述第二硅衬底的氧化层表面，以形成所述SOI衬底。
soi 衬底半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种硅基LED及其制备方法-CN202110233355.5在审
发明人：陈家荣;彭麦菊;龙标;吴凯生 -专利权人：贵州民族大学
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基LED的制备方法，包括以下步骤:在硅衬底的抛光一侧表面设置一层银膜，对所述硅衬底进行腐蚀，得到表面粗糙的硅基衬底；在所述硅基衬底表面设置一层硅纳米晶薄膜；在所述硅纳米晶薄膜远离所述硅基衬底的一侧设置一层表面等离激元；在所述表面等离激元远离所述硅纳米晶薄膜的一侧设置负极区；在所述硅基衬底远离所述银膜的一侧设置正极区。本发明采用两步法能够有效的提高硅基LED的亮度，一是采用腐蚀的方法制备表面粗糙的硅基衬底，二是通过表面等离激元来提高硅基LED的发光强度，在外加偏压下，该表面等离激元产生表面等离子体场，该表面等离子体场增加了电子和空穴的复合几率，从而可提高硅基LED的电致发光强度。
一种 led 及其制备方法

[发明专利]双面晶体硅太阳电池结构及其制作工艺-CN201210047062.9无效
发明人：王书博;许庭静;邓伟伟;杨阳 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明涉及一种双面晶体硅太阳电池结构及其制作工艺，该电池结构包括硅衬底，在硅衬底的上、下表面的部分区域形成PN结，硅衬底上表面形成PN结的区域与硅衬底下表面未形成PN结的区域投影重合，硅衬底上表面未形成PN结的区域与硅衬底下表面形成PN结的区域投影重合。其制作工艺为：1)硅衬底双面扩散；2)双面镀氮化硅膜；3)在氮化硅膜上开腐蚀窗口，用腐蚀溶液将硅衬底上表面和下表面不需要形成PN结的区域的扩散层去除；4)去除硅衬底上表面和下表面的氮化硅膜；5)制绒；6
双面晶体太阳电池结构及其制作工艺

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610008700.0有效
发明人：若林猛;三原一郎 -专利权人：卡西欧计算机株式会社
申请日： 2006-02-21 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明的半导体器件的制造方法中，适当地磨削硅衬底(1)的下表面侧。该情况下，在硅衬底(1)的下表面形成微细且锐角的凹凸(硅的结晶破坏层)。接着，利用湿法刻蚀，对硅衬底(1)的下表面进行台阶差1～5μm的粗糙面加工。接着，在硅衬底(1)的下表面形成由环氧类树脂等构成的保护膜(12)。该情况下，硅衬底(1)的下表面形成台阶差1～5μm的粗糙面，所以该粗糙面能够被保护膜12可靠地覆盖，在硅衬底的下表面不易产生损伤。
半导体器件及其制造方法

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