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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种高电源抑制比的E/D NMOS基准电压源-CN200710092408.6无效
发明人：胡永贵;张正璠;朱冬梅;许云;余金锋;王敬;廖良 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2007-07-11 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电源抑制比的E/D NMOS基准电压源，它含有：一个E/D NMOS预基准源电路，其输出为基准源电路供电，包括四个耗尽型NMOS管和四个增强型NMOS管；一个基准源电路，包括四个耗尽型由于有了预基准源电路的初步稳压，使得基准源电路的输入电压受电源电压变化的影响很小，大大提高了基准电压源的电源抑制比，其电源抑制比可达到75dB以上。它可广泛应用于模拟集成电路中的电源管理电路，尤其是低压差线性电源领域。
一种电源抑制 nmos 基准电压

[实用新型]一种提高带隙基准电源抑制比的预稳压电路-CN201620332680.1有效
发明人：唐杰;章国豪;陈忠学;黄敬馨;余凯 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型公开一种提高带隙基准电源抑制比的预稳压电路，包括启动电路、PTAT电流电路和带隙基准电压产生模块，PTAT电流电路包括PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7、PMOS管M8、晶体管Q1本方案通过预稳压技术先将电源电压的噪声波动去除一部分，然后将稳压过后的电压作为带隙基准的电源电压来提高电路的电源抑制比，在预稳压技术里通过采用负反馈的方法提高了VOUT到电源电压的阻抗，进一步提高电源抑制比
一种提高基准电源抑制稳压电路

[实用新型]一种带隙基准源电路-CN201920035153.8有效
发明人：王昕宇 -专利权人：上海奥令科电子科技有限公司
申请日： 2019-01-09 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带隙基准源电路，包括：包括：中间电压生成电路、电流镜电路、正反馈回路和负反馈回路和启动电路；其中晶体管M12、M13、M18构成了中间电压生成电路，用于产生一个相对独立于电源电压VDD的中间电压VREG，该带隙基准源电路不仅在低频段具有较高的电源抑制比，在中频段以及高频段同样具有较高的电源抑制比。
带隙基准源电路中间电压电源抑制比生成电路本实用新型电流镜电路负反馈回路正反馈回路电源电压启动电路相对独立低频段高频段中频段晶体管

[发明专利]一种输出可调节宽摆幅预稳压电源电路-CN202010554529.3有效
发明人：邱旻韡;李娟;罗永波;宣志斌;肖培磊 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H02M1/36 文献下载
摘要：本发明公开一种输出可调节宽摆幅预稳压电源电路，属于集成电路技术领域。采用LDO作为预稳压电源，提高电路的电源抑制比；同时在LDO内部设计双反馈环路控制，反馈次环路在上电初期用于电路启动；启动完成后，反馈主环路接过预稳压电路的控制权，并配置产生合适的预稳压电压。本发明利用LDO作为预稳压核心器件，可以提高对主电源噪声的抑制能力，提高电源抑制比；预稳压电压输出可配置，具有较宽的摆幅，应用面广；尤其针对高功耗应用时，可以合理配置VOUT电压，降低功率管的压差，降低功率管热损耗
一种输出调节宽摆幅预稳压电源电路

[实用新型]一种数字音频功放系统-CN201821383333.7有效
发明人：周佳宁 -专利权人：上海艾为电子技术股份有限公司
申请日： 2018-08-27 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H04R3/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种数字音频功放系统，该数字音频功放系统通过提高第一电流源模块和第二电流源模块的等效输出阻抗，进而减小第一电流源模块对电源抑制比的影响，并且提高了分压电阻之间的匹配程度，进而提高数字音频功放系统的电源抑制比
数字音频功放电流源模块电源抑制比等效输出阻抗本实用新型分压电阻减小噪声匹配喇叭

[发明专利]一种低功耗高电源纹波抑制比的电压缓冲器-CN202210817014.7在审
发明人：黄武 -专利权人：荣湃半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种低功耗高电源纹波抑制比的电压缓冲器，包括：增益级，至输入电路；驱动级，连接增益级的输出端；输出级，通过输出场效应管连接驱动级的输出端和输出电路；输出场效应管通过隔离场效应管连接至电源电路，以提高电源纹波抑制比；偏置级，分别连接至增益级和隔离场效应管，以使得增益级和隔离场效应管共用偏置电流。：通过在电压缓冲器中对偏置级进行调整，使得增益级和输出级中的隔离场效应管能够共用偏置电流，进而实现了较低的偏置电流功耗，从而降低了电压缓冲器整体的功耗；进一步地，通过设置隔离场效应管隔离输出场效应管和电源电路，提高了电压缓冲器的电源纹波抑制比。
一种功耗电源抑制电压缓冲器

[发明专利]高电源电压抑制比线性稳压器-CN201910799505.1有效
发明人：罗贤亮;杨秀霞;宋灵建 -专利权人：南京凯鼎电子科技有限公司
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电源电压抑制比线性稳压器，包括功率器件，该线性稳压器还包括：稳压环路，加载在所述功率器件的栅极，进行功率器件的栅极调节；低阻抗对地支路，一端与功率器件漏极相连，另一端接地，提供并联支路的低阻抗值本发明线性稳压器低成本、低功耗，且能有效提供高电源电压抑制比。
电源电压抑制线性稳压器

[发明专利]一种提高电源抑制比的供电电路-CN201611252053.8在审
发明人：关宇恒;刘寅;牛越;李雷 -专利权人：北京华大九天软件有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：一种提高电源抑制比的供电电路，包括，低压差线性稳压器和输出噪声隔离电路，其中，所述输出噪声隔离电路，包括，第一晶体管、滤波电阻、滤波电容，所述滤波电阻的一端、所述第一晶体管的漏极，以及所述低压差线性稳压器输出相连接；所述滤波电阻的另一端连接滤波电容的一端和所述第一晶体管的栅极；所述滤波电容的另一端接地；所述第一晶体管的源极连接外部的对电源噪声敏感的电路。本发明的供电电路，通过低压差线性稳压器和输出噪声隔离电路两者结合，有效地提高了集成电路系统的电源抑制比，大幅度地减小了电源噪声对系统的影响。
一种提高电源抑制供电电路

[发明专利]一种高电源抑制比基准电压源-CN201610414110.1有效
发明人：周泽坤;何烨;李要;石跃;王卓;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明属于集成电路技术领域，涉及一种高电源抑制比基准电压源。本发明提出了一种新的思路来改善不同频段的PSRR。在中低频时，通过引入自偏置共源共栅结构作为负载来屏蔽电源变化影响从而提高PSRR；在高频时通过引入电容滤波效果，达到提高PSRR的目的。
一种电源抑制基准电压

[发明专利]一种高电源抑制比快速响应LDO-CN201810543856.1有效
发明人：魏榕山;林家城;杨培祥 -专利权人：福州大学
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种高电源抑制比快速响应LDO。本发明具有高电源抑制比、快速响应且功耗低。
一种电源抑制快速响应 ldo

[发明专利]一种高电源抑制比电流偏置电路-CN201711047031.2有效
发明人：袁博群 -专利权人：成都锐成芯微科技股份有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G05F1/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电源抑制比电流偏置电路，涉及集成电路技术领域。该高电源抑制比电流偏置电路包括为偏置电路提供启动点的启动子电路、连接于启动子电路并用于放大电路电流的放大子电路、和连接放大子电路的电流源子电路及用于镜像电路电流的电流镜子电路，放大子电路、电流源子电路和电流镜子电路之间还设有高阻节点
一种电源抑制电流偏置电路

[实用新型]高电源抑制比的基准稳压电路结构-CN201220342516.0有效
发明人：杨颖;陈继辉;程学农;张勤;卢晞 -专利权人：无锡华润矽科微电子有限公司
申请日： 2012-07-13 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高电源抑制比的基准稳压电路结构，其中包括供电三极管和依次级联连接的预基准电压源电路模块、次级基准电压源电路模块，预基准电压源电路模块的输入端通过供电三极管与供电电源连接，预基准电压源电路模块的输出端与次级基准电压源电路的输入端连接采用该种结构的高电源抑制比的基准稳压电路结构，次级基准电压源的工作电压受电源电压变化的影响很小，与传统的一级能隙结构的基准源相比，其输出受电源电压变化的影响大大降低，电源的纹波抑制比大大提高，可比采用一级能隙结构的基准源提高
电源抑制基准稳压电路结构

[实用新型]一种高电源抑制比电流偏置电路-CN201721421538.5有效
发明人：袁博群 -专利权人：成都锐成芯微科技股份有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： G05F1/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高电源抑制比电流偏置电路，涉及集成电路技术领域。该高电源抑制比电流偏置电路包括为偏置电路提供启动点的启动子电路、连接于启动子电路并用于放大电路电流的放大子电路、和连接放大子电路的电流源子电路及用于镜像电路电流的电流镜子电路，放大子电路、电流源子电路和电流镜子电路之间还设有高阻节点
放大子电路电流源子电路电流镜子电路电流偏置电路偏置电路高电源启动子抑制比本实用新型电路偏置电流电容启动点集成电路技术放大电路高阻节点镜像电路稳定电容整体芯片

[发明专利]放大器和放大方法-CN201410572751.0有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：博通集成电路（上海）股份有限公司
申请日： 2014-10-23 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：该偏置单元配置成产生偏置电流，该偏置电流独立于电源，以增加电源抑制比。该放大单元与该偏置元连接并配置成接收输入电压并基于该偏置电流产生放大电压。该施密特触发器与该放大器连接并配置成产生并输出修正电压。因此，提供了一种能够增加电源抑制比的放大器。 1
放大器偏置电流施密特触发器电源抑制比放大单元偏置单元放大配置接收输入输出修正偏置电路电源

[发明专利]一种采用自举技术实现低压运放应用于高压的电路-CN202310270114.7有效
发明人：杨国江;王海波 -专利权人：江苏长晶科技股份有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：一种采用自举技术实现低压运放应用于高压的电路，自举电路中通过引入高压NJFET和PJFET、高压NMOS管、高压PMOS管、低压耗尽管、低压NMOS和低压PMOS管，结合低压耗尽管提供偏置电流，既可以实现偏置偏置电流不随电源电压波动，提升电源抑制比，同时还容易实现上下电流源的平衡，不会对运放输出造成失调的影响。因此，本发明在保证高压性能的情况下，可以显著降低静态功耗，并且提升电源抑制比，电路简单，易于实现性能和成本的最佳结合。
一种采用技术实现低压应用于高压电路

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