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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]使用化学气相沉积钝化的硅蚀刻-CN200980141317.4有效
发明人：雅罗斯瓦夫·W·温尼克泽克;罗伯特·P·谢比 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2009-10-09 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：使用蚀刻室通过在硅层上形成的图案化掩模蚀刻该硅层。在所述蚀刻室中提供含氟(F)蚀刻气体和含硅(Si)化学气相沉积气体。所述含氟(F)蚀刻气体用于蚀刻特征到所述硅层，所述含硅(Si)化学气相沉积气体用于在所述特征的侧壁上形成含硅沉积层。由所述蚀刻气体和所述化学气相沉积气体产生等离子体，并提供偏压。使用所述等离子体蚀刻特征到所述硅层，在蚀刻的所述特征的侧壁上沉积含硅钝化层。所述钝化层中的硅主要来自所述化学气相沉积气体。然后停止所述蚀刻气体和所述化学气相沉积气体。
使用化学沉积钝化蚀刻

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202011628053.X在审
发明人：周孟翰;刘书豪;陈国儒;陈亮吟;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种方法包括：形成金属性特征；在金属性特征之上形成蚀刻停止层；用掺杂剂注入金属性特征；在蚀刻停止层之上形成电介质层；执行第一蚀刻工艺以蚀刻电介质层和蚀刻停止层，以形成第一开口；执行第二蚀刻工艺以蚀刻金属性特征，并在金属性特征中形成第二开口，其中第二开口与第一开口接合；以及用金属性材料填充第一开口和第二开口以形成接触插塞。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]具有提高的掩模选择比的蚀刻-CN201210563858.X有效
发明人：阿南塔·因德拉坎提;拉金德尔·迪恩赛 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种具有提高的掩模选择比的蚀刻。提供了一种在等离子体处理室中在蚀刻层中蚀刻特征的方法。使蚀刻气体流入等离子体处理腔室。在特征蚀刻期间，将顶部外侧电极保持在至少150°C的温度下。使蚀刻气体形成等离子体，该等离子体蚀刻所述蚀刻层。
具有提高选择蚀刻

[发明专利]减少微负载的等离子体蚀刻方法-CN201010244727.6有效
发明人：汤姆·坎普;福奎安;I·C·张;琳达·布拉利;刘身兼 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2010-07-26 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：公开一种产生电子器件中的多个蚀刻特征的方法，该方法可以避免微负载问题从而保持更均匀的侧壁轮廓和更均匀的临界尺寸。该方法包含在等离子体室中执行第一时分等离子体蚀刻工艺步骤以将该多个蚀刻特征蚀刻到第一深度，以及执行闪蒸工艺步骤以从该多个蚀刻特征的暴露表面除去任意聚合物而不需要氧化步骤。该闪蒸工艺步骤是独立于该时分等离子体蚀刻步骤执行的。在该等离子体室中执行第二时分等离子体蚀刻工艺步骤以将该多个蚀刻特征蚀刻到第二深度。可以重复该方法直到达到需要的蚀刻深度。
减少负载等离子体蚀刻方法

[发明专利]用于蚀刻工艺的稳定的光致抗蚀剂结构-CN200680014965.X有效
发明人： S·M·R·萨亚迪;E·A·哈森;P·西里利亚诺;J·S·金;Z·黄 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2006-03-02 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种在蚀刻层中形成特征的方法，包括：在蚀刻层上形成第一掩模，其中第一掩模限定出多个具有宽度的空间。横向蚀刻第一掩模，其中蚀刻的第一掩模限定出多个具有宽度的空间，其中蚀刻的第一掩模的空间的宽度大于第一掩模的空间的宽度。在蚀刻的第一掩模上形成侧壁层，其中侧壁层限定出多个具有宽度的空间，该空间的宽度小于蚀刻的第一掩模限定的空间的宽度。通过侧壁层在蚀刻层中蚀刻特征，其中该特征的宽度小于蚀刻的第一掩模限定的空间的宽度。
用于蚀刻工艺稳定光致抗蚀剂结构

[发明专利]在薄膜的等离子体蚀刻过程中探测终止点的方法和装置-CN200380101944.8有效
发明人：布赖恩·K·麦克米林;埃里克·赫德森;杰弗里·马克斯 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2003-10-22 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种在蚀刻具有置于终止点生成层之上的第一层的叠层时控制等离子体蚀刻过程的方法。该方法包括在监控穿过等离子体处理室内部的光束的吸收率时，蚀刻穿过第一层并至少部分蚀刻穿过终止点生成层，其中，终止点生成层选自从当被蚀刻时能产生可探测的吸收率变化的材料。终止点生成层的特征在于第一特征和第二特征中的至少一个。第一特征是厚度不足以作为蚀刻终止层，及第二特征是用于蚀刻穿过第一层的蚀刻剂的选择性不足以作为蚀刻终止层。
薄膜等离子体蚀刻过程探测终止方法装置

[发明专利]节距缩小-CN200780026262.3有效
发明人：黄志松;杰弗里·马克斯;S·M·列扎·萨贾迪 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2007-04-30 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：提供一种用于在蚀刻层提供特征的方法。在蚀刻层上提供具有牺牲特征的图案化牺牲层。在该牺牲特征内形成共形侧壁，其包括至少两个侧壁形成工艺循环，其中每个循环包括侧壁沉积阶段和侧壁轮廓成形阶段。使用该共形侧壁作为蚀刻掩膜在该蚀刻层蚀刻特征，其中穿过共形侧壁之间的间隙在蚀刻层中蚀刻特征，在该间隙的该图案化牺牲层部分被选择性去除。
缩小

[发明专利]使用多个掩模步骤减小临界尺寸的方法-CN200680011242.4有效
发明人： J·马克斯;R·S·M·萨亚迪 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2006-01-20 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：提供了一种用于在蚀刻层中形成特征的方法。在该蚀刻层上形成第一掩模，其中该第一掩模定义具有宽度的多个间隔。在该第一掩模上形成侧壁层。通过该侧壁层在该蚀刻层中蚀刻成特征，其中所述特征具有比由该第一掩模定义的间隔的宽度小的宽度。移除该掩模和侧壁层。在该蚀刻层上形成附加掩模，其中该附加掩模定义具有宽度的多个间隔。通过该侧壁层在该蚀刻层中蚀刻成特征，其中该特征的宽度小于由该第一掩模定义的间隔的宽度。移除该掩模和侧壁层。
使用多个掩模步骤减小临界尺寸方法

[发明专利]控制对含钨层的蚀刻微负载的方法-CN201210429346.4有效
发明人：李源哲;符谦;刘身健;布赖恩·普 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-11-13 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：提供一种含钨层中蚀刻不同纵横比特征的方法。提供一种包含钨蚀刻成分和沉积成分的蚀刻气体。由所提供的蚀刻气体形成等离子。利用所提供的等离子蚀刻图案化有宽和窄特征的含钨层。
控制含钨层蚀刻负载方法

[发明专利]控制对含钨层的蚀刻微负载的方法-CN200880117545.3有效
发明人：李源哲;符谦;刘身健;布赖恩·普 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-11-13 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种含钨层中蚀刻不同纵横比特征的方法。提供一种包含钨蚀刻成分和沉积成分的蚀刻气体。由所提供的蚀刻气体形成等离子。利用所提供的等离子蚀刻图案化有宽和窄特征的含钨层。
控制含钨层蚀刻负载方法

[发明专利]使用无电沉积以突出杂质、残留和不完全导孔蚀刻-CN201610176740.X有效
发明人：拉里·赵;阿图·克里克斯;普拉文·纳拉 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及使用无电沉积以突出杂质、残留和不完全导孔蚀刻。一种用于检测图案化衬底上的杂质的方法包括：在衬底上进行通孔蚀刻操作，其中所述通孔蚀刻操作被配置为限定衬底上的通孔特征并暴露在通孔特征的底部的蚀刻终止层；在衬底上进行蚀刻终止去除操作，其中所述蚀刻终止去除操作被配置为用于除去通孔特征的底部的蚀刻终止层，以暴露在蚀刻终止层下的金属特征；将无电沉积溶液施加在衬底上，所施加的无电沉积溶液被配置为用于在所暴露的金属特征上以及在衬底的所暴露的表面上的金属杂质上选择性地沉积金属材料，所述金属杂质是在蚀刻终止去除操作过程中由金属特征产生的
使用沉积突出杂质残留不完全蚀刻

[发明专利]在电介质中的高深宽比特征的等离子体蚀刻化学过程-CN201980019733.0在审
发明人：克伦·J·卡纳里克;萨曼莎·西亚姆-华·坦;潘阳;杰弗里·马克斯 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了一种用于在蚀刻室中在图案化掩模下方蚀刻堆叠件中的特征的方法。用冷却剂温度低于‑20℃的冷却剂冷却堆叠件。使蚀刻气体流入蚀刻室。由蚀刻气体产生等离子体。相对于图案化的掩模将特征选择性地蚀刻到堆叠件中。
电介质中的高深特征等离子体蚀刻化学过程

[发明专利]用于形成存储器鳍片图案的方法和系统-CN201780014213.1有效
发明人：姜浩英;安东·德维利耶 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-01-26 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本文中公开的技术提供了用于准确地增加特征部密度以创建高分辨率特征部并且还在亚分辨率特征部的间距上进行切割的方法和制造结构。技术包括使用具有不同蚀刻特性的多种材料来选择性地蚀刻特征部并在指定的位置创建切口或块。多线层由提供不同蚀刻特性的三种或更多种不同的材料形成。使用包括交织蚀刻掩模的蚀刻掩模用于选择性地蚀刻选定的被曝光材料内的切口。然后可以对各种结构进行切割和形成。可以在记忆层中记录形成结构和切口，该记忆层也可以用作蚀刻掩模。
用于形成存储器图案方法系统

[发明专利]用于电介质蚀刻应用的集成蚀刻/清洁-CN201510974810.1有效
发明人：雷扎·阿尔加瓦尼;沙尚克·C·德希穆克;埃里克·A·赫德森;汤姆·坎普;萨曼莎·坦;格拉尔多·阿德里安·德尔加迪诺 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及于电介质蚀刻应用的集成蚀刻/清洁。本发明的实施方式涉及用于在电介质材料中蚀刻凹入特征的方法和装置。在各种实施方式中，凹入特征在两个蚀刻操作中形成。第一蚀刻操作部分地蚀刻特征，并且可在配置成产生电容耦合等离子体反应器中进行。第一蚀刻操作可以在由于离子穿透通过半导体材料之上的电介质而导致下伏的半导体材料经历实质性损害之前结束。第二蚀刻操作可以在配置成产生电感耦合等离子体反应器中进行。第一和第二蚀刻操作本身可以是多步骤的、循环的工艺。
用于电介质蚀刻应用集成清洁

[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法-CN201980067612.3在审
发明人：井上正史;深津英司 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种较佳地进行基板的蚀刻处理的技术。基板保持台(20)将基板(W)保持于既定位置。蚀刻液供给部(37)及喷嘴(30)将蚀刻液供给至既定位置的基板(W)。特征值运算部(902)从热像算出特征值，特征值与使用了蚀刻液的蚀刻处理所致的蚀刻量相关。蚀刻判定部(9031)基于所算出的特征值来判定蚀刻处理的可否。
处理装置以及方法

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