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[发明专利]形成金属化合物薄膜的方法-CN201010274968.5无效
发明人：何伟业;胡宇慧 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-09-03 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成金属化合物薄膜的方法，包括：提供前端器件结构，将前端器件结构置于反应腔室内的底部，反应腔室具有溅射装置和电感耦合等离子体装置，溅射装置具有位于反应腔室内的顶部的靶，电感耦合等离子体装置用于在前端器件结构表面的区域形成等离子体区域；采用溅射装置在前端器件结构上形成由靶的材料构成的靶材料薄膜；在溅射装置关闭且在电感耦合等离子体装置开启的情况下通入反应气体使反应气体与靶材料薄膜反应，以形成金属化合物薄膜。
形成金属化合物薄膜方法

[发明专利]一种利用电感耦合等离子体技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法-CN201811213111.5有效
发明人：朱嘉琦;舒国阳;代兵;杨磊;李一村;刘雪冬;刘康;孙明琪;王杨;赵继文;姚凯丽;刘本建;王伟华;薛晶晶;韩杰才 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L21/36 文献下载
摘要：一种利用电感耦合等离子体技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法，本发明涉及单晶金刚石籽晶缺陷的消除方法。方法：一、单晶金刚石籽晶清洗；二、制备遮挡掩体；三、放置样品；四、关舱；五、抽真空；六、电感耦合等离子体处理。本发明用于一种利用电感耦合等离子体技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法。
一种利用电感耦合等离子体技术消除金刚石籽晶表面缺陷方法

[实用新型]高纯盐酸中金属离子的含量测定装置-CN202021161453.X有效
发明人：王明;王晶;沈飞 -专利权人：无锡东风新能源科技有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G01N21/73 文献下载
摘要：本实用新型涉及高纯盐酸领域，尤其为高纯盐酸中金属离子的含量测定装置，包括电感耦合等离子体原子发射光谱仪和观察窗，所述电感耦合等离子体原子发射光谱仪与观察窗固定连接，所述电感耦合等离子体原子发射光谱仪前端面固定连接有固定架，所述固定架内侧设有固定杆，所述固定杆与固定架固定连接，本实用新型中，通过设置的固定杆、发条弹簧、遮挡布和卡槽，当电感耦合等离子体原子发射光谱仪不使用时，工作人员通过拉动推板带动遮挡布运动，把推板拉动到固定架的最右端
高纯盐酸金属离子含量测定装置

[发明专利]等离子体处理装置及其驱动方法-CN201910907010.6有效
发明人：铃木泰雄;渡邉正则 -专利权人：等离子体成膜有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明为一种等离子体处理装置及其驱动方法，其抑制天线导体与盖体之间所产生的等离子体来防止真空室内的污染，并且使长尺寸天线单元实用化，包括收容被处理物的真空室、用于使所述真空室内产生等离子体的电感耦合型天线单元、以及朝所述电感耦合型天线单元供给高频电力的高频电源，所述电感耦合型天线单元具有一个或多个天线导体、及关闭形成在所述真空室的壁面的开口的盖体，所述一个或多个天线导体不经由引起放电的间隙而安装在所述盖体。
等离子体处理装置及其驱动方法

[发明专利]基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置及抛光方法-CN201811116072.7在审
发明人：邓辉;张翊 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及单晶材料抛光技术领域，公开了一种基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置及抛光方法。本发明的基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置包括矩管，矩管包括第一发生管、设于第一发生管外的第二发生管以及设于第二发生管外的第三发生管；与第二发生管及第三发生管连通的惰性气体提供装置；与第一气体发生管连通的刻蚀气体提供装置；与矩管连通的电火花发生器；电感线圈，矩管的出口设于电感线圈内，其连接有射频电源。本发明的基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光方法基于上述抛光装置。本发明的基于电感耦合等离子体体的单晶材料抛光装置及抛光方法具有去除速率快、不引入亚表面损伤、不需要磨浆、不需要后清洗的优点。
发生管单晶材料电感耦合等离子体抛光装置抛光矩管连通电感线圈提供装置电火花发生器抛光技术领域亚表面损伤惰性气体刻蚀气体气体发生射频电源磨浆去除清洗引入出口

[发明专利]电感耦合等离子体和聚焦离子束刻蚀的微光开关加工方法-CN202110005187.4有效
发明人：代俊;张崇飞;徐浩然;谢晋;熊壮;唐彬;黄金红;廖运来 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种电感耦合等离子体和聚焦离子束刻蚀的微光开关加工方法。包括两个方面：首先，利用基于电感耦合等离子体(ICP)技术的双面ICP刻蚀工艺加工SOI晶圆得到反射镜表面粗糙度较大的微光开关；然后，利用基于聚焦离子束技术的加工工艺刻蚀微光开关反射镜表面，完成对反射镜表面的微细加工基于电感耦合等离子体技术加工微光开关和聚焦离子束刻蚀微光开关反射镜表面相结合的工艺可以有效改善微光开关反射镜表面的粗糙度，提高光路的传输效率。
电感耦合等离子体聚焦离子束刻蚀微光开关加工方法

[发明专利]电感耦合等离子体处理装置-CN202010026911.7有效
发明人：齐藤均;佐佐木和男;里吉务;东条利洋 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种电感耦合等离子体处理装置。利用使用了金属窗而生成的电感耦合等离子体进行等离子体控制性更高且均匀性更高的等离子体处理。具备：处理容器；载置台，其载置矩形基板；矩形形状的金属窗，其构成处理容器的顶壁，与处理容器电绝缘；以及天线单元，其设于金属窗的上方，在处理容器内生成电感耦合等离子体，金属窗被第1分割分割成电绝缘的分割区域
电感耦合等离子体处理装置

[发明专利]一种电感耦合式射频等离子体源-CN201510182364.0有效
发明人：郭方准;孙秀宇;侯宾宾;薛冬冬;游燕;臧侃;董华军 -专利权人：大连交通大学
申请日： 2015-04-16 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种电感耦合式射频等离子体源，包括反应气体导入机构、等离子体发生机构、水冷机构、屏蔽机构和支撑连接机构，所述反应气体导入机构、等离子体发生机构、水冷机构和屏蔽机构通过支撑连接机构连接。该装置中的电感线圈在射频电流的驱动下，激发变化的磁场感生回旋电场。电子在有旋电场的加速下作回旋运动，与反应源气体分子碰撞将其电离。由于电子的回旋运动增加了与气体分子的碰撞，射频等离子体源可产生密度较高的等离子体，而且设备结构简单，能独立控制离子能量和等离子体密度。 1
射频等离子体源等离子体等离子体发生支撑连接机构电感耦合式电场导入机构反应气体回旋运动屏蔽机构水冷机构气体分子碰撞电感线圈独立控制离子能量气体分子射频电流设备结构电离反应源感生磁场驱动激发

[实用新型]一种电感耦合式射频等离子体源-CN201520232324.8有效
发明人：郭方准;孙秀宇;侯宾宾;薛冬冬;游燕;臧侃;董华军 -专利权人：大连交通大学
申请日： 2015-04-16 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电感耦合式射频等离子体源，包括反应气体导入机构、等离子体发生机构、水冷机构、屏蔽机构和支撑连接机构，所述反应气体导入机构、等离子体发生机构、水冷机构和屏蔽机构通过支撑连接机构连接。该装置中的电感线圈在射频电流的驱动下，激发变化的磁场感生回旋电场。电子在有旋电场的加速下作回旋运动，与反应源气体分子碰撞将其电离。由于电子的回旋运动增加了与气体分子的碰撞，射频等离子体源可产生密度较高的等离子体，而且设备结构简单，能独立控制离子能量和等离子体密度。
一种电感耦合射频等离子体

[发明专利]等离子体及其使用方法-CN200680006366.3有效
发明人：彼得·J·莫理斯罗 -专利权人：魄金莱默有限公司
申请日： 2006-03-10 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： B23K9/00 文献下载
摘要：这项发明揭示等离子体装置和在分析测试中使用这样的等离子体装置的方法。在特定的例子中，低流量等离子体可以使用小于每分钟大约五公升的总氩气流量操作，而且在一些实施方案中，等离子体氩气流量小于大约每分钟四公升。在其它的例子中，揭示使用电感和电容耦合产生的等离子体。
等离子体及其使用方法

[发明专利]一种临近空间气压条件下高效射频等离子体放电装置-CN201911257161.8在审
发明人：胡馨月;苌磊 -专利权人：四川大学
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种临近空间气压条件下高效射频等离子体放电装置，包括石英管、一号螺旋电感天线、二号螺旋电感天线、阻抗匹配器和等离子体源，石英管的两端开口，石英管的一端与气源相接，石英管的另一端与真空泵相接，所述等离子体源与阻抗匹配器相连，阻抗匹配器设置于一号螺旋电感天线和二号螺旋电感天线相连的电路上，在阻抗匹配器与一号螺旋电感天线之间的电路上设有示波器；一号螺旋电感天线和二号螺旋电感天线分别以感性耦合方式螺旋缠绕在石英管上，所述一号螺旋电感天线和二号螺旋电感天线之间以容性耦合方式阻断，形成等离子体射流。本发明所述射频等离子体放电装置，在现有电源参数水平条件下，该天线可在0‑2500Pa稳定放电，电离效率高。
一种临近空间气压条件下高效射频等离子体放电装置

[发明专利]用于多电极电感等离子体源的无源功率分配-CN201080006340.5无效
发明人： D·C·卡特;V·L·布劳克 -专利权人：先进能源工业公司
申请日： 2010-02-02 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明公开一种用于控制处理腔室中等离子体的空间分布的系统、方法和装置。示例性系统包括设置为在所述初级电感器被有源地施加功率时激励所述等离子体的初级电感器；至少一个次级电感器，定位于邻近于所述初级电感器，以使得通过所述次级电感器的基本全部电流由所述等离子体与所述初级电感器的互感产生此外，至少一个端接元件耦合至所述至少一个次级电感器，所述至少一个端接元件影响通过所述至少一个次级电感器的电流，以影响所述等离子体的所述空间分布。
用于电极电感等离子体无源功率分配

[实用新型]一种改善等离子体启辉及稳定性的装置-CN201822167355.6有效
发明人：李雪冬;刘小波;胡冬冬;车东晨;李娜;徐康宁;陈璐;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本实用新型公开一种改善等离子体启辉及稳定性的装置，包括激励射频电源、电感耦合线圈、反应腔室、介质窗、静电卡盘和偏压射频电源，电感耦合线圈的一端口与激励射频电源连接，另一端口串联有可调电容，电感耦合线圈外圈端口到反应腔室接地端的距离小于电感耦合线圈内圈端口到反应腔室接地端的距离，且电感耦合线圈外圈端口的电压高于电感耦合线圈内圈端口的电压，本实用新型通使电感耦合线圈外圈端口的电压始终高于电感耦合线圈内圈端口的电压，这种电感耦合线圈外圈和内圈间的电压差不仅有利于等离子体启辉，扩大工艺窗口；有利于维持工艺过程中等离子体的稳定性，提高工艺重复性，由于高电压的区域位于电感耦合线圈的外圈，对晶圆表面以及刻蚀或沉积速度的影响最小。
电感耦合线圈内圈反应腔室等离子体启辉激励射频电源本实用新型接地工艺重复性中等离子体工艺窗口工艺过程晶圆表面静电卡盘可调电容偏压射频电压差高电压介质窗沉积刻蚀串联电源

[发明专利]一种可调整局部耦合强度的ICP线圈-CN200510126283.5有效
发明人：申浩南 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2005-12-02 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及电感耦合等离子体装置线圈。本发明公开的一种可调整局部耦合强度的ICP线圈，包括线圈基体，其中，线圈基体上串连若干个螺旋线圈。本发明能够任意调整线圈与等离子体局部的耦合强度，使晶片加工反应腔室中等离子体均匀分布，从而改变局部的刻蚀速率，改善晶片刻蚀均匀性。
一种可调整局部耦合强度 icp 线圈

[发明专利]用于控制谱法用等离子体的方法和装置-CN201480007759.0在审
发明人： S·哈特维尔 -专利权人：赛默电子制造有限公司
申请日： 2014-03-13 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01J49/10 文献下载
摘要：一种用于控制光学发射光谱法或质谱法用电感耦合等离子体或微波诱导等离子体的温度的方法和装置，其中测量由该等离子体发射的两条辐射光谱线的强度，并且调整所提供的用于维持该等离子体的功率以使得这些强度的比率保持基本上恒定
用于控制谱法用等离子体方法装置

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