“黄敬馨”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果21个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]数模转换电路和数模转换器-CN202011372748.6在审
发明人： 黄敬馨;李林旭;宋阳;赵鹏 -专利权人：深圳市国微电子有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H03M1/66 文献下载
摘要：本申请公开了一种数模转换电路和数模转换器，通过电源电路输出第一电流，转换电路将第一电流转换成第一电压，且在接收到第一输入信号时输出的第一电压的电压值由第一数值递增变化至第二数值，且在接收到第二输入信号时输出的第一电压的电压值由第二数值递减变化至第一数值，钳位电路根据第一电压输出钳位电流，输出电路根据钳位电流输出电压模拟量，本申请的数模转换电路通过将单个小电流放大成大电流从而实现对输出的电压模拟量的放大，解决了传统方案中存在的难以对多个小电流源进行匹配、对多个小电流源进行匹配成本高以及多个小电流匹配度不高导致的性能差的问题，以及通过控制输出的电压模拟量的上升/下降变化时间，提高了输出的稳定性。
数模转换电路数模转换器

[实用新型]一种带隙基准电路-CN201922187607.6有效
发明人： 黄敬馨;章国豪;刘祖华 -专利权人：东莞赛唯莱特电子技术有限公司;广州穗源微电子科技有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本实用新型公开一种带隙基准电路，包括产生单元、电源抑制比提高单元、偏置单元电路，所述产生单元包括一个基本电流镜带隙基准电路结构，所述电源抑制比提高单元包括一运算放大器，所述运算放大器包括第一输入端、第二输入端和输出端，所述偏置电路包括一PMOS管，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一三极管、第二三极管、第一电阻以及第二电阻，第二电阻与第三PMOS管的漏极连接处为基准电压输出端；本实用新型的有益效果是，达到了使正负输入端电压更为一致的效果，使得带隙基准电路的精度进一步提高。
一种基准电路

[实用新型]一种高电源抑制比的带隙电压源结构-CN201922187608.0有效
发明人： 黄敬馨;章国豪;刘祖华 -专利权人：东莞赛唯莱特电子技术有限公司;广州穗源微电子科技有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高电源抑制比的带隙电压源结构，包括产生单元，电源抑制比提高单元以及偏置单元。电源抑制比提高单元利用放大器做钳位以及局部电压反馈来提高电源抑制比。采用电流镜形式的带隙电压源作为基础结构，通过使用放大器电流镜钳位，来解决了传统带隙电压源的由于沟道长度调制效应引起的问题。同时为了提高电源抑制比，将输出端连接到电流镜的电源端，构成一个局部电压反馈，使得电流镜的电源端不直接受电源电压的影响而改变，从而大大提高了传统电流镜形式结构带隙基准电路的电源抑制比。
一种电源抑制电压结构

[实用新型]一种两级堆叠结构的射频功率放大器-CN201620081361.8有效
发明人：林俊明;章国豪;张志浩;余凯;黄敬馨;区力翔 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2016-01-26 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种两级堆叠结构的射频功率放大器，包括输入匹配电路，输出宽带匹配电路，以及通过级间匹配电路级联组成的两级放大器电路，两级放大器电路的前级为驱动级，后级为功率级；射频信号源通过输入匹配电路连接驱动级最底层晶体管的栅极，驱动级最上层的晶体管的漏极连接所述级间匹配电路的一端，级间匹配电路的另一端连接功率级最底层晶体管的栅极，功率级最上层的晶体管的漏极通过输出宽带匹配电路连接负载。本电路能提高功率放大器的耐压能力、输出电压摆幅、工作带宽、功率效率、功率增益和最大输出功率，并有着较好的谐波抑制效果。
一种两级堆叠结构射频功率放大器

[实用新型]自补偿定向耦合器-CN201620332818.8有效
发明人：蔡秋富;章国豪;李嘉进;黄敬馨;陈景涛;林俊明 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01P5/18 文献下载
摘要：本实用新型公开一种自补偿定向耦合器，包括多层基板、主线路和副线路，所述主线路和副线路位于多层基板中不同的层，所述主线路中的射频信号被耦合到副线路中，所述副线路为Z形结构。本实用新型提出了一种新的“Z形”耦合器结构，把副线路设计为“Z形”，此结构能自动补偿因耦合器生产时由制造工艺偏差造成的多层基板的层与层间的主线路和副线路的不对齐，能有效稳定批量生产时耦合器的耦合度和方向性等性能指标在期望的范围之内。本实用新型结构简单，便于实现，能有效与射频电路融合。
补偿定向耦合器

[实用新型]用于手机的功率放大封装组件-CN201620335610.1有效
发明人：区力翔;章国豪;黄敬馨;朱晓锐;余凯;林俊明 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于手机的功率放大封装组件，包括手机电路板和功率放大模组，功率放大模组设在手机电路板上且与手机电路板电连接，功率放大模组上罩有射频屏蔽散热罩。所述功率放大模组包括功率放大芯片、控制芯片和开关芯片。所述功率放大模组的顶面与射频屏蔽散热罩之间设有导热层。由于在功率放大模组上罩有射频屏蔽散热罩，能增强率放大模组到上方的导热能力，同时大大缩小占用的空间，使这种顶部散热技术能提高小型的设备上功率放大模块的散热能力；还可以屏蔽射频芯片的电磁波，让其他芯片不会受到射频芯片的电磁波干扰。
用于手机功率放大封装组件

[发明专利]线性度改进型混频器-CN201610247200.6在审
发明人：区力翔;章国豪;黄敬馨;朱晓锐;余凯;林俊明 -专利权人：佛山臻智微芯科技有限公司
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H03D7/14 文献下载
摘要：本发明属于混频器技术领域，尤其涉及线性度改进型混频器。线性度改进型混频器，包括吉尔伯特混频器，吉尔伯特混频器包括跨导输入级、本振输入级和输出级，其特征在于：所述的跨导输入级和本振输入级之间设有第一节点和第二节点，所述的第一节点和第二节点上连接了线性化电路，所述的线性化电路为负反馈电路使第一节点和第二节点的共模电压保持稳定。本发明有益效果在于：吉尔伯特混频器通过外加线性化电路使得静态工作点更加稳定，从而提高了混频器的线性度。
线性改进型混频器

[发明专利]一种实现锁相环快速锁定的结构和方法-CN201610251514.3在审
发明人： 黄敬馨;章国豪;区力翔;唐杰;林俊明;李思臻 -专利权人：佛山臻智微芯科技有限公司
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H03L7/085 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现锁相环快速锁定的结构，包括由相位比较器、环路滤波器、控制开关、压控振荡器、数字分频器顺序相连组成的锁相环，以及连接并调节控制所述压控振荡器、数字分频器和控制开关的控制模组；所述结构还包括与相位比较器相连的主振荡器，与所述数字分频器和控制模组相连的频率选择器，以及与所述控制模组相连的重置电路；本发明还提供一种通过上述结构实现锁相环快速锁定的方法，使得在不需要断开开关情况下，对锁相环进行自动频率校正，缩短了锁定时间，达到了快速锁定的目的；当工作频率的改变超过快捕带时，并不需要进行开环校正过程就可以捕捉到所需频率，实现了快速捕捉。
一种实现锁相环快速锁定结构方法

[实用新型]一种实现锁相环快速锁定的结构-CN201620340521.6有效
发明人： 黄敬馨;章国豪;区力翔;唐杰;林俊明;李思臻 -专利权人：佛山臻智微芯科技有限公司
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H03L7/085 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种实现锁相环快速锁定的结构，包括由相位比较器、环路滤波器、控制开关、压控振荡器、数字分频器顺序相连组成的锁相环，以及连接并调节控制所述压控振荡器、数字分频器和控制开关的控制模组；所述结构还包括与相位比较器相连的主振荡器，与所述数字分频器和控制模组相连的频率选择器，以及与所述控制模组相连的重置电路。使得在不需要断开开关情况下，对锁相环进行自动频率校正，缩短了锁定时间，达到了快速锁定的目的；当工作频率的改变超过快捕带时，并不需要进行开环校正过程就可以捕捉到所需频率，实现了快速捕捉。
一种实现锁相环快速锁定结构

[实用新型]一种提高带隙基准电源抑制比的预稳压电路-CN201620332680.1有效
发明人：唐杰;章国豪;陈忠学;黄敬馨;余凯 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型公开一种提高带隙基准电源抑制比的预稳压电路，包括启动电路、PTAT电流电路和带隙基准电压产生模块，PTAT电流电路包括PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7、PMOS管M8、晶体管Q1、晶体管Q2和电阻R1；带隙基准电压产生模块包括PMOS管M9、NMOS管M10、PMOS管M11、PMOS管M12、NMOS管M13、NMOS管M14和NMOS管M15。本方案通过预稳压技术先将电源电压的噪声波动去除一部分，然后将稳压过后的电压作为带隙基准的电源电压来提高电路的电源抑制比，在预稳压技术里通过采用负反馈的方法提高了VOUT到电源电压的阻抗，进一步提高电源抑制比。
一种提高基准电源抑制稳压电路

[实用新型]减低移动通信多级功率放大器中带内噪声的结构-CN201620340492.3有效
发明人： 黄敬馨;章国豪;区力翔;唐杰;林俊明;李思臻 -专利权人：佛山臻智微芯科技有限公司
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种减低移动通信多级功率放大器中带内噪声的结构，包括功率放大器芯片、塑封材料、基板和射频屏蔽罩，功率放大器芯片焊接在所述基板上；射频屏蔽罩，功率放大器芯片和基板之间填有塑封材料，放大器芯片的顶面贴覆有导热材料，射频屏蔽罩覆盖贴覆在导热材料和塑封材料的上面。本实用新型是通过封装结构，利用射频屏蔽罩作为功率放大器芯片的散热器，使芯片散热更快，从而使得器件的热噪声下降，减少了带内噪声。
减低移动通信多级功率放大器中带内噪声结构

[实用新型]一种频分复用无线通信系统-CN201620332676.5有效
发明人： 黄敬馨;章国豪;区力翔;蔡秋富;余凯;李思臻 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本实用新型公开一种频分复用无线通信系统，包括电源、天线、频分复用无线通信电路板、功率放大模组，功率放大模组包括功率放大芯片、控制芯片和开关芯片，还包括导热垫片和射频屏蔽散热罩，导热垫片设在功率放大芯片、控制芯片或开关芯片的顶部，所述导热垫片与功率放大芯片、控制芯片或开关芯片之间设有导热膜，射频屏蔽散热罩将功率放大模组罩住，所述导热垫片、功率放大芯片、控制芯片或开关芯片与射频屏蔽散热罩的顶面之间设有导热膜。由本实用新型是通过现有的封装技术所做出的改进，没有改变电路的复杂性，确保了制作的稳定性。本实用新型是通过封装的方法为低噪声放大器增加一条散热路径，使得温度降低，从而减少热噪声。
一种频分复用无线通信系统

[发明专利]应用于无线通信收发机系统的改进型吉尔伯特混频器-CN201610247216.7在审
发明人：区力翔;章国豪;黄敬馨;朱晓锐;余凯;林俊明 -专利权人：佛山臻智微芯科技有限公司
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H03D7/12 文献下载
摘要：本发明属于无线通信收发机系统，具体涉及改进型吉尔伯特混频器。应用于无线通信收发机系统的改进型吉尔伯特混频器，包括吉尔伯特混频器，吉尔伯特混频器包括跨导输入级、本振输入级和输出级，其特征在于：所述的跨导输入级和本振输入级之间设有第一节点和第二节点，所述的第一节点和第二节点上连接了线性化电路，所述的线性化电路为负反馈电路使第一节点和第二节点的共模电压保持稳定。本发明有益效果在于：吉尔伯特混频器通过外加线性化电路使得静态工作点更加稳定，从而提高了混频器的线性度。
应用于无线通信收发系统改进型吉尔混频器

[发明专利]减低移动通信多级功率放大器中带内噪声的结构和方法-CN201610250549.5在审
发明人： 黄敬馨;章国豪;区力翔;唐杰;林俊明;李思臻 -专利权人：佛山臻智微芯科技有限公司
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种减低移动通信多级功率放大器中带内噪声的结构，包括功率放大器芯片、塑封材料、基板和射频屏蔽罩，功率放大器芯片焊接在所述基板上；射频屏蔽罩，功率放大器芯片和基板之间填有塑封材料，放大器芯片的顶面贴覆有导热材料，射频屏蔽罩覆盖贴覆在导热材料和塑封材料的上面。封装方法为，将功率放大器芯片焊接到基板上，在功率放大器芯片的顶面贴覆导热材料；用塑封材料进行填塑，并使得塑封材料的顶面与功率放大器芯片上的导热材料的顶面齐平。本发明是通过封装的方法，利用射频屏蔽罩作为功率放大器芯片的散热器，使芯片散热更快，从而使得器件的热噪声下降，减少了带内噪声。
减低移动通信多级功率放大器中带内噪声结构方法

[发明专利]自补偿定向耦合器-CN201610246357.7在审
发明人：蔡秋富;章国豪;李嘉进;黄敬馨;陈景涛;林俊明 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01P5/18 文献下载
摘要：本发明公开一种自补偿定向耦合器，包括多层基板、主线路和副线路，所述主线路和副线路位于多层基板中不同的层，所述主线路中的射频信号被耦合到副线路中，所述副线路为Z形结构。本发明提出了一种新的“Z形”耦合器结构，把副线路设计为“Z形”，此结构能自动补偿因耦合器生产时由制造工艺偏差造成的多层基板的层与层间的主线路和副线路的不对齐，能有效稳定批量生产时耦合器的耦合度和方向性等性能指标在期望的范围之内。本发明结构简单，便于实现，能有效与射频电路融合。
补偿定向耦合器

1
2
下一页»
尾页
共 21 条