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[发明专利]一种砷化镓晶片切割方法-CN201910225988.4在审
发明人：程进;陈龙 -专利权人：苏州芯海半导体科技有限公司
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓晶片切割方法，包括以下步骤：步骤一：先使晶片切割机的刀片以（10～20）毫米/秒的进给速度对砷化镓晶圆片进行第一次切割，切割深度为砷化镓晶圆片厚度的（25～35）%；步骤二：再使晶片切割机的刀片以（10～20）毫米/秒的进给速度继续对第一次切割后的砷化镓晶圆片进行第二次切割，切割深度为砷化镓晶圆片厚度的（25～35）%；步骤三：最后使晶片切割机的刀片以（5～10）毫米/秒的进给速度继续对第二次切割后的砷化镓晶圆片进行第三次切割，直至刀片切透砷化镓晶圆片形成砷化镓晶片。本发明具有可靠性高且能提高砷化镓晶片成品率的优点。
切割晶圆片砷化镓砷化镓晶片刀片晶片切割机进给成品率

[发明专利]单片可重构砷化镓低噪声放大器及其制备方法-CN201911352260.4在审
发明人：周全;陈南庭;邓世雄;陈书宾;要志宏;王磊;王乔楠;陈然;张路洋;武康;郭尧;张慧芳 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明属于低噪声放大器技术领域，涉及一种单片可重构砷化镓低噪声放大器及其制备方法。所述电路包括：片外输入匹配电路和砷化镓单片放大电路；片外输入匹配电路的输入端作为单片可重构砷化镓低噪声放大器的输入端，片外输入匹配电路的匹配端与砷化镓单片放大电路的输入端连接，砷化镓单片放大电路的输出端作为单片可重构砷化镓低噪声放大器的输出端；片外输入匹配电路与砷化镓单片放大电路进行阻抗匹配得到预设噪声系数的单片可重构砷化镓低噪声放大器。本发明将砷化镓单片放大电路的输入匹配网络从片上移至片外，实现了根据工作需求提高输入匹配网络的Q值，降低了低噪声放大器的噪声系数。
单片可重构砷化镓低噪声放大器及其制备方法

[实用新型]单片可重构砷化镓低噪声放大器-CN201922355120.4有效
发明人：周全;陈南庭;邓世雄;陈书宾;要志宏;王磊;王乔楠;陈然;张路洋;武康;郭尧;张慧芳 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本实用新型属于低噪声放大器技术领域，涉及一种单片可重构砷化镓低噪声放大器，主要包括：片外输入匹配电路和砷化镓单片放大电路；片外输入匹配电路的输入端作为单片可重构砷化镓低噪声放大器的输入端，片外输入匹配电路的匹配端与砷化镓单片放大电路的输入端连接，砷化镓单片放大电路的输出端作为单片可重构砷化镓低噪声放大器的输出端；片外输入匹配电路与砷化镓单片放大电路进行阻抗匹配得到预设噪声系数的单片可重构砷化镓低噪声放大器。本实用新型将砷化镓单片放大电路的输入端匹配网络从片上移至片外，实现了根据工作需求提高输入端匹配网络的Q值，降低了低噪声放大器的噪声系数。
单片可重构砷化镓低噪声放大器

[发明专利]一种砷化镓基外延层剥离转移的方法-CN201410107176.7在审
发明人：吴立枢;赵岩;程伟 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2014-03-21 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明是砷化镓基外延层剥离转移的方法，1）稀释的盐酸清洗砷化镓基外延片和临时衬底表面；2）砷化镓基外延片正面旋涂光刻胶；3）砷化镓基外延片正面朝上放热板上烘烤；4）冷却后与临时衬底正面相对键合；5）将砷化镓基外延片砷化镓衬底去除；6）稀释的盐酸清洗目标衬底和以临时衬底为支撑的外延片表面；7）以临时衬底为支撑的外延片正面旋涂BCB；8）以临时衬底为支撑的外延片正面朝上放在热板上烘烤；9）冷却后与目标衬底正面相对键合；10）将键合完的圆片浸泡在丙酮中优点：可将砷化镓基外延片上外延层完整转移到任意目标衬底上，工艺简单，转移中不会对砷化镓基外延层造成破坏。
一种砷化镓基外延剥离转移方法

[发明专利]一种低亮暗点的4和6英寸半绝缘砷化镓抛光片制备方法-CN201911061684.5有效
发明人：周春锋;兰天平;边义午;宋禹;王东兴 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种低亮暗点的4和6英寸半绝缘砷化镓抛光片制备方法，采用HGF法合成砷化镓多晶，去除尾部杂质富集多晶，剩余多晶王水处理清洗干净，砷化镓籽晶、砷化镓多晶、碳粉、氧化硼和少量黑砷装入PBN坩埚中，再装入石英管内抽真空焊接密封，装入多温区VGF单晶炉中，采用VGF/VB生长半绝缘砷化镓单晶，采用开管惰性气体保护单晶热处理，经头尾片测试证明生长出半绝缘砷化镓单晶性能达标。然后滚圆、多线切割、倒角、粗抛光，在氧气气氛和不饱和砷蒸汽保护条件下，对抛光片热处理，再经精细抛光、清洗、封装。技术效果是开发出砷化镓抛光片制备流程，同时结合新的晶片退火的技术，降低半绝缘砷化镓抛光片表面在强光灯下目检的亮、暗点缺陷。
一种低亮暗点英寸绝缘砷化镓抛光制备方法

[发明专利]一种向砷化镓材料引入杂质并加以激活的方法-CN201811485333.2有效
发明人：秦国刚;李磊;张黎莉;徐万劲;张健 -专利权人：北京大学
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及一种向砷化镓材料引入杂质并将杂质激活的方法，属于半导体技术领域。该方法首先将砷化镓材料抛光并清洗，得到砷化镓样品；然后在电容耦合等离子体真空发生腔室底部样品台上放置连接射频电源的极板，在极板上放置纯砷化镓片；将杂质源和砷化镓样品放置在纯砷化镓片上，砷化镓样品被杂质源包围，砷化镓样品抛光面朝上；进行电容耦合等离子体处理；最后进行退火处理。本发明在室温下利用CCP向砷化镓材料中引入杂质，杂质种类包括金属和非金属，利用极板上的偏压，使得He+离子破坏了局部砷化镓晶格的周期性。与没有自偏压的等离子体掺杂中的完整砷化镓晶格相比，本发明的方法在较低退火温度和较短退火时间下较易使杂质激活。
一种砷化镓材料引入杂质加以激活方法

[发明专利]一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法-CN201611130606.2有效
发明人：孙恒超;贾锐;陶科;戴小宛;金智;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法，包括以下步骤1)在砷化镓外延片表面制备窗口层，然后在窗口层表面制备重掺杂砷化镓帽子层；2)在重掺杂砷化镓帽子层表面制备正面电极，在砷化镓外延片远离窗口层的表面制备背面电极；3)采用化学腐蚀法腐蚀正面电极栅线间的重掺杂砷化镓帽子层，露出窗口层；4)在所述露出的窗口层表面制备石墨烯层；5)在所述石墨烯层表面制备减反层，得到所述石墨烯/砷化镓太阳电池。本发明将石墨烯作为一种透明导电材料应用于砷化镓太阳电池中，进一步提高了砷化镓太阳电池的转化效率，更远高于石墨烯/砷化镓肖特基结太阳电池。且本发明的太阳电池制备成本低，工艺简单，有利于产业化应用。
一种石墨砷化镓太阳电池制备方法

[发明专利]一种四英寸80微米砷化镓双抛片的制作方法-CN202011426084.7有效
发明人：李穆朗;李宁;张晓光 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种四英寸80微米砷化镓双抛片的制作方法。按如下步骤进行：厚度分选：砷化镓减薄片分选厚度120±5µm，每10片一组，厚度差小于等于3µm；配制粗抛液，将游星轮均匀放置在抛光盘面上，然后将选好的砷化镓减薄片背面向上放置在游星轮孔洞中，自查游星轮和砷化镓晶片自旋状况；双面粗抛程序；双面粗抛加工砷化镓晶片厚度至90µm；清洗甩干；贴膜；对背面贴膜的砷化镓晶片进行二次单面无蜡粗抛，加工至砷化镓晶片厚度80µm，清洗甩干；脱膜。本发明的实施，可以将120微米左右的砷化镓减薄片通过双面粗抛得到四英寸80微米双抛片，在保证表面质量的前提下整体平整度低于3µm，满足了市场需求，填补了技术空白。
一种英寸 80 微米砷化镓双抛片制作方法

[发明专利]一种降低砷化镓双抛片整体平整度的粗抛工艺-CN201711308112.3有效
发明人：李穆朗;郭明;孙强 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低砷化镓双抛片整体平整度的粗抛工艺。步骤如下：配制粗抛液后，将环氧树脂游星轮均匀放置在抛光盘面上，然后将厚度偏差3µm内的砷化镓双抛片正面向上放置在环氧树脂游星轮孔洞中，执行自查程序，查看环氧树脂游星轮和砷化镓双抛片自旋状况；自查程序执行结束后，降下上抛光盘，完成第一次执行粗抛程序；第一次粗抛程序结束后，将砷化镓双抛片翻转，背面向上执行自查程序，然后第二次执行粗抛程序；重复十次操作后，从环氧树脂游星轮中取出砷化镓双抛片，放入白花篮中清洗甩干。通过本发明的实施，有效地提高了砷化镓双抛片的整体平整度。
一种降低砷化镓双抛片整体平整工艺

[实用新型]一种砷化镓及温差发电装置-CN201220660591.1有效
发明人：余印强 -专利权人：福建省能宝光电集团有限公司
申请日： 2012-11-15 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H02N11/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及太阳能发电技术领域，特指一种砷化镓及温差发电装置，该发电装置包括砷化镓太阳能电池片、导热板、温差发电片及散热器，其中，所述砷化镓太阳能电池片设置在导热板上表面，所述温差发电片的热端设置在导热板的下表面，所述散热器贴附于温差发电片的冷端。本实用新型采用上述技术方案后，利用砷化镓太阳能发电片发电的同时，又通过温差发电片对砷化镓太阳能发电片工作时的热量加以利用并转换成电能，进一步提高太阳能的利用效率。
一种砷化镓温差发电装置

[发明专利]一种双功能的太阳能发电装置-CN201310337310.8无效
发明人：李钊明 -专利权人：上海久能能源科技发展有限公司
申请日： 2013-08-05 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H02S40/42 文献下载
摘要：包括冷却水管、砷化镓、光伏板、透光槽、支架在内，其特征在于：上、下两片砷化镓之间固定有盘状的冷却水管；砷化镓固定在并列的冷却进水管和热水输出管上端，砷化镓的平面上间隔开有透光槽，砷化镓上通过支架平行固定有光伏板由于在砷化镓中间设有冷却水管，有效防止砷化镓受热面发生高热，有效保证了砷化镓的最佳发电状态；另外，由于砷化镓平面上间隔开有透光槽，反射镜反射的光能透过透光槽直接照射在光伏板上进行发电，补充了电量，从而提高了发电装置发电效率
一种功能太阳能发电装置

[实用新型]一种双功能的太阳能发电装置-CN201320474539.1有效
发明人：李钊明 -专利权人：上海久能能源科技发展有限公司
申请日： 2013-08-05 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H02S40/42 文献下载
摘要：包括冷却水管、砷化镓、光伏板、透光槽、支架在内，其特征在于：上、下两片砷化镓之间固定有盘状的冷却水管；砷化镓固定在并列的冷却进水管和热水输出管上端，砷化镓的平面上间隔开有透光槽，砷化镓上通过支架平行固定有光伏板由于在砷化镓中间设有冷却水管，有效防止砷化镓受热面发生高热，有效保证了砷化镓的最佳发电状态；另外，由于砷化镓平面上间隔开有透光槽，反射镜反射的光能透过透光槽直接照射在光伏板上进行发电，补充了电量，从而提高了发电装置发电效率
一种功能太阳能发电装置

[发明专利]一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法-CN201611129480.7有效
发明人：贾锐;桂羊羊;孙恒超;陶科;戴小宛;金智;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法，包括以下步骤1)将石墨烯转移至砷化镓外延片表面的窗口层表面，形成石墨烯层；2)在石墨烯层表面制备重掺杂砷化镓帽子层；3)在砷化镓外延片衬底表面制备背面电极，在重掺杂砷化镓帽子层表面制备正面电极；4)采用化学腐蚀法腐蚀正面电极栅线间的重掺杂砷化镓帽子层，露出石墨烯层，在所述露出的石墨烯层表面制备减反层。本发明以石墨烯层作为透明导电层，通过石墨烯转移工艺将单层或多层石墨烯转移至传统单结或多结砷化镓太阳电池的窗口层与重掺杂砷化镓帽子层之间，可促进光生载流子的横向输运，减少光生载流的复合中心，减小串联电阻并提高填充因子
一种石墨砷化镓太阳电池制备方法

[发明专利]一种高效微能源砷化镓电池组件-CN201711276004.2在审
发明人：王顺;朱佳敏;魏敬华;钱峰伟;贾巍 -专利权人：上海太阳能工程技术研究中心有限公司
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明涉及一种高效微能源砷化镓电池组件，包括PET封装膜、EVA胶膜、砷化镓太阳电池片、串联焊带、并联焊带及电路底板，所述砷化镓太阳电池片正面通过EVA胶膜连接PET封装膜，所述砷化镓太阳电池片背面通过EVA胶膜连接电路底板，所述砷化镓太阳电池片以一定数量为一串通过所述串联焊带串联连接后，再通过所述并联焊带并联形成一个回路，最终由正负极在电路底板输出。与现有技术相比，本发明针对微能源产品续航时间短、可靠性不足问题，通过采用砷化镓太阳电池组件，有效提高太阳电池组件发电效率，延长续航时间，保证供电可靠性。
砷化镓太阳电池片焊带微能源并联砷化镓电池组件太阳电池组件电路底板续航封装膜串联底板供电可靠性发电效率连接电路正负极背面输出保证

[发明专利]一种电场调控的石墨烯/砷化镓太阳电池及其制备方法-CN201410827634.4有效
发明人：林时胜;李晓强;陈红胜;骆季奎;李尔平;王朋;章盛娇;徐志娟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-12-29 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及一种电场调控的石墨烯/砷化镓太阳电池及其制备方法，该石墨烯/砷化镓太阳电池自下而上依次有背面电极、砷化镓层、石墨烯层、绝缘介质层和栅极，该太阳电池还设有正面电极，所述正面电极设置在石墨烯层上。其制备方法如下：先在砷化镓片一面制作背面电极；清洗后将石墨烯转移至砷化镓片另一面上；在石墨烯上制作正面电极；再在石墨烯上制作绝缘介质层；最后在绝缘介质层上制作栅极，获得太阳电池。本发明的电场调控的石墨烯/砷化镓太阳电池可以通过外加电场调控石墨烯的掺杂状态，进而可以进一步提高石墨烯/砷化镓太阳电池的光电转化效率。
一种电场调控石墨砷化镓太阳电池及其制备方法

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