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[发明专利]射频开关电路及射频电路-CN202210239493.9有效
发明人：赵奂;陈忠学 -专利权人：康希通信科技（上海）有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：一种射频开关电路及射频电路，电路包括第一HEMT晶体管、第一隔直电容和漏电流抑制模块；第一HEMT晶体管的源端和漏端，其中一端通过第一隔直电容连接第一接入端，另一端连接第二接入端，第一HEMT晶体管的栅端连接第一使能控制信号，用于根据第一使能控制信号控制第一HEMT晶体管导通或关断；漏电流抑制模块的第一端与第一隔直电容的一端连接、漏电流抑制模块的第二端与第一隔直电容的另一端连接、漏电流抑制模块的第三端接收第二使能控制信号，用于根据第二使能控制信号在第一HEMT晶体管关断时，抬高第一HEMT晶体管的源/漏端电位，以降低第一HEMT晶体管的栅端漏电流。通过增加漏电流抑制模块可以降低第一HEMT晶体管的栅端漏电流。
射频开关电路电路

[发明专利]一种基于神经网络的三轴MEMS磁强计自主标定方法-CN202310383690.2在审
发明人： 陈忠学 -专利权人： 陈忠学
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01C25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于神经网络的三轴MEMS磁强计自主标定方法，包含步骤1‑步骤10，本方法可对三轴MEMS磁强计的零位偏差、灵敏度因子与非正交因子进行标定，标定模型精度高；采用自主的六面体数据采集方法，根据三轴MEMS加计信息自主判定旋转轴；根据磁力计测量信息均分布自主遍历采集样本数据的方法，提高样本数据的多样性，用以解决现有技术导致的缺陷。
一种基于神经网络 mems 磁强计自主标定方法

[发明专利]射频开关的辅助控制电路以及射频开关的逻辑转换电路-CN202310192502.8有效
发明人： 陈忠学;赵奂 -专利权人：康希通信科技（上海）有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H03K17/041 文献下载
摘要：本申请实施例提供的射频开关的辅助控制电路以及射频开关的逻辑转换电路，包括上拉模块、下拉模块、复位模块、第一电容、第二电容以及射频晶体管。其中，上拉模块可以快速上拉射频晶体管的栅极的电位，从而可以使射频晶体管快速打开。另外，下拉模块可以快速下拉射频晶体管的栅极的电位，从而可以使射频晶体管快速关闭。因此，采用本申请实施例的射频开关的辅助控制电路可以快速使射频晶体管快速打开以及关闭，而射频晶体管作为控制逻辑信号传输的射频开关，射频晶体管的打开关闭速度得到了提升，即相当于射频开关的逻辑信号转换速度得到了提升。
射频开关辅助控制电路以及逻辑转换电路

[发明专利]一种拼接式建筑钢架装配结构及其装配方法-CN202210288179.X在审
发明人： 陈忠学 -专利权人： 陈忠学
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： E04B1/24 文献下载
摘要：本发明涉及建筑钢架技术领域，且公开了一种拼接式建筑钢架装配结构及其装配方法，该拼接式建筑钢架装配结构，包括两个钢架构件，两个钢架构件内均设置有第一安装机构和第二安装机构用于固定两个钢架构件；第一安装机构包括第一滑槽、第一滑块和第一复位弹簧；第一滑槽开设于钢架构件内；该拼接式建筑钢架装配结构及其装配方法，与传统的建筑钢架在固定两个呈斜角设置的钢架构件时，由于斜接的应力变化导致两个钢架构件固定不够牢固的拼接方式相比，通过两个第一滑块的卡合，以及第一固定板和第二固定板卡合在两个钢架构件的表面，可以将两个钢架构件呈斜角设置的钢架构件拼接起来，并且固定十分牢固。
一种拼接建筑钢架装配结构及其方法

[发明专利]一种前馈补偿推挽式运算放大器-CN201610246260.6有效
发明人： 陈忠学;章国豪;李思臻;余凯;黄亮 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H03F1/48 文献下载
摘要：本发明公开一种前馈补偿推挽式运算放大器，包括差分第一增益级电路、差分第二增益级电路和推挽式结构的前馈频率补偿电路，差分第一增益级电路与差分第二增益级电路串接后与推挽式结构的前馈频率补偿电路并联。推挽式结构的前馈频率补偿电路由推挽结构的PMOS管M1a和NMOS管M1b、推挽结构的PMOS管M2a和NMOS管M2b以及提供尾电流的NMOS管M3构成。由于本发明采用推挽式结构的前馈频率补偿电路，来取代传统极点分离密勒补偿技术，保证了电路系统稳定的同时，大大提高了系统的带宽，没有使用电容，芯片的面积也大大缩小。
一种补偿推挽式运算放大器

[实用新型]逻辑门电路-CN201920171779.1有效
发明人： 陈忠学;何山暐;赵奂 -专利权人：康希通信科技（上海）有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种逻辑门电路，包括：第一类型第一phemt第一连接端和第二类型第一phemt第一连接端接工作电压，第一类型第一phemt第二连接端通过电阻连接其第三连接端，第一类型第一phemt第三连接端通过电阻分别连接第二类型第一phemt第二连接端和第二类型第二phemt第一连接端，第二类型第一phemt第三连接端和第二类型第三phemt第一连接端相连作为该逻辑门电路输出端，第二类型第二phemt第二连接端和第二类型第三phemt第二连接端相连作为该逻辑门电路输入端，第二类型第二phemt第三连接端和第二类型第三phemt第三连接端连接地。本相比现有技术，本实用新型的功耗更低，本实用新型的驱动能力更强。
连接端逻辑门电路本实用新型连作电阻连接工作电压驱动能力输出端输入端电阻功耗

[发明专利]逻辑门电路-CN201910097432.1在审
发明人： 陈忠学;何山暐;赵奂 -专利权人：康希通信科技（上海）有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种逻辑门电路，包括：第一类型第一phemt第一连接端和第二类型第一phemt第一连接端接工作电压，第一类型第一phemt第二连接端通过电阻连接其第三连接端，第一类型第一phemt第三连接端通过电阻分别连接第二类型第一phemt第二连接端和第二类型第二phemt第一连接端，第二类型第一phemt第三连接端和第二类型第三phemt第一连接端相连作为该逻辑门电路输出端，第二类型第二phemt第二连接端和第二类型第三phemt第二连接端相连作为该逻辑门电路输入端，第二类型第二phemt第三连接端和第二类型第三phemt第三连接端连接地。本相比现有技术，本发明的功耗更低，本发明的驱动能力更强。
连接端逻辑门电路连作电阻连接工作电压驱动能力输出端输入端电阻功耗

[发明专利]一种前馈补偿式跨导运算放大器-CN201610247218.6有效
发明人： 陈忠学;章国豪;林俊明;何全;唐杰;余凯;黄亮 -专利权人：佛山臻智微芯科技有限公司
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H03F1/14 文献下载
摘要：本发明公开一种前馈补偿式跨导运算放大器，包括差分第一增益级电路、差分第二增益级电路和前馈频率补偿电路，差分第一增益级电路与差分第二增益级电路串接后与前馈频率补偿电路并联。前馈频率补偿电路为折叠式共源共栅结构前馈频率补偿电路，该前馈频率补偿电路包括：共源共栅结构的PMOS管M3、NMOS管M1；共源共栅结构的PMOS管M6、NMOS管M4；PMOS管M2、M5以及提供尾电流的NMOS管M7、M8、M9。由于本发明采用折叠式共源共栅结构前馈频率补偿电路，来取代传统极点分离密勒补偿技术，保证了电路系统稳定的同时，大大提高了系统的带宽，没有使用电容，芯片的面积也大大缩小。
一种补偿式跨导运算放大器

[发明专利]一种无运放超低温漂的带隙基准电路-CN201610246320.4有效
发明人： 陈忠学;章国豪;唐杰;余凯 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开一种无运放超低温漂带隙基准电路，包括正温度系数电路、负温度系数电路和高阶补偿电路,所述正温度系数电路包括各自组成共源共栅对的PMOS管M1a与PMOS管M1b、NMOS管M2a与NMOS管M2b、PMOS管M3a与PMOS管M3b、PMOS管M4a与PMOS管M4b、NMOS管M5a与NMOS管M5b、NMOS管M6a与NMOS管M6b，电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4，NPN型三极管Q1、NPN型三极管Q2。使用该基准电路大大降低了输出基准电压的温度系数，提高了基准电压源的输出基准电压范围。
一种无运放超低温基准电路

[发明专利]一种无运放高阶温漂补偿的带隙基准电路-CN201610246332.7有效
发明人： 陈忠学;章国豪;何全;余凯 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开一种无运放高阶温漂补偿的带隙基准电路，包括正温度系数电路、负温度系数电路和高阶补偿电路；所述正温度系数电路包括PMOS管M1a、PMOS管M1b、PMOS管M2a、PMOS管M2b、PMOS管M3a、PMOS管M3b、PMOS管M8a、PMOS管M8b，NMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6。述负温度系数电路包括PMOS管M7a、PMOS管M7b、PMOS管M9a、PMOS管M9b，NPN型三极管Q3。使用无运算放大器高阶补偿基准电路降低了输出基准电压的温度系数，共源共栅结构电流镜提高了输出基准电压的电源抑制比（PSRR）。
一种无运放高阶温漂补偿基准电路

[实用新型]一种无运放超低温漂的带隙基准电路-CN201620332700.5有效
发明人： 陈忠学;章国豪;唐杰;余凯 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本实用新型公开一种无运放超低温漂带隙基准电路，包括正温度系数电路、负温度系数电路和高阶补偿电路,所述正温度系数电路包括各自组成共源共栅对的PMOS管M1a与PMOS管M1b、NMOS管M2a与NMOS管M2b、PMOS管M3a与PMOS管M3b、PMOS管M4a与PMOS管M4b、NMOS管M5a与NMOS管M5b、NMOS管M6a与NMOS管M6b，电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4，NPN型三极管Q1、NPN型三极管Q2。使用该基准电路大大降低了输出基准电压的温度系数，提高了基准电压源的输出基准电压范围。
一种无运放超低温基准电路

[实用新型]一种无运放高阶温漂补偿的带隙基准电路-CN201620332710.9有效
发明人： 陈忠学;章国豪;何全;余凯 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本实用新型公开一种无运放高阶温漂补偿的带隙基准电路，包括正温度系数电路、负温度系数电路和高阶补偿电路；所述正温度系数电路包括：PMOS管M1a、PMOS管M1b、PMOS管M2a、PMOS管M2b、PMOS管M3a、PMOS管M3b、PMOS管M8a、PMOS管M8b，NMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6。述负温度系数电路包括：PMOS管M7a、PMOS管M7b、PMOS管M9a、PMOS管M9b，NPN型三极管Q3。使用无运算放大器高阶补偿基准电路降低了输出基准电压的温度系数，共源共栅结构电流镜提高了输出基准电压的电源抑制比（PSRR）。
一种无运放高阶温漂补偿基准电路

[实用新型]基于慢波结构的等分威尔金森功分器-CN201620078217.9有效
发明人：林俊明;章国豪;张志浩;余凯;陈忠学;蔡秋富;朱晓锐 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2016-01-26 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于慢波结构的等分威尔金森功分器及其设计方法，包括连接有负载的第一第二和第三端口，第一和第二等效传输线，以及隔离电阻；第一等效传输线和第二等效传输线均由多个独立的慢波结构最小单元构成周期性加载的慢波结构，慢波结构最小单元由传输线部和开路传输线部组成。本实用新型利用周期性加载的慢波微带线结构，实现一种体积小且适合工作于高频段的等分威尔金森功分器。该电路结构不仅实现了较大程度减小功分器的体积，而且在高频上还有些平坦的色散特性。本实用新型还提供了一种所述基于慢波结构的等分威尔金森功分器的电路参数设计方法。
基于结构等分威尔金森功分器

[实用新型]一种倒装芯片模组-CN201620332613.X有效
发明人：黄亮;章国豪;何全;陈忠学;唐杰;余凯 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开一种倒装芯片模组，包括封装基板、倒装芯片、热导体和注塑模具框，倒装芯片具有集成电路且安装在封装基板上，所述封装基板设在电路板上，注塑模具框设在倒装芯片的外围，通过注塑将注塑模具框、倒装芯片封装在封装基板上，注塑模具框使注塑材料不覆盖倒装芯片的顶面，热导体紧贴在倒装芯片的顶面。本实用新型封装基板与倒装芯片之间通过焊盘和连接凸点进行电连接，由于增大了封装基板与倒装芯片的接触面积，从而提高了热传递的能力，增强了散热效果；由于利用注塑模具框进行封装，大大方便了操作，简化封装工艺，避免了传统的封装工艺将整个芯片封住的现象，故减少了将芯片顶部遮住的封装材料去除的工序。
一种倒装芯片模组

[实用新型]一种前馈补偿式跨导运算放大器-CN201620334245.2有效
发明人： 陈忠学;章国豪;林俊明;何全;唐杰;余凯;黄亮 -专利权人：佛山臻智微芯科技有限公司
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H03F1/14 文献下载
摘要：本实用新型公开一种前馈补偿式跨导运算放大器，包括差分第一增益级电路、差分第二增益级电路和前馈频率补偿电路，差分第一增益级电路与差分第二增益级电路串接后与前馈频率补偿电路并联。前馈频率补偿电路为折叠式共源共栅结构前馈频率补偿电路，该前馈频率补偿电路包括：共源共栅结构的PMOS管M3、NMOS管M1；共源共栅结构的PMOS管M6、NMOS管M4；PMOS管M2、M5以及提供尾电流的NMOS管M7、M8、M9。由于本实用新型采用折叠式共源共栅结构前馈频率补偿电路，来取代传统极点分离密勒补偿技术，保证了电路系统稳定的同时，大大提高了系统的带宽，没有使用电容，芯片的面积也大大缩小。
一种补偿式跨导运算放大器

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