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[发明专利]镁硅基硅纳米线复合热电材料的制备方法-CN201410352839.1有效
发明人：樊文浩;张华;陈少平;李永连;杜子良;孟庆森 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2014-07-23 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：镁硅基硅纳米线复合热电材料的制备方法，属于半导体热电材料制备领域，具体而言是利用化学刻蚀法制备出硅纳米线，经过超声振荡实现硅纳米线剥离及其与镁硅基粉体同步均匀混合，经电场辅助烧结制备镁硅基硅纳米线复合热电材料的技术方案其特征在于通过同步实现硅纳米线剥离和混合避免了硅纳米线在复合块体材料制备中的缠绕和团聚等问题，在后期电场辅助烧结过程中能够制备出硅纳米线分布均匀其与基体结合良好的复合材料。本方法的特点是原料来源丰富、成本低廉、工艺简单，解决了纳米线易团聚问题，制备出的硅纳米复合Mg2Si材料纳米线分布均匀，热导率低。该方法提供了一种利用纳米线复合降低Mg2Si基热电材料热导率，提高热电性能的方法。
镁硅基硅纳米复合热电材料制备方法

[发明专利]一种硅基纳米线、其制备方法及薄膜晶体管-CN201910381377.9有效
发明人：董学;袁广才;关峰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基纳米线、其制备方法及薄膜晶体管，利用催化剂颗粒与硅具有较低的共熔点、以非晶硅的吉布斯自由能大于结晶硅的吉布斯自由能为驱动力、通过熔融的催化剂颗粒吸收非晶硅形成过饱和硅共熔体，使硅成核生长成为硅基纳米线并且硅基纳米线在生长过程中，非晶硅薄膜在催化剂颗粒的作用下沿着导向槽线性生长，并且通过挡墙限制硅基纳米线反向生长，从而获得高密度、高均一性的硅基纳米线。另外，通过对催化剂颗粒的尺寸以及非晶硅薄膜的厚度进行控制还可以实现对硅基纳米线的宽度进行控制。
一种纳米制备方法薄膜晶体管

[发明专利]基于零维欧姆接触的硅基纳米线量子点的装置及制备方法-CN201811654743.5有效
发明人：李海欧;李炎;刘赫;曹刚;郭光灿;郭国平 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种基于零维欧姆接触的硅基纳米线量子点的装置及制备方法。其装置包括：硅基纳米线基片结构、量子点电极结构和测量电路；硅基纳米线基片结构自下而上顺次包括：非掺杂硅衬底、硅缓冲层、锗层、硅包覆层和二氧化硅层；锗层中还包括量子点；量子点电极结构包括：源电极、漏电极、绝缘层和顶栅极电极；源电极和漏电极，分别置于硅基纳米线结构的两端，且与硅基纳米线结构零维接触；绝缘层，生长于硅基纳米线基片结构的二氧化硅层上；顶栅极电极，生长于绝缘层上；顶栅极电极通过绝缘层隔绝与源电极和漏电极接触本公开简化制备工艺，提高硅基纳米线量子点的制备成功率。
基于欧姆接触纳米量子装置制备方法

[实用新型]基于零维欧姆接触的硅基纳米线量子点的装置-CN201822277952.4有效
发明人：李海欧;李炎;刘赫;曹刚;郭光灿;郭国平 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于零维欧姆接触的硅基纳米线量子点的装置，包括：硅基纳米线基片结构、量子点电极结构和测量电路；硅基纳米线基片结构自下而上顺次包括：非掺杂硅衬底、硅缓冲层、锗层、硅包覆层和二氧化硅层；锗层中还包括量子点；量子点电极结构包括：源电极、漏电极、绝缘层和顶栅极电极；源电极和漏电极，分别置于硅基纳米线结构的两端，且与硅基纳米线结构零维接触；绝缘层，生长于硅基纳米线基片结构的二氧化硅层上；顶栅极电极本实用新型简化制备工艺，提高硅基纳米线量子点的制备成功率。
硅基纳米线量子点绝缘层栅极电极电极结构基片结构漏电极源电极本实用新型二氧化硅层欧姆接触锗层载流子简化制备工艺测量电路硅缓冲层非掺杂硅衬底生长覆层硅包制备成功率

[发明专利]一种阵列基板、其制备方法及显示面板-CN201910392488.X在审
发明人：袁广才;董学;关峰;高宇鹏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：在形成第一薄膜晶体管的有源层时，利用催化剂颗粒与硅具有较低的共熔点、以非晶硅的吉布斯自由能大于结晶硅(硅基纳米线)的吉布斯自由能为驱动力、通过熔融的催化剂颗粒吸收非晶硅形成过饱和硅共熔体，使硅成核生长成为硅基纳米线并且硅基纳米线在生长过程中，非晶硅薄膜在催化剂颗粒的作用下沿着导向结构线性生长，从而获得高密度、高均一性的硅基纳米线。另外，通过对催化剂颗粒的尺寸以及非晶硅薄膜的厚度进行控制还可以实现对硅基纳米线的宽度进行控制。从而实现尺度均一可控的硅基纳米线薄膜晶体管的制备。
一种阵列制备方法显示面板

[发明专利]一种硅纳米线/银-四氰基对苯醌二甲烷纳米线复合结构的制备方法-CN201610776643.4有效
发明人：韩爱英;赵晓宇;田飞;韩瑞平 -专利权人：宇瑞（上海）化学有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅纳米线/银‑四氰基对苯醌二甲烷纳米线复合结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.将硅片置于氢氟酸和硝酸银的混合溶液中反应，反应后用去离子水冲洗硅片；S2.将S1中反应后的硅片和四氰基对苯醌二甲烷粉末装入玻璃管中，并放置于加热台上，对玻璃管进行加热，冷却后用丙酮清洗即可在硅片上得到硅纳米线/银‑四氰基对苯醌二甲烷纳米线复合结构。本发明硅纳米线/银‑四氰基对苯醌二甲烷纳米线复合结构的制备方法成本低、反应温和，获得硅纳米线/银‑四氰基对苯醌二甲烷纳米线复合结构具备优异的场发射性能。
一种纳米四氰基苯醌甲烷复合结构制备方法

[发明专利]Al2O3薄膜钝化硅基纳米线的方法及器件-CN201710155999.0在审
发明人：徐骏;季阳;翟颖颖;李东珂;邵文仪;李伟;陈坤基 -专利权人：南京大学
申请日： 2017-03-16 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种利用Al2O3薄膜钝化硅基纳米线的方法，在硅纳米线结构表面形成一层Al2O3薄膜以包覆硅基纳米线，Al2O3薄膜层用于钝化纳米线表面缺陷，其厚度控制在硅基中的载流子能够穿透的范围内，纳米线表面形成Al2O3薄膜层后仍具有近似原有形貌的结构，可采用原子层沉积、溅射或等化学气相淀积技术在硅基纳米线表面溅射Al2O3薄膜层。还公开了具有Al2O3钝化层的纳米线结构的器件。通过这种Al2O3薄膜钝化表面缺陷态的方法可以进一步提升器件的发光效率和性能。
al2o3 薄膜钝化纳米方法器件

[发明专利]一种硅基有序化电极及其制备方法和应用-CN201611133319.7在审
发明人：孙公权;夏章讯;王素力 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2016-12-10 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01M4/86 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基有序化电极及其制备方法和应用,所述硅基有序化电极，以气体扩散层或电解质膜为基底，所述电极微观上为基底表面附着有具有平行排列的硅基纳米线阵列结构，硅基纳米线垂直垂直附着于基底表面，所述纳米线表面依次生长或附着有导电碳层、金属纳米粒子层和聚离子层；所述纳米线长度为1‑100μm；直径为0.02‑4微米；所述纳米线阵列的密度为每平方毫米4×104‑1×108个纳米线。
电极附着硅基制备方法和应用硅基纳米线基底表面纳米线垂直金属纳米粒子层贵金属催化纳米线表面纳米线阵列气体扩散层贵金属传质性能导电碳层电解质膜平方毫米阵列结构活性高离子层基底可控微观生长

[发明专利]一种硅基径向纳米线太阳能电池及其制备方法-CN201810775606.0在审
发明人：况亚伟;马玉龙;张静;王书昶;倪志春;魏青竹;潘启勇;张德宝;刘玉申;冯金福 -专利权人：常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L31/077 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基径向纳米线太阳能电池，包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底的第一面设置n型纳米线周期阵列结构，n型单晶硅衬底的第二面设置金属薄膜，n型纳米线周期阵列结构表面依次设置硫化钼薄膜和p型非晶硅薄膜，p型非晶硅薄表面和n型单晶硅衬底的由n型纳米线周期阵列结构裸露的第一面设置透明导电薄膜，透明导电薄膜和金属薄膜引出导电电极对外供电。本发明还公开了一种硅基径向纳米线太阳能电池的制备方法。本发明利用利用硫化钼薄膜作为本征层对n型纳米线周期阵列的纳米线表面缺陷进行修饰，在降低界面复合的同时提高对宽光谱太阳能波段的吸收，从而提高硅基径向纳米线太阳能电池的光电转换效率。
纳米线太阳能电池衬底硅基周期阵列结构透明导电薄膜金属薄膜硫化钼制备薄膜光电转换效率纳米线表面导电电极界面复合依次设置周期阵列本征层第二面宽光谱波段修饰太阳能裸露供电吸收

[发明专利]硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法-CN201310232595.9有效
发明人：韩伟华;杨晓光;杨涛;王昊;洪文婷;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-06-13 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法。该方法包括：步骤A，在(110)晶面SOI衬底的顶硅薄层上制备整段硅纳米线；步骤B，去除整段硅纳米线的中段部分，在保留的左段硅纳米线和右段硅纳米线朝向内侧的端面形成硅(111)晶面；以及步骤C，在左段硅纳米线和右段硅纳米线朝向内侧的，具有硅(111)晶面的两端面之间横向选区生长III-V族材料纳米线，形成异质结桥接结构。本发明利用硅(111)晶面有较高的悬挂键密度和较低的表面自由能的特性，可以低成本实现在两段硅纳米线之间硅(111)晶面侧壁上III-V族纳米线的选区横向生长。
硅基 iii 纳米选区横向外延生长方法

[发明专利]基于ZnO纳米线的高效硅基薄膜太阳能电池及制造方法-CN201110111203.4无效
发明人：郝芳;吴兴坤;叶志高;叶平平 -专利权人：杭州天裕光能科技有限公司
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于ZnO纳米线的高效硅基薄膜太阳能电池，属于太阳能电池技术领域，本发明是在基板上自下而上依次沉积ZnO纳米线、硅基薄膜层、背电极层和封装材料层。本发明通过将ZnO纳米线复合到硅基薄膜太阳能电池内部，利用ZnO纳米线巨大的比表面积增大电池的受光面积，以及利用这些纳米线作为薄膜电池内部载流子的输送桥梁将载流子的迁移距离有几十微米减少至几百纳米，极大地提高了电池内部载流子收集效率，从而提高硅基薄膜电池的效率。
基于 zno 纳米高效薄膜太阳能电池制造方法

[实用新型]基于ZnO纳米线的高效硅基薄膜太阳能电池-CN201120134375.9有效
发明人：郝芳;吴兴坤;叶志高 -专利权人：杭州天裕光能科技有限公司
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于ZnO纳米线的高效硅基薄膜太阳能电池，属于太阳能电池技术领域，本实用新型是在基板上自下而上依次沉积ZnO纳米线、硅基薄膜层、背电极层和封装材料层构成。本实用新型通过将ZnO纳米线复合到硅基薄膜太阳能电池内部，利用ZnO纳米线巨大的比表面积增大电池的受光面积，以及利用这些纳米线作为薄膜电池内部载流子的输送桥梁将载流子的迁移距离有几十微米减少至几百纳米，极大地提高了电池内部载流子收集效率，从而提高硅基薄膜电池的效率。
基于 zno 纳米高效薄膜太阳能电池

[发明专利]一种基于石墨烯和硅基纳米线的拉曼放大器及其制备方法-CN201910521193.8有效
发明人：尤洁;罗玉昆;江天;郑鑫;殷科;张江华;杨杰;王振宇;于亚运 -专利权人：中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： G02F1/39 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于石墨烯和硅基纳米线的拉曼放大器及其制备方法，在硅基纳米线、绝缘体硅和绝缘层上制作一层隔离层，并在隔离层上覆盖石墨烯层。通过石墨烯的表面等离子体激元和硅基纳米线的光波导模式的耦合作用增强硅基纳米线对传输的信号光的拉曼放大效应，使得在不需要高泵浦功率的泵浦光情况下也能产生较好的拉曼放大效应。利用石墨烯对光的折射率大，对光吸收强的特性能将光聚集在硅基纳米线内部。此外，相比于在硅上集成其它模块，石墨烯易于与基于硅光电子学平台和CMOS集成工艺兼容，能够大规模集成到光互联网络上。
一种基于石墨纳米放大器及其制备方法

[发明专利]一维微纳米硅基陶瓷基底表面原位生长辐射状SiC纳米线及制备方法-CN202310467185.6在审
发明人：殷学民;刘冰;刘慧敏;张欣;孙佳;付前刚;李贺军 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C04B41/85 文献下载
摘要：本发明涉及一种一维微纳米硅基陶瓷基底表面原位生长辐射状SiC纳米线及制备方法，实现了一维微纳米硅基陶瓷基底表面均匀定向生长辐射状SiC纳米线。本发明采用无催化剂辅助低压化学气相沉积工艺，以三氯甲基硅烷(MTS)为原料，在一维微纳米硅基陶瓷基底表面制备辐射状SiC纳米线。本发明所提供的技术方案制备工艺简单，SiC纳米线纯度高，工艺普适性强，适合于不同尺寸的一维微纳米硅基陶瓷基底，工艺具有良好的可重复性。另外，辐射状SiC纳米线的生长无需催化剂的辅助，一方面简化了制备工艺，另一方面避免了催化剂的污染。所制备的SiC纳米线与一维微纳米硅基陶瓷基底之间结合力好，结构稳定，在复合材料强韧化方面中将具有广阔的应用前景。
一维微纳米陶瓷基底表面原位生长辐射状 sic 制备方法

[发明专利]硅基纳米杂化材料的制备方法-CN201110157596.2有效
发明人：何耀 -专利权人：苏州大学
申请日： 2011-06-13 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基纳米杂化材料的制备方法，以单晶硅纳米线、碱金属的碲氢化物、镉源化合物和含羧基的水溶性巯基化合物为原料，制备得到硅基纳米杂化材料。本发明采用微波辐射的方法，将所述水溶性巯基化合物中的C＝O键与单晶硅纳米线表面的Si-H键结合，并且将所述晶核中的Cd2+与所述水溶性巯基化合物中的巯基通过S-Cd键结合，从而得到晶核修饰的硅纳米线，晶核生长后得到硅基纳米杂化材料由于CdTe量子点具有强发光特性，因此本发明制备的硅基纳米杂化材料具有较高的荧光强度。实验结果表明，本发明制备的量子点修饰的硅纳米线的发光效率为10～35％，量子点直径为50纳米。
纳米材料制备方法

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