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[实用新型]高电源抑制比的基准电压源-CN201520372782.1有效
发明人：齐盛 -专利权人：杭州宽福科技有限公司
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高电源抑制比的基准电压源。高电源抑制比的基准电压源包括第一电阻、第一NPN管、第二NPN管、第二电阻、第三NPN管、第一PMOS管、第三电阻、第四电阻、第四NPN管、第五电阻、第五NPN管、第六电阻、第六NPN管、第二PMOS管利用本实用新型提供的高电源抑制比的基准电压源能提高电源抑制比。
电源抑制基准电压

[发明专利]一种超低温漂高电源抑制比带隙基准电压源-CN201610425611.X有效
发明人：彭晓宏;曲杨;耿淑琴;王岢;代田慧;王宇辰 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：一种超低温漂高电源抑制比带隙基准电压源，涉及模拟集成电路设计领域。本发明主要针对现有基准源温漂和电源抑制比问题，提出了综合解决办法。其包括独立电流源电路、偏置电路、带隙核心电路和PSRR增强支路；独立电流源电路用于产生与电源电压基本无关的电流供电，偏置电路产生用于带隙核心电路中运放的偏置电压，带隙核心电路利用温度补偿得到基准电压，电源抑制比增强支路提供带隙核心电路的栅极偏置电压提高电源抑制比本发明得到的有益效果是大大降低了带隙基准的温度系数，提高了电源抑制比。适用于射频识别电源管理模块。
一种超低温电源抑制基准电压

[发明专利]具有高电源抑制比的信号放大电路及其中的驱动电路-CN201910711452.3在审
发明人：胡敏弘 -专利权人：立锜科技股份有限公司
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高电源抑制比的信号放大电路及其中的驱动电路。具有高电源抑制比的信号放大电路包括：前级放大电路，于驱动控制节点产生驱动信号；以及驱动电路，转换输入电源而产生输出电源，驱动电路包括：驱动晶体管，其第一端耦接于输入电源，其第二端耦接于输出电源，其控制端耦接驱动信号；以及电源抑制电路，包括：噪声选择电路，于驱动晶体管操作于线性区时，根据驱动晶体管的第一端与第二端的电压差而感测输入电源的电源噪声的交流成分以产生操作噪声信号；其中电源抑制电路根据操作噪声信号而于驱动控制节点产生具有交流性质的电源抑制信号，由此抑制电源噪声以提高电源抑制比。
具有电源抑制信号放大电路及其中的驱动

[实用新型]降噪系统和移动设备-CN202122371224.1有效
发明人：吴伟浩 -专利权人：闻泰通讯股份有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H04M1/19 文献下载
摘要：其中降噪系统包括电池、射频模组、电源抑制比提高模块和音频功率放大器；所述电池的正极与所述射频模组的第一端以及所述电源抑制比提高模块的第一端连接，所述电源抑制比提高模块的第二端与所述音频功率放大器的第一端连接，所述射频模组的第二端和所述音频功率放大器的第二端均与所述电池的负极连接；其中，所述电源抑制比提高模块用于提高所述电池的电源抑制比。
系统移动设备

[发明专利]高电源抑制比运算放大电路-CN201610825131.2在审
发明人：唐浩月 -专利权人：成都锐成芯微科技股份有限公司
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电源抑制比运算放大电路，包括电流偏置子电路、与所述电流偏置子电路相连的第一级放大子电路、与所述第一级放大子电路相连的第二级放大子电路、连接于所述第一级放大子电路与所述第二级放大子电路之间用于提高所述高电源抑制比运算放大电路的电源抑制比的高电源抑制比子电路及连接于所述第一级放大子电路与所述第二级放大子电路之间用于控制环路稳定性的补偿电容，所述电流偏置子电路为所述高电源抑制比运算放大电路提供偏置电流，所述第一级放大子电路接收输入的差分信号并进行放大后传送至所述第二级放大子电路，所述第二级放大子电路对接收到的信号进行放大后输出。本发明提高了运算放大电路的高频段部分的电源抑制比。
电源抑制运算放大电路

[实用新型]高电源抑制比运算放大电路-CN201621055175.3有效
发明人：唐浩月 -专利权人：成都锐成芯微科技股份有限公司
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高电源抑制比运算放大电路，包括电流偏置子电路、与所述电流偏置子电路相连的第一级放大子电路、与所述第一级放大子电路相连的第二级放大子电路、连接于所述第一级放大子电路与所述第二级放大子电路之间用于提高所述高电源抑制比运算放大电路的电源抑制比的高电源抑制比子电路及连接于所述第一级放大子电路与所述第二级放大子电路之间用于控制环路稳定性的补偿电容，所述电流偏置子电路为高电源抑制比运算放大电路提供偏置电流，所述第一级放大子电路接收输入的差分信号并进行放大后传送至第二级放大子电路，所述第二级放大子电路对接收到的信号进行放大后输出。本实用新型提高了运算放大电路的高频段部分的电源抑制比。
电源抑制运算放大电路

[发明专利]高电源电压抑制比无电容低压差电压调节器-CN201310217394.1有效
发明人：徐光磊 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-06-03 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开一种高电源电压抑制比无电容低压差调节器，包括误差放大器、输出级PMOS管、第一补偿电容、第一电阻及第二电阻，在误差放大器的电源电压和输出级之间引入一个增益为-1的信号通路以抵消输出级的负面影响，从而获得高电源电压抑制比，通过本发明，获得了理想的高电源电压抑制比。
电源电压抑制电容低压调节器

[发明专利]一种具有高电源抑制比的带隙基准电压源-CN201510603170.3有效
发明人：吴建辉;吴爱东;林志伦;杜媛;姚芹;李红;陈超 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-09-21 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高电源抑制比的带隙基准电压源，包括电压自调节电路，启动电路，一阶温度补偿基准电压产生电路，误差放大器，偏置电压产生电路和基准启动电路。该带隙基准电压源利用电压自调节电路对电源噪声先进行一定程度的抑制，再给后级的带隙基准电路提供电源，带隙基准电路对噪声进行进一步抑制，从而使整个电源具有很高的电源抑制比。此外，该自调节电路还具有一个反馈回路，能自动调节输出电流的大小，解决了由于后级电路所需的电流突然增大给整个电路造成不稳定的问题，同时可进一步提高带隙基准电压源的电源抑制比，相比于传统带隙基准电压源稳定性更好，电源抑制比更高，可适应高精度的工作要求。
一种具有电源抑制基准电压

[发明专利]一种高电源抑制比基准电压源-CN201410091879.5无效
发明人：敖海;敖钢 -专利权人：苏州芯动科技有限公司
申请日： 2014-03-13 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：一种高电源抑制比基准电压源，其中，包括带隙核心电路，为所述带隙核心电路供电高电源抑制比的非精确参考电压源和偏置电路，以及电压按比例放大器；所述电压按比例放大器利用所述高电源抑制比的非精确参考电压源生成一较稳定具有驱动能力的电压源整个电路系统包含了一个较高电源抑制比的稳压源50dB，和一个具有共源共栅结构的带隙核心电路。两者结合在一起可以为基准电压提供120dB以上的电源抑制比，在各种corners和温度下提高了电路的稳定性。
一种电源抑制基准电压

[发明专利]一种高电源抑制比的低压差线性稳压器及其控制方法-CN202211496206.9有效
发明人：李长波;黄磊;汪晓东 -专利权人：中晟微电子（南京）有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种高电源抑制比的低压差线性稳压器及其控制方法，包括：误差放大器模块、功率管模块、反馈模块、电源抑制比提高模块和负载。电源抑制比提高模块提供了一个非常小的交流阻抗且提供了一个较大的直流阻抗。该交流小阻抗降低了功率管模块输出端的总交流阻抗，因此降低了电源上的噪声通过功率管模块的源极到漏极即低压差线性稳压器输出端的增益，因此提升了电源抑制比性能。功率管模块基于PMOS晶体管作为功率管，本发明提供的电源抑制比提高电路不影响PMOS功率管的压差，因此本发明提供的线性稳压器最大程度地提供了高输出电压。
一种电源抑制低压线性稳压器及其控制方法

[发明专利]一种输出可调的高电源抑制比基准源电路-CN200910059228.7无效
发明人：朱国军 -专利权人：和芯微电子(四川)有限公司
申请日： 2009-05-08 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： G05F3/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种输出可调的高电源抑制比基准源电路，包括基准源电路的产生电路和增大电源抑制比第一级电路，其特征在于：在基准源电路的产生电路中设置浮动电压源，在基准电压输出电路上设置增益提高级，通过浮动电压源提供适当的偏置电压给增益提高级，使增益提高级全部工作在饱和区，则使得基准源电路在VREF的整个输出范围内有大的电源抑制比；通过浮动电压源和增益提高级，保证了基准源电路在输出大范围VREF(大于1.2V)时都具有高的电源抑制比。
一种输出可调电源抑制基准电路

[发明专利]高电源抑制比电压转换电流电路-CN201910751688.X有效
发明人：周航 -专利权人：成都纳能微电子有限公司
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种电源抑制比电压转换电流电路，包括第一电压产生电路、与所述第一电压产生电路相连的第二电压产生电路及与所述第一电压产生电路和所述第二电压产生电路相连的电压转换电流电路，所述第一电压产生电路产生一个高电源抑制比的第一电压至所述第二电压产生电路及所述电压转换电流电路，所述第二电压产生电路产生一个高电源抑制比的第二电压至所述电压转换电流电路，所述电压转换电流电路接收所述第一电压和所述第二电压，并产生高电源抑制比的输出电流。
电源抑制电压转换电流电路

[发明专利]一种宽输入电压范围高电源抑制比的LDO-CN201810538686.8有效
发明人：罗萍;肖皓洋;杨朋博;张辽;李博;凌荣勋;王强 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：一种宽输入电压范围高电源抑制比的LDO，属于电力电子技术领域。包括误差放大器、功率模块、预降压模块、耐高压模块和电源抑制比增强模块，利用预降压电路模块对LDO的输入电压进行预处理得到一个可用于低压电路部分供电的低电源电压，利用低电源电压给误差放大器和耐高压模块供电以得到高电源抑制比，并通过耐高压模块提高LDO的输入电压范围，同时利用LDO环路内部的电源抑制比增强模块进一步提升LDO在中高频端的电源抑制比，最后利用功率模块对LDO的输入电压进行处理，得到反馈电压控制误差放大器的正向输入端以得到足够的环路增益来提高本发明输入范围宽，占用芯片面积小，且电源抑制比高。
电源抑制比功率模块输入电压高电源耐高压抑制比低电源电压宽输入电压误差放大器输出电压电力电子技术领域放大器预处理降压电路模块正向输入端供电低压电路反馈电压环路增益降压模块控制误差中高频可用芯片占用输出

[发明专利]一种高电源抑制比基准源电路-CN201710904741.6有效
发明人：孙刚;张翼;邵珠雷 -专利权人：许昌学院
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种高电源抑制比基准源电路，其包括偏置电路模块，基准发生电路模块及修正调节电路模块；偏置电路模块为基准发生电路模块提供偏置电流，保证基准发生电路模块的稳定工作；基准发生电路模块产生并输出高电源抑制比的基准电压；修正调节电路模块将修正调节参数输入电路，以进一步保证输出基准电压的精准及稳定；本发明电路采用全MOS结构，并设置了两条反馈回路，有效增加了电路的反馈增益及电源抑制比，在基准源电路的输出端，本发明设置了由MOS管连接构成的低通滤波器，在提高电源抑制比的同时，又有效减小了电路的功耗。
一种电源抑制基准电路

[实用新型]高电源电压抑制比带隙基准源及模拟/数模混合芯片-CN201220066332.6有效
发明人：徐敏;肖君宇;谢文刚;任民 -专利权人：成都国微电子有限公司
申请日： 2012-02-27 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型公开一种高电源电压抑制比带隙基准源，包括电源切换模块、带隙基准源及低压差线性稳压源，其中：电源切换模块一输入端接入外部电源，输出端接带隙基准源输入端；带隙基准源输出端接低压差线性稳压源输入端；低压差线性稳压源输出端反馈接入电源切换模块另一输入端；并且，带隙基准源和低压差线性稳压源分别向电源切换模块提供使能信号，用以电源切换模块在逻辑判断后切换供电模式，给带隙基准源提供外部电源电压或低压差线性稳压源电压本实用新型还公开一种模拟/数模混合芯片，设有上述高电源电压抑制比带隙基准源。本实用新型通过供电开关作用，使基准电源的抑制比得到很大改善，可以满足低功耗、高电源电压抑制比设计需求。
电源电压抑制基准模拟数模混合芯片