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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于输送辅助材料的方法和辅助材料受料容器-CN201310446794.X有效
发明人：延斯·霍尔茨海默;迪特马尔·威兰 -专利权人：杜尔系统有限公司
申请日： 2008-07-04 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： B05B15/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于将新鲜辅助材料输送到过滤装置内的方法，在未处理气流通过用于从未处理气流中分离过喷材料的过滤件之前，将该辅助材料加入含有过喷湿漆的未处理气流内，过滤装置（132）包括辅助材料受料容器（176），在未处理气流（120）通过过滤件（172）期间，辅助材料受料容器（176）处于工作位置上，该方法使未处理气流更好地加载辅助材料并向过滤装置内特别有效地输送新鲜辅助材料，提出：在辅助材料受料容器处于工作位置期间本发明还涉及一种用于接受辅助材料的辅助材料受料容器及一种用于从含有过喷颗粒的未处理气流（120）中分离过喷湿漆的装置。
用于输送辅助材料方法容器

[发明专利]氮、磷除去处理方法及氮、磷除去处理装置-CN201210442497.3有效
发明人：山中理;毛受卓;吉泽直人;木内智明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C02F3/30 文献下载
摘要：一种氮、磷除去处理方法及装置，i）在氮化合物浓度超过阈值、且磷化合物浓度与阈值相等或低于它时，使DTA以高速模式驱动而成为需氧处理气氛，使需氧处理气氛中的水量对厌氧处理气氛中的水量的比率增加；ii）在氮化合物浓度与阈值相等或低于它、且磷化合物浓度超过阈值时，使DTA以低速模式驱动而成为厌氧处理气氛，使厌氧处理气氛中的水量对需氧处理气氛中的水量的比率增加；iii）在氮、磷化合物浓度超过阈值时，使污水流入量减小或将DTA从高速向低速模式切换或使驱动停止
除去处理方法装置

[发明专利]立式分批处理装置-CN200610007752.6有效
发明人：松浦广行 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-02-20 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：该装置包括：从配置于处理区域外侧的第1供给口向上述处理区域供给第1处理气体的第1处理气体供给系统；从配置于上述第1供给口与上述处理区域之间的第2供给口向上述处理区域供给第2处理气体的第2处理气体供给系统在上述第1供给口与上述第2供给口之间，配置通过激发上述第1处理气体从而生成第1活性种的等离子体生成区域。利用上述第1活性种与上述第2处理气体的反应，生成为了形成上述中间体膜而与上述半导体氧化膜反应的反应物质。
立式分批处理装置

[发明专利]制造半导体器件的装置、控制方法及制造方法-CN200610005876.0有效
发明人：元皙俊;刘龙珉;金大渊;金永勋;权大振;金元洪 -专利权人：三星电子株式会社;ASM吉尼泰克韩国株式会社
申请日： 2006-01-19 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：所述装置包：反应室，在其中对衬底进行处理以制造半导体器件；第一处理气体供应管，其将第一处理气体提供至反应室；具有第一入口、第二入口、第一出口和第二出口的4通阀，其安装在所述第一处理气体供应管处，使所述第一入口和第一出口连接至所述第一处理气体供应管；第二处理气体供应管，其连接至4通阀的第二入口，以提供第二处理气体；连接至所述4通阀的第二出口的支管；以及安装在所述支管处的闸阀。
制造半导体器件装置控制方法

[发明专利]气体供给装置、基板处理装置以及气体供给方法-CN200710006990.X有效
发明人：水泽兼悦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-01-31 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：在进行晶片处理之前，针对分流量调整单元(230)实施对分流量进行调整的压力比控制，使各处理气体用分支流路内的压力比成为目标压力比，将来自处理气体供给单元(210)的处理气体分流至第一、第二分支配管(204、206)内，当各处理气体用分支流路内的压力稳定后，将对分流量调整单元的控制切换成保持压力稳定时的一方的处理气体用分支流路内的压力而对分流量进行调整的压力恒定控制，之后，通过附加气体供给单元(220)将附加气体供给至另一方的处理气体用分支配管内
气体供给装置处理以及方法

[发明专利]用于使基材干燥的方法、用于执行该方法的干燥器模块及干燥器系统-CN201880079295.2有效
发明人： B·格拉齐尔;M·蒂特曼;V·克拉夫特;L·范里韦尔 -专利权人：贺利氏特种光源有限公司
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： B41F23/04 文献下载
摘要：用于使基材干燥的方法，包括以下步骤：(a)使用包括至少一个红外发射器的发射器单元向沿传送路径并在传送方向上移动穿过处理空间的基材发射红外辐射，(b)产生指向基材的处理气体的至少两个处理气体流，(c)通过红外辐射和处理气体在基材上的作用使基材干燥，并经由抽取导管从处理空间中抽取出含有水分的处理气体，从而形成从基材引出的废气流。根据本发明，该目的这样实现：在至少两个处理气体流作用于基材上之前将它们引导至红外发射器，并向指向基材的每个处理气体流在空间上分配从基材引出的废气流。
用于基材干燥方法执行干燥器模块系统

[发明专利]蚀刻方法和蚀刻装置-CN201810567822.6有效
发明人：神户乔史 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：在供给工序中，向腔体内供给第一处理气体。在第一蚀刻工序中，利用第一处理气体的等离子体，对包含于各个元件的电极层中的第二Ti膜进行蚀刻，进而对包含于各个元件的电极层中的Al膜进行蚀刻直至在任一个元件中第一Ti膜露出。在切换工序中，将向腔体内供给的处理气体从第一处理气体切换成包含N2气体的第二处理气体。在第二蚀刻工序中，利用第二处理气体的等离子体，重新开始对各个元件的电极层进行蚀刻。
蚀刻方法装置

[发明专利]气化原料供给装置、基板处理装置及气化原料供给方法-CN201210477310.3无效
发明人：西岛和宏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：利用气化原料供给装置解决上述课题，气化原料供给装置包括：贮存罐，其用于贮存液体原料；第1温度控制部，其用于将贮存罐控制在第1温度；载气导入管，其用于向贮存罐内导入载气；处理气体导出管，其连接于贮存罐，用于使处理气体从贮存罐流出，处理气体通过在载气中含有液体原料的蒸气而生成；容器，其包括用于连接处理气体导出管的流入口、供从流入口流入的处理气体流出的流出口；障碍构件，其设置在容器内的流入口与流出口之间，用于阻碍处理气体的流动；第
气化原料供给装置处理方法

[实用新型]基板处理装置-CN201820784219.9有效
发明人：榎本忠;中村诚;铃木淳也;李光旺 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型的基板处理装置具备：处理室，其收纳基板，在该处理室中对基板进行处理；气化部，在气化部将处理液气化来生成处理气体；处理气体供给管路，其与气化部和处理室连通，将处理气体从气化部供给到处理室内；开闭阀，其设置在处理气体供给管路，将处理气体供给管路打开和关闭；以及压力传感器，其设置在处理气体供给管路的、比设置开闭阀的位置靠近气化部的位置处。
处理气体供给基板处理装置气化部本实用新型处理工艺开闭阀气化器气化监测压力传感器处理气体气体泄露生成处理位置靠近收纳处理液对基板探测仪位置处基板连通泄露室内改进

[实用新型]冶炼烟气净化系统-CN201721513155.0有效
发明人：高麟;汪涛;王华明 -专利权人：成都易态科技有限公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： B01D53/81 文献下载
摘要：该系统用于有色冶炼烟气的处理，其包括依次连接的三氧化硫脱除单元、高温烟气除尘单元、气体冷却及收砷单元以及二氧化硫制酸单元；所述三氧化硫脱除单元用于接收有色冶炼烟气，进而输出已脱去三氧化硫的第一待处理气体；所述高温烟气除尘单元用于接收第一待处理气体，进而输出已脱去粉尘的第二待处理气体；所述气体冷却及收砷单元用于接收所述第二待处理气体，进而输出已脱去三氧化二砷且温度尚处于水蒸气露点温度以上的第三待处理气体；所述二氧化硫制酸单元用于接收第三待处理气体，进而获得硫酸产品。
处理气体三氧化硫脱去高温烟气除尘冶炼烟气净化气体冷却冶炼烟气二氧化硫输出脱除制酸冶炼烟气处理本实用新型三氧化二砷水蒸气露点硫酸产品依次连接粉尘

[实用新型]一种钣金件冲切装置-CN202123137710.3有效
发明人：许大军 -专利权人：合肥明瑞精密钣金科技有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： B21D28/02 文献下载
摘要：涉及钣金加工技术领域，包括主体装置、移动清理刷和工作台，所述主体装置的内部设置有工作台，所述工作台的上表面活动连接有移动清理刷，所述移动清理刷的一侧底面固定连接有清理底杆，所述移动清理刷的一侧固定连接有清理气管，所述清理气管的底面固定连接有气流喷嘴。本实用新型通过清理电机，带动螺纹联动杆进行转动，从而带动其上连接的清理底杆进行横向移动，利用清理气管对工作台上残留的铁屑进行清理，同时启动清理气泵，利用清理气管将其抽取的空气通过气流喷嘴在工作台的表面上进行吹动，然后配合清理气管进行快速清，加大了清理力度，再利用铁屑收集仓内部进行收集集中处理。
一种钣金件冲切装置

[实用新型]应用于钢铁行业苯加氢罐区及粗苯装车逸散气处理系统-CN202221663784.2有效
发明人：倪彪;曹静;王寿高 -专利权人：上海展恒环保科技有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B01D53/04 文献下载
摘要：本实用新型的应用于钢铁行业苯加氢罐区及粗苯装车逸散气处理系统，包括：油洗单元、冷凝单元和吸附单元；其中，所述油洗单元用于接收待处理气体，并对待处理气体进行晶状物质脱除处理，待处理气体经所述油洗单元处理后，传输至所述冷凝单元的进口；所述冷凝单元用于对待处理气体进行冷凝处理，以去除烃类物质，待处理气体经所述冷凝单元处理后，传输至吸附单元的进口；所述吸附单元用于对待处理气体进行吸附净化。
应用于钢铁行业加氢装车逸散气处理系统

[发明专利]半导体处理反应器及其部件-CN201080015699.9有效
发明人： E·谢罗;M·维戈瑟;C·怀特;H·特霍斯特;D·莫里斯 -专利权人： ASM美国股份有限公司
申请日： 2010-04-06 - 公布日： 2012-02-29 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：气体输送系统包括用于向反应室提供至少一种处理气体的多根气体管路。气体输送系统还包括用于接纳至少一种处理气体的混合器(20)。混合器可操作地连接到构造成使处理气体扩散的扩散器(22)。扩散器包括至少一个分配表面，该分配表面构造成当处理气体在引入反应室之前经过扩散器容积时提供对处理气体的流动限制。反应室形成反应空间，在该反应空间中设置半导体衬底以进行处理。排气组件可操作地连接到反应室，以从反应空间抽出未反应的处理气体和流出物。
半导体处理反应器及其部件

[发明专利]等离子体处理装置-CN02800919.3无效
发明人：大见忠弘;平山昌树;须川成利;后藤哲也 -专利权人：大见忠弘;东京毅力科创株式会社
申请日： 2002-03-28 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：与上述处理容器连接的排气系统；向上述处理容器中供给等离子体气体的等离子体气体供给部；对应于上述被处理基板而设置于上述处理容器上的微波天线；以及面对上述被处理基板设置在上述保持台上的被处理基板与上述等离子体气体供给部之间的处理气体供给部上述处理气体供给部由：形成于上述处理容器中内、使等离子体通过的多个第1开口部；可连接于处理气体源的处理气体通路；与上述处理气体通路连通的多个第2开口部；以及相对上述第2开口部设置、使由上述第2开口部排放出的处理气体扩散的扩散部
等离子体处理装置

[发明专利]流体处理装置及流体处理方法-CN200380100227.3无效
发明人：河西繁;石桥诚之;山本薰;田中澄;柳谷健一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2003-11-10 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： G05D16/20 文献下载
摘要：该处理装置具有：具有载置被处理体W的载置台(8)的处理容器(4)；导入处理气体的气体导入装置(10)；供给规定处理气体的处理气体供给系统(14、16、18)；供给非活性气体的非活性气体供给系统(12)；在进行处理气体的分压重要的处理时，流出固定流量的处理气体，同时根据压力计(48)的检测值控制压力控制阀(36)的阀开度，而在进行处理气体的分压不太重要的处理时，使压力控制阀(36)的阀开度固定为规定值，
流体处理装置方法

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