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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]自旋电子器件、阵列电路及递归神经网络的优化方法-CN202211081304.6在审
发明人：邢国忠;林淮;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本公开提供了一种自旋电子器件、阵列电路及递归神经网络的优化方法，该自旋电子器件，包括：预设厚度的磁畴器件，磁畴器件能够在反对称交换耦合作用以及偶极相互作用的调制下，形成迷宫状磁畴结构，迷宫状磁畴结构包括多个磁畴方向随机的磁畴区域，相邻的两个磁畴区域的交界为磁畴壁；至少一个周期的异质薄膜，设置在磁畴器件的第一表面；至少四个电极，设置在磁畴器件的第二表面，且四个电极分别与不同的磁畴区域连接。
自旋电子器件阵列电路递归神经网络优化方法

[发明专利]一种基于铁弹畴壁应力形变存储器及其制备方法-CN202210690490.7在审
发明人：宋宏甲;刘凯;谭丛兵;钟向丽;王金斌 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铁弹畴壁应力形变存储器及其制备方法，该存储器包括衬底、铁电层和电极层，该存储器利用铁电层与衬底间晶格失配所产生的钳制应力，使得铁电层中的铁弹畴壁产生应力形变，从而形成“0”和“1”开关本发明所提供存储器的制备方法利用半导体制备工艺，在衬底(001)面上采用脉冲激光沉积法制备铁电层和电极层，该方法工艺简单，精准度高，有效保证了产品的良品率，可实现上述存储器的大规模工业化生产。
一种基于铁弹畴壁应力形变存储器及其制备方法

[发明专利]一种突触晶体管、器件及其制造方法、运算阵列-CN201910577552.1有效
发明人：唐彬;陈清;廖建辉 -专利权人：北京大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：器件或晶体管的沟道层的材料为具有铁电特性的半导体材料，可以利用半导体材料的铁电特性，通过栅极或者源极、漏极向沟道层施加电压，使得沟道层中的铁电畴发生极化翻转，铁电畴的改变会使得沟道层的电导发生变化，从而
一种突触晶体管器件及其制造方法运算阵列

[发明专利]液晶显示元件-CN200580002978.0无效
发明人：猿渡直子;冈部将人;浜秀雄 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2005-01-19 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： G02F1/1337 文献下载
摘要：本发明提供一种取向稳定性优良的液晶显示元件，是使用了强介电性液晶的液晶显示元件，可以不形成锯齿缺陷、发夹缺陷或双畴等取向缺陷地获得强介电性液晶的单畴取向，即使升温到相转移点以上，也可以维持该取向。本发明通过提供具有如下特征的液晶显示元件而达成所述目的，即，是在2张基板间夹持强介电性液晶而成的液晶显示元件，在所述基板的对置面上分别依次形成电极和光取向膜，所述光取向膜的构成材料为夹隔所述强介电性液晶而具有相互不同的组成
液晶显示元件

[发明专利]液晶显示元件-CN200580002986.5无效
发明人：猿渡直子;冈部将人;浜秀雄 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2005-01-19 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： G02F1/1337 文献下载
摘要：本发明提供一种取向稳定性优良的液晶显示元件，是使用了强介电性液晶的液晶显示元件，可以不形成锯齿缺陷、发夹缺陷或双畴等取向缺陷地获得强介电性液晶的单畴取向，即使升温到相转移点以上，也可以维持该取向。本发明通过提供具有如下特征的液晶显示元件而达成所述目的，即，是在2张基板间夹持强介电性液晶而成的液晶显示元件，在所述基板的对置面上分别依次形成电极和光取向膜，所述光取向膜的构成材料夹隔所述强介电性液晶而为相互不同的组成
液晶显示元件

[发明专利]液晶面板及其制造方法-CN201910242662.2有效
发明人：下敷领文一;寺下慎一;渡边光一 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G02F1/1337 文献下载
摘要：所述液晶面板依次具备：具有多个像素电极和第一取向膜的第一基板、液晶层、以及具有共用电极和第二取向膜的第二基板，在行方向上连续的至少30个像素中，晶畴排列相同，位于第n行的显示单元区域中的晶畴配置顺序为第一晶畴、第二晶畴、第三晶畴以及第四晶畴的顺序，位于第n+1行的显示单元区域中的晶畴配置顺序为第一晶畴以及第四晶畴位于第二晶畴以及第三晶畴之间，像素电极在与位于显示单元区域的两端的晶畴的至少一个重叠的区域设置有切口，具有与各晶畴的取向矢量平行的多条微小狭缝。
液晶面板及其制造方法

[发明专利]被膜-CN201680091204.8有效
发明人：内海庆春;佩尔·克里斯多夫·阿伦斯古格;津田圭一;康斯坦提诺斯·萨拉基诺斯;桑卡拉·皮莱;丹尼尔·冈纳·马根法尔特 -专利权人：住友电气工业株式会社;敏斯材料公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：根据本发明，位于基材表面的被膜中的至少一层为晶畴结构层，该晶畴结构层由组成不同的至少两种晶畴以及组成与各晶畴不同的薄层构成。薄层位于任意一种晶畴和任意另一种晶畴之间并且与这两种晶畴接触。当将晶畴结构层的面内方向上的各个第一晶畴的尺寸定义为与各个第一晶畴接触的虚拟外接圆的直径时，各个第一晶畴的尺寸的平均值为1nm至10nm(包括端点)，并且在晶畴结构层的厚度方向上的薄层的厚度为1原子层至
被膜

[发明专利]一种电光调制光分路耦合器-CN201410712503.1有效
发明人：万玲玉 -专利权人：广西大学
申请日： 2014-12-02 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用周期性极化畴反转结构集成的电光调制光分路耦合器，包括2个输入接口和4个输出接口，主要由四个周期性极化畴反转结构和金属膜电极组成，四个周期性极化畴反转结构尺寸相同，呈X型对称排列，集成在一块晶体中，金属膜电级均匀覆盖在周期性极化畴反转结构的上下两个表面给畴反转结构施加电场，当使用1个输入和4个输出时为1×4的光分路器，通过控制电场的调节可以实现任意的分光比，当使用2个输入和4个输出时为2×4的光耦合器
畴反转结构周期性极化光分路耦合器电场电光调制分光比耦合比金属膜电极输出对称排列光分路器光耦合器均匀覆盖实时调节输出接口输入接口光分路金属膜耦合的施加应用

[发明专利]非易失性铁电存储器及其制备方法和读/写操作方法-CN201610098138.9有效
发明人：江安全;耿文平 -专利权人：复旦大学
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L27/11585 文献下载
摘要：本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种非易失性铁电存储器及其制备方法和读/写操作方法。该铁电存储器包括铁电薄膜层及其表面刻蚀铁电存储单元以及设置在铁电存储单元左右制备面内读写电极层；其电畴的极化方向基本不平行所述读写电极层的法线方向。当改变存储单元的面内结构，可以实现多位信息存储。读操作和写操作可以通过表面所刻蚀的存储单元左右沉积读写电极层完成，也可通过在刻蚀铁电存储单元顶部增加一个额外读电极与另外读写电极对任一实现读操作。本发明的铁电存储器结构简单、制备简单、成本低，可以实现以大电流方式对所存储的电畴逻辑信息进行非破坏性快速读出。
非易失性铁电存储器及其制备方法操作方法

[发明专利]使用磁畴壁移动的信息存储装置及操作该装置的方法-CN200910246683.8有效
发明人：皮雄焕;朴永洙;徐顺爱;曹永真;李成喆;裴智莹 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-12-01 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：提供了一种使用磁畴壁移动的信息存储装置及操作该装置的方法。所述信息存储装置包括磁轨和操作单元。磁轨包括通过磁畴壁分离的多个磁畴。操作单元的大小能够覆盖至少两个相邻磁畴。并且，操作单元被配置为可向磁轨的单个磁畴区以及多个磁畴区写入信息/从磁轨的单个磁畴区以及多个磁畴区读取信息。
使用磁畴壁移动信息存储装置操作方法

[发明专利]铁电晶体表面电畴结构无损检测静电微粒显示剂及其检测方法-CN200510040201.5无效
发明人：祁鸣;柯常;王继扬;刘宏 -专利权人：南京大学
申请日： 2005-05-24 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： G01N13/00 文献下载
摘要：本发明是一种用于铁电晶体表面电畴结构检测的静电微粒显示剂及其检测方法。加热使静电微粒显示剂挥发干燥使静电微粒在相应电畴区域形成选择性沉积而产生显示图案，从而显示正负电畴结构组态。
电晶体表面结构无损检测静电微粒显示及其方法

[发明专利]多畴垂直取向型液晶显示装置及其制造方法-CN200810202795.9有效
发明人：陆海峰;陈钢 -专利权人：上海广电光电子有限公司
申请日： 2008-11-17 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明涉及一种多畴垂直取向型液晶显示装置及其制造方法，该液晶显示装置包括相对设置的第一基板和第二基板；一液晶层，填充在第一基板和第二基板之间；所述第一基板上形成有像素电极；所述第二基板上形成有公共透明电极；其中，所述像素电极包括部分叠置的第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极和所述第二像素电极电性隔绝，其间设置有绝缘膜。本发明提供的多畴垂直取向型液晶显示装置及其制造方法，既能通过电容耦合实现多畴显示，又不影响开口率。
垂直取向液晶显示装置及其制造方法

[发明专利]一种基于多铁异质结构的磁畴壁写入单元及方法-CN202010766277.0有效
发明人：邱阳;施胜宾;周浩淼;杨浛;朱明敏;郁国良 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多铁异质结构的磁畴壁写入单元及方法，包括：底电极层，连接脉冲电压源；压电层，由铁电材料制成，设置于底电极层上；顶电极层，设置于压电层上，包含若干连接脉冲电压源的顶电极；磁性层，与顶电极处在同一层在顶电极和底电极层施加脉冲电压使压电层产生应变，应变传递至磁性层并诱导产生磁畴壁，磁畴壁被驱动至赛道存储器；调整脉冲电压，以改变压电层的应变程度，进而写入不同的数据。本发明利用逆压电效应和磁致伸缩的逆效应，实现高存储密度，低功耗的磁畴壁写入。
一种基于多铁异质结构磁畴壁写入单元方法

[发明专利]非周期宽带可调全光波长转换器的制作方法-CN200910054312.X无效
发明人：陈玉萍;党玮睿;陈险峰 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2009-07-02 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：本发明选择掺杂镁的铌酸锂晶片，在晶片上制作钛扩散波导结构，计算光学超晶格中每个电畴区域的极化方向；然后根据得到的正负畴排列顺序对晶片进行室温电场极化改变电畴中极化方向，即对晶片进行室温电场极化，以实现晶体极化畴的周期性反转
周期宽带可调波长转换器制作方法

[发明专利]液晶面板及其制造方法-CN201910242363.9有效
发明人：下敷领文一;寺下慎一;渡边光一 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G02F1/1337 文献下载
摘要：一种液晶面板，其依次具备：第一基板，其具有多个像素电极、多根栅极布线以及第一取向膜；液晶层；以及第二基板，其具有共用电极和第二取向膜，在行方向上连续的至少30个像素中，晶畴排列相同，多根栅极布线在显示单位区域的行之间通过并延伸，位于第n行的显示单位区域中的晶畴配置顺序是第一晶畴、第二晶畴、第三晶畴、第四晶畴的顺序，位于第n+1行的显示单位区域中的晶畴配置顺序是第一晶畴以及第四晶畴位于第二晶畴以及第三晶畴之间，像素电极具有与各晶畴的取向矢量平行的多根微小狭缝
液晶面板及其制造方法

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