专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]晶片级封装的方法-CN200610071530.0无效
  • 陈至贤 - 探微科技股份有限公司
  • 2006-03-29 - 2007-10-03 - H01L21/50
  • 首先将具有凹槽的上晶片接合于承载晶片上,并蚀穿部分上晶片。接着,将上晶片自承载晶片上移除,并将上晶片与透明晶片接合,再去除对应凹槽的部分上晶片,使未去除的上晶片形成多个支撑块。提供元件晶片。最后将支撑块与元件晶片接合,由此支撑块与透明晶片可将元件晶片的元件气密封合。
  • 晶片封装方法
  • [发明专利]晶片级封装件和制造方法-CN201980037782.7在审
  • M·席贝尔 - RF360欧洲有限责任公司
  • 2019-04-16 - 2021-01-22 - B81B7/00
  • 一种晶片级封装件包括具有第一表面的功能晶片、连接到第一表面上布置的器件焊盘的器件结构。具有内表面和外表面的晶片利用内表面被键合到功能晶片的第一表面。围绕器件结构的框架结构被布置在功能晶片晶片之间。连接柱将第一表面上的器件焊盘连接到内表面上的内部焊盘。导电过孔被引导穿过晶片,连接晶片的内表面上的内部焊盘和外表面上的封装焊盘。
  • 晶片封装制造方法
  • [发明专利]一种晶片-CN200410051936.3无效
  • 严志军 - 方大集团股份有限公司
  • 2004-10-21 - 2006-04-26 - H01L21/68
  • 本发明公开了一种晶片盒,包括用来装载晶片的下,用来与下接合以封闭晶片盒的上。上包括盖顶、两个以上的挂钩段以及其余部分的无挂钩段,下包括底、与挂钩段的数量、位置以及形状相对应的凹槽段以及其余部分的无凹槽段。当上被旋动至使得其挂钩段与下的凹槽段位置对应时,晶片盒锁紧;当上被旋动至使得其挂钩段与下的凹槽段位置完全错开时,晶片盒可打开。实施本发明提供的晶片盒,结构简单,使用方便,完全能够满足方便、安全、无污染地储存和运输晶片的要求。
  • 一种晶片
  • [实用新型]一种晶片-CN200420094309.3无效
  • 严志军 - 方大集团股份有限公司
  • 2004-10-21 - 2005-11-09 - H01L21/68
  • 本实用新型公开了一种晶片盒,包括用来装载晶片的下,用来与下接合以封闭晶片盒的上。上包括盖顶、两个以上的挂钩段以及其余部分的无挂钩段,下包括底、与挂钩段的数量、位置以及形状相对应的凹槽段以及其余部分的无凹槽段。当上被旋动至使得其挂钩段与下的凹槽段位置对应时,晶片盒锁紧;当上被旋动至使得其挂钩段与下的凹槽段位置完全错开时,晶片盒可打开。实施本实用新型提供的晶片盒,结构简单,使用方便,完全能够满足方便、安全、无污染地储存和运输晶片的要求。
  • 一种晶片
  • [实用新型]半导体晶片盒开盒器和晶片盒组合件-CN202121244029.6有效
  • 高伟 - 北京通美晶体技术股份有限公司
  • 2021-06-04 - 2022-01-07 - B67B7/14
  • 半导体晶片盒开盒器,包括开盒器主体,所述开盒器主体具有至少一端开口的筒状结构,所述筒状结构的开盒器主体的内壁具有与晶片盒上外侧壁形状相适配的多边形形状,所述筒状结构的开盒器主体的内壁高度不高于晶片盒上的高度本实用新型还涉及包括该晶片盒开盒器和晶片盒的晶片盒组合件。本实用新型通过开盒器主体的内壁与晶片盒上外侧壁形状相适配而与晶片盒上卡紧固定,使开盒器与晶片盒上盖建立了稳固的连接,可以容易地打开、关闭晶片盒,提高开盒效率,安装方式简捷,且不会对晶片及用于装载晶片晶片盒造成破坏,有利于对晶片盒回收利用。
  • 半导体晶片盒开盒器组合
  • [实用新型]一种提高晶片质量的反应器及反应装置-CN202121694807.1有效
  • 李加林;李斌;姜岩鹏;刘家朋;张宁 - 上海天岳半导体材料有限公司
  • 2021-07-23 - 2022-02-11 - C30B29/36
  • 本申请公开了一种提高晶片质量的反应器及反应装置,属于半导体材料制备技术领域。该反应器包括:晶片托盘,所述晶片托盘的内侧壁上设置有用于放置晶片的凸台;底座和体,所述底座设置在所述晶片托盘下方,所述体用于合所述晶片托盘,所述底座、晶片托盘与体之间形成反应腔,所述反应腔内开设有通气孔,反应气体自所述通气孔进入所述反应腔;加热组件,所述加热组件用于加热所述反应腔内的反应气体,以对所述晶片的表面进行处理。反应气体自通气孔进入反应腔,并在加热组件的加热下与晶片表面的碳包裹体反应生成碳化硅,提高晶片表面的质量,减少晶片表面碳包裹体的数量。
  • 一种提高晶片质量反应器反应装置

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